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公开(公告)号：CN112928109A
公开(公告)日：2021-06-08
申请号：CN201911243260.0
申请日：2019-12-06
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
IPC: H01L27/02 , H01L27/082 , H01L29/739
Abstract: 本发明涉及半导体功率器件技术领域，特别涉及一种沟道型功率器件版图结构、半导体功率器件及电子设备。该沟道型功率器件版图结构包括：多个版图单元；每个版图单元具有栅极区以及四个环绕栅极区分布的沟道区；沿行方向或列方向，任意两个相邻的沟道区的沟道相互垂直。不论是行方向还是列方向，相邻的两个沟道区的沟道相互垂直，可以改善沟道结构的晶圆的应力分布，有利于消除晶圆的翘曲；而沟道区环绕栅极区设置，方便晶圆在测试中扎针，也方便晶圆的上芯封装。
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公开(公告)号：CN112713090A
公开(公告)日：2021-04-27
申请号：CN201911019801.1
申请日：2019-10-24
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L21/48 , H01L21/78 , H01L23/31 , H01L23/495
Abstract: 本发明提出了一种QFN器件制备方法及QFN器件，所述QFN器件包括芯片基底，芯片基底包括至少一个第一引脚和围绕着第一引脚的若干第二引脚，以及围绕全部第二引脚布置的且与各个第二引脚一一相接的若干第一孔；装配在芯片基底区内的芯片，其覆盖和连通第一引脚，并通过键合线连接第二引脚；塑封体，其用于将芯片塑封在芯片基底上并暴露第一引脚和第二引脚；一个平坦锡层和若干弯折锡层，平坦锡层形成在第一引脚的底面上，若干弯折锡层逐一形成在第二引脚上，每个弯折锡层都包括覆盖第二引脚的底面的底部区域及覆盖第二引脚的位于第一孔内的侧面的侧部区域。本发明的QFN器件的引脚侧面电镀有锡层，提高了器件与PCB板的焊接强度，从而提高了器件的可靠性。
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公开(公告)号：CN112701165A
公开(公告)日：2021-04-23
申请号：CN201911008459.5
申请日：2019-10-22
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L29/872 , H01L21/04
Abstract: 本发明公开了一种碳化硅二极管的制备方法，包括如下步骤：在SiC衬底上外延SiC，形成SiC外延层；热氧化所述SiC外延层表面，形成SiO2层；在所述SiO2层上沉积掩膜层；刻蚀有源区掩膜层，暴露有源区离子注入区域；部分刻蚀JTE区掩膜层，暴露JTE区离子注入区域；离子注入，形成P掺杂的JTE区和P+掺杂的有源区。本发明通过一次离子注入同时制作SiC JBS有源区P+和JTE终端区，简化工艺，降低了制作难度，降低了成本。
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公开(公告)号：CN112701080A
公开(公告)日：2021-04-23
申请号：CN201911007775.0
申请日：2019-10-22
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L21/768 , H01L21/311
Abstract: 本发明公开了一种通孔形成方法，首先在半导体衬底上沉积光刻胶层，通过图案化光刻胶层，去除除预设通孔的预设位置以外的光刻胶，在通孔的预设位置处形成了光刻胶凸起，再沉积层间介质层覆盖形成有光刻胶凸起的半导体衬底。紧接着对沉积的层间介质层进行刻蚀，至暴露出光刻胶凸起，最后，去除光刻胶，即可在预设位置形成通孔。将原需要靠刻蚀直接在层间介质层形成的通孔，通过在通孔位置预先用光刻胶覆盖，保证了一定的开孔率，改善了通孔的形貌，有益于后续的金属填充并能减少漏电，增加半导体器件产出良率，提高半导体器件性能。
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公开(公告)号：CN112670339A
公开(公告)日：2021-04-16
申请号：CN201910984806.1
申请日：2019-10-16
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L29/778 , H01L21/335 , H01L29/45 , H01L29/47 , H01L29/20
Abstract: 本发明公开了一种氮化镓功率器件及其制造方法；氮化镓功率器件包括由下至上依次连接的衬底层、缓冲层、沟道层、势垒层、p型氮化镓块层和栅金属块层；所述栅金属块层包括相连接的第一栅金属层和第二栅金属层；所述第一栅金属层与所述p型氮化镓块层欧姆接触，所述第二栅金属层与所述p型氮化镓块层肖特基接触。本发明的氮化镓功率器件及其制造方法采用欧姆栅和肖特基栅混合金属栅极结构，结合二者各自的优势，提高器件阈值电压，降低栅极漏电，同时增强器件输出电流能力，避免了HEMT器件出现误开通问题，提高了器件的可靠性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112652583A
公开(公告)日：2021-04-13
申请号：CN201910959548.1
申请日：2019-10-10
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L23/31 , H01L23/495
Abstract: 本发明涉及电子元件技术领域，具体涉及一种封装器件及其生产方法。该封装器件包括引线框架和封装部，所述引线框架包括连接部和多个安装部，任意相邻的两个所述安装部均通过所述连接部连接，所述安装部具有芯片安装面，所述连接部具有贯穿孔，所述贯穿孔沿所述引线框架的厚度方向贯穿设置；所述封装部设置于所述连接部上所述芯片安装面所在的一侧，且所述封装部与所述贯穿孔封堵配合。本发明所提供的封装器件经后续加工过程后，所形成的封装器件单体的侧面能够形成有焊锡层，从而在该封装器件与电路板连接的过程中，保证封装器件与电路板之间具有较高的连接可靠性。
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公开(公告)号：CN112447650A
公开(公告)日：2021-03-05
申请号：CN201910806941.7
申请日：2019-08-29
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L23/495
Abstract: 本发明提供了一种芯片封装件，该芯片封装件包括引线框架、设置在引线框架上的芯片组件、封装芯片组件的封装层。引线框架具有相对的第一面及第二面，芯片组件设置在引线框架的第一面。封装层上设置有顶针孔。还包括设置在引线框架的第二面的散热组件。散热组件包括散热片、粘接散热片与引线框架的第二面的粘接层、设置在散热片与第二面之间且用于隔离散热片及第二面的绝缘块。绝缘块与顶针位置相对。芯片封装件的封装过程中，即使顶针通过顶针孔施加给引线框架框架较大的压力，引线框架也不会压穿粘接层，防止引线框架与散热片接触，防止导致芯片短路。且在顶针施加给引线框架较大的压力下,引线框架也能和粘接层充分接触，保证芯片的散热性能。
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公开(公告)号：CN112447532A
公开(公告)日：2021-03-05
申请号：CN201910820781.1
申请日：2019-08-29
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种封装方法，该方法在对晶圆进行切割前，在晶圆的第一表面和第二表面形成第一保护层，由于晶圆受到第一保护层的保护，在对晶圆切割时不会出现晶圆碎裂和晶圆级芯片损伤的情况，切割得到晶圆级芯片后，再对晶圆级芯片进行侧面封装时，不需要再对晶圆级芯片进行机加工，不会损伤晶圆级芯片。
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公开(公告)号：CN112397471A
公开(公告)日：2021-02-23
申请号：CN201910760397.7
申请日：2019-08-16
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L23/495 , H01L21/48
Abstract: 本发明提供了一种SOP封装结构及封装方法，涉及芯片封装技术领域。引线框架及安装在所述引线框架上的引线结构，所述引线结构包括多个沿预设方向间隔排列的引线脚，还包括限位结构，所述引线脚具有连接面，所述限位结构与所述引线结构固定连接，以使所述引线结构的多个所述引线脚的连接面共面。本申请通过在每列的引线脚上设置限位结构，限位结构的固定作用使得整列的引线脚构成至少一个整体结构，整体结构对外力的抵抗作用更好，使得外力磕碰作用下，引线脚整体结构中的单个引线脚不会轻易变形，从而保证引线脚朝向相同的侧面均位于同一平面上，保证引线脚具有良好的共面性，避免封装过程中出现虚焊等异常现象。
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公开(公告)号：CN112331622A
公开(公告)日：2021-02-05
申请号：CN201910717761.1
申请日：2019-08-05
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L23/367 , H01L29/739
Abstract: 本发明提供一种绝缘栅双极晶体管模块的封装方法及模块，通过在散热基板上加工容纳槽，在散热基板上构造有容纳槽的一侧添加焊料，将衬底覆盖在焊料上，衬底结合面的边线沿投影方向的投影线位于容纳槽的开口的边线沿投影方向的投影线所围成的范围内，投影方向为垂直于衬底结合面的方向，再熔化焊料以形成位于凹弧面上且至少部分地位于容纳槽内的焊层，使得在衬底结合面的边线附近，衬板与散热基板之间的焊层的厚度增加，即散热基板和衬底之间在边缘位置处的焊层的厚度增加，使散热基板与覆盖在焊层上的衬底充分结合，避免在做高低温冲击试验、温度循环等温度急剧变化的可靠性试验极易出现边缘开裂、断层的现象，改善IGBT模块的可靠性。
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