公开(公告)号：CN102054690B

公开(公告)日：2012-10-17

申请号：CN201010552635.4

申请日：2010-11-22

Applicant: 复旦大学

Inventor： 王鹏飞 ,  林曦 ,  张卫

IPC: H01L21/331 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L29/66333 ,  H01L21/76275 ,  H01L29/41741

Abstract: 本发明属于高压大功率器件技术领域，具体为一种用于制造大功率器件的半导体衬底的制造方法。该方法先对区熔硅片的正面进行离子注入，然后采用耐高温金属作为中间媒介将倒扣后的区熔硅片和高掺杂直拉硅片进行键合形成半导体衬底。键合后，区熔硅片用于制备IGBT器件，高掺杂直拉硅片作为低阻的背部接触，可以减少区熔硅片的用量，降低生产成本。同时，键合后不再需要进行背部的金属化工序，简化了加工制程，提高了生产良率。

公开(公告)号：CN102655176A

公开(公告)日：2012-09-05

申请号：CN201210144846.3

申请日：2012-05-10

Applicant: 复旦大学

Inventor： 吴东平 ,  陈玫瑰 ,  许鹏 ,  张卫 ,  张世理

IPC: H01L29/92 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明涉及半导体工艺技术领域，公开了一种具有纳米线结构的电容器及其制备方法。在本发明中，先在衬底上形成第一导电层；然后在第一导电层上制备金属半导体化合物纳米线，构成底层金属；依次在底层金属上形成介质层、金属层，并由该金属层构成上层金属。本发明通过在第一导电层上制备金属半导体化合物纳米线，构成电容器结构的底层金属，增加了电容器结构的电极面积，从而增大了电容器的电容量；由于在第一导电层上制备的金属半导体化合物具有纳米线结构，使得构成的底层金属具备立体结构，因此可使得电容器结构在同等芯片面积下，增加了电容表面积，从而增大了电容器的电容量，即提供了小尺寸大容量的电容器结构。

公开(公告)号：CN101777660B

公开(公告)日：2012-08-22

申请号：CN201010105579.X

申请日：2010-02-04

Applicant: 复旦大学

Inventor： 刘晗 ,  周立人 ,  王鹏飞 ,  张卫

IPC: H01M8/16 ,  H01M8/24

CPC classification number: Y02E60/527 ,  Y02P70/56

Abstract: 本发明属于再生能源技术领域，具体公开了一种微生物燃料电池。该微生物燃料电池包括一个腔体以及包含在所述腔体内依次排列的阴极、质子交换膜、阳极和多孔膜。该微生物燃料电池利用微生物对血糖的催化进行分解，在分解过程中产生二氧化碳和水，并且通过微生物转移氧化还原反应中的电子，从而实现化学能向电能的转变，同时，该微生物燃料电池可以制作微型电池，使其能够安置在人体体内，利用人体自身产生的化学物质进行发电。本发明具有成本低、寿命长、结构简单和作为体内电子装置供电设备无需更换供电电池的优点。

公开(公告)号：CN102543690A

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN201210004325.8

申请日：2012-01-09

Applicant: 复旦大学

Inventor： 于浩 ,  蒋玉龙 ,  茹国平 ,  屈新萍 ,  李炳宗 ,  张卫

IPC: H01L21/04

Abstract: 本发明属于微电子技术领域，具体为一种通过N型半导体衬底局部表面费米能级解钉扎优化金半接触结构的方法。本发明利用PS微球作为掩膜，将单层密布的PS微球作为模板，结合反应离子刻蚀技术，对半导体衬底进行刻蚀形成期望的图形。进而在PS微球的掩蔽下，淀积金属接触电极，然后去除PS微球，经退火处理，形成局部高势垒金半接触。再对暴露出的半导体表面实行局部解钉扎处理，再次淀积同一种金属电极材料形成低势垒金半接触，从而最终在同一块半导体衬底上实现高低势垒在金半接触界面上的规律分布，因而提高正向工作电流、降低反向漏电流。本发明通PS球自对准刻蚀技术与局部解钉扎技术的结合，达到了良好的金半接触结构优化效果。

公开(公告)号：CN102507875A

公开(公告)日：2012-06-20

申请号：CN201110351191.2

申请日：2011-11-09

Applicant: 复旦大学

Inventor： 周鹏 ,  沈彦 ,  孙清清 ,  王鹏飞 ,  张卫

IPC: G01N33/00 ,  G01N21/21

Abstract: 本发明属于半导体集成电路制造技术领域，具体为一种快速无损测量石墨烯薄膜厚度与能隙的方法。本发明首先利用椭圆偏振技术得到薄膜的椭偏数据；然后根据所测薄膜的结构建立合适的理论模型，对得到的椭偏数据进行分析和拟合，得到所测石墨烯薄膜的厚度与能带结构。本发明大大简化了以往超薄薄膜厚度测试的复杂性、降低了利用其它技术工艺实施的困难程度，在22纳米后大规模集成电路制造中具有重要应用价值。

公开(公告)号：CN102427024A

公开(公告)日：2012-04-25

申请号：CN201110419776.3

申请日：2011-12-15

Applicant: 复旦大学

Inventor： 蒋玉龙 ,  于浩 ,  茹国平 ,  屈新萍 ,  李炳宗 ,  张卫

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/04

Abstract: 本发明属于微电子技术领域，具体为一种工艺优化的金半接触结构的制备方法。本发明利用聚苯乙烯（PS）微球作为掩膜，采用高、低两种不同功函数金属淀积金半接触结构。由于PS微球结构稳定，单层膜易于制备，通过单层密布的PS微球作为模板，结合反应离子刻蚀（RIE）技术，对半导体衬底进行刻蚀形成期望的图形，最终通过丙酮超声振荡去除PS微球，是一种理想的自对准工艺，具有良好的应用前景。而高低两种功函数金属并联调制金半接触的方法可以有效提高正向工作电流、降低反向漏电流。本发明通过此自对准刻蚀技术与双功函数金属调制势垒高度技术的结合，达到了良好的金半接触优化效果。

公开(公告)号：CN102403367A

公开(公告)日：2012-04-04

申请号：CN201110397385.6

申请日：2011-12-05

Applicant: 复旦大学

Inventor： 卢红亮 ,  耿阳 ,  孙清清 ,  周鹏 ,  王鹏飞 ,  张卫

IPC: H01L29/94 ,  H01L21/334

Abstract: 本发明属于半导体技术领域，具体为一种高迁移率MOS电容及其制作方法。本发明提出的MOS电容结构依次为迁移率衬底、三甲基铝钝化层、HfO2栅介质层和电极。其制作方法包括：清洗高迁移率衬底，衬底表面形成三甲基铝钝化层，ALD淀积HfO2栅介质，制作电极。本发明中的三甲基铝钝化层可以减小衬底表面的残余氧化物含量从而减小与栅介质材料的界面态密度，改善界面特性。所淀积的HfO2介质层具有薄膜厚度的精确控制性，优异的保形性，良好的界面控制能力，极好的大面积均匀性，因此可大大提高MOS电容的电学特性，从而提高MOS晶体管的性能。

公开(公告)号：CN102403234A

公开(公告)日：2012-04-04

申请号：CN201110413439.3

申请日：2011-12-13

Applicant: 复旦大学

Inventor： 李龙 ,  蒋玉龙 ,  茹国平 ,  屈新萍 ,  李炳宗 ,  张卫

IPC: H01L21/336

Abstract: 本发明属于微电子技术领域，具体为一种利用自对准技术制备具有高K金属栅的鳍形场效应晶体管的方法。本发明方法首先在Si片上淀积氮化硅/氧化硅/氮化硅叠层掩膜，然后在制作过程中利用氮化硅形成侧墙，实现FINFET源漏栅的电隔离，在制备过程中只采用1次关键光刻技术，利用自对准技术制备FINFET。本发明适用于业界流行的后栅工艺流程（gate-last），适合于大规模生产。

公开(公告)号：CN101819975B

公开(公告)日：2011-12-07

申请号：CN201010162453.6

申请日：2010-04-28

Applicant: 复旦大学

Inventor： 臧松干 ,  王鹏飞 ,  张卫

IPC: H01L27/092 ,  H01L29/78 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明属于半导体器件技术领域，具体本发明公开了一种半导体器件，它包括一个N型隧穿晶体管和一个P型MOS晶体管。对于N型隧穿晶体管，采用垂直沟道双栅结构；对于P型MOS晶体管，采用凹陷沟道结构。本发明还公开了上述半导体器件的制造方法。本发明制造的半导体器件具有低漏电流、高驱动电流等优点，采用本发明的集成电路大大降低了芯片功耗。

公开(公告)号：CN102244102A

公开(公告)日：2011-11-16

申请号：CN201110177163.3

申请日：2011-06-28

Applicant: 复旦大学

Inventor： 林曦 ,  王玮 ,  王鹏飞 ,  孙清清 ,  张卫

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

Abstract: 本发明属于量子效应器件技术领域，具体涉及一种基于电子隧穿的围栅型栅控金属-绝缘体器件。本发明包括：半导体衬底，所述半导体衬底之上的源极、漏极、隧穿绝缘体层、金属层；所述金属层、隧穿绝缘体层与所述半导体衬底构成一个MIS结构；还包括一栅绝缘体层和栅绝缘体层之上围绕所述MIS结构一周的栅极。本发明采用平台工艺制作了基于量子隧穿效应的栅控金属-绝缘体器件，采用围栅型栅极对器件进行控制，增强了栅极的控制能力，同时，通过对围栅型栅控金属-绝缘体器件施加合适的偏压，可以控制其隧穿效率，将漏电流减小到远远小于普通二极管的程度,降低了芯片功耗。