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公开(公告)号：CN102142428B
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：CN201110048029.3
申请日：2011-03-01
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L23/532 , H01L21/768
Abstract: 本发明属于半导体集成电路制造技术领域，具体涉及一种适用于铜互连的Ru/WHfN抗铜扩散阻挡层及其制备方法。本发明中，抗铜扩散阻挡层采用Ru/WHfN双层结构。由于在WN中加入了Hf，大大提高了WHfN薄膜的结晶温度，使得Ru/WHfN双层阻挡层在750℃高温下退火30分钟后也没有发生铜的扩散。另外，该Ru/WHfN双层阻挡层在方块电阻测试、元素深度剖面图和漏电流测试方面都证明其优于Ru单层阻挡层和Ru/WN双层阻挡层。
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公开(公告)号：CN101783367B
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：CN201010111275.4
申请日：2010-02-11
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/45 , H01L21/336 , H01L21/28
Abstract: 本发明属于微电子技术领域，具体公开了一种纳米线MOS晶体管及其制备方法。该纳米线MOS晶体管使用金属镍作为III-V族半导体纳米线的源漏扩散材料，利用高温下镍的扩散机理，使金属镍扩散到III-V族材料中，形成低电阻的Ni-III-V形式的合金，作为III-V半导体纳米线MOS管的源漏材料，从而实现源漏材料与沟道材料的欧姆接触。本发明所公开的MOS晶体管具有结构简单、制造方便、接触电阻小、并且能够有效减小寄生电容的产生并使MOS晶体管的关断电流有效减小等优点。同时，本发明还公开了所述纳米线MOS晶体管的制备方法，该方法可以有效控制MOS晶体管的沟道长度，从而使得半导体器件有更大的工作电流。
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公开(公告)号：CN102709192A
公开(公告)日：2012-10-03
申请号：CN201210206312.9
申请日：2012-06-21
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/336 , H01L27/24
Abstract: 本发明属于20纳米以下的半导体存储器技术领域，具体涉及一种集成阻变存储器的MOS晶体管结构的制造方法。本发明通过自对准工艺形成MOS晶体管的源区和漏区，并且通过一次原子层淀积工艺淀积高质量的MOS晶体管的栅介质层与阻变存储器的阻变存储层，在不增加额外的工艺步骤的前提下，将阻变存储器与MOS晶体管集成在一起。本发明还可以兼容浅沟槽隔离工艺或者场氧化层隔离工艺以及源、漏的离子注入或者扩散工艺，工艺步骤简单，便于工艺集成以及器件向小型化方向的发展。
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公开(公告)号：CN102709177A
公开(公告)日：2012-10-03
申请号：CN201210195407.5
申请日：2012-06-14
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/316
Abstract: 本发明属于碳基集成电路制造技术领域，具体涉及一种利用罗丹明作为缓冲层的石墨烯上高k介质原子层沉积方法。本发明方法在石墨烯表面覆盖罗丹明缓冲层，通过原子层沉积实现高k介质在石墨烯表面的均匀淀积。利用罗丹明缓冲层是一种新颖的在石墨烯表面生长高k介质的方法，它可以直接应用在纳米尺度的平面器件制备当中。另外，该方法也可以作为石墨烯基电子器件的基本加工工艺。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102693958A
公开(公告)日：2012-09-26
申请号：CN201210206916.3
申请日：2012-06-21
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L23/532 , H01L21/768
Abstract: 本发明属于半导体集成电路制造技术领域，具体为一种铜互连结构及其制备方法。本发明以现有铜互连结构为基础，采用硅酸锰薄膜作为铜互连结构的铜扩散阻挡层。本发明用原子层淀积方法在铜互连的沟槽和通孔结构中来生长5~20nm的硅酸锰薄膜，淀积的薄膜能够达到良好的台阶覆盖性，可大大减少孔洞和缝隙等缺陷的产生。此外，通过调节硅酸锰薄膜中的Si和Mn比例，可以获得较佳的铜扩散阻挡能力和粘附特性。本发明的优点是可以提高铜互连线的抗电迁移特性，并保持其在集成电路铜互连应用中的可靠性，为45nm及其以下工艺技术节点提供了一种理想的互连工艺技术解决方案。
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公开(公告)号：CN101777565B
公开(公告)日：2012-09-05
申请号：CN200910247550.2
申请日：2009-12-30
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L27/142 , H01L21/82
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 本发明属于集成电路技术领域，具体公开了一种自供电低功耗集成电路芯片及其制备方法。该集成电路芯片包括一个半导体衬底以及在衬底上的低功耗集成电路和太阳能电池。所述的低功耗集成电路包含隧穿场效应晶体管。该低功耗集成电路和太阳能电池在同一个半导体衬底上同时形成。形成该太阳能电池的工艺可以和形成该低功耗集成电路的工艺兼容。该低功耗集成电路可以由该太阳能电池供电，从而形成自供电的低功耗集成电路。
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公开(公告)号：CN102543886A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201210001500.8
申请日：2012-01-05
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/8247 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7391 , H01L29/8616
Abstract: 本发明属于半导体存储器器件制造技术领域，具体公开了一种栅控二极管半导体存储器器件的制造方法。本发明中，当浮栅电压较高时，浮栅下面的沟道是n型，器件就是简单的栅控pn结结构；通过背栅控制ZnO薄膜的有效n型浓度，通过浮栅实现将n型ZnO反型为p型，又用NiO作为p型半导体，形成n-p-n-p的掺杂结构；而浮栅内的电荷多少又决定了这个器件的阈值电压，从而实现了存储器的功能。本发明工艺过程简单、制造成本低，所制造的栅控二极管存储器器件具有大驱动电流、小亚阈值摆幅的优点，可以降低芯片功耗。本发明通过低温工艺生产，特别适用于基于柔性衬底的半导体器件以及平板显示、浮栅存储器等器件的制造中。
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公开(公告)号：CN101814453B
公开(公告)日：2012-03-21
申请号：CN201010141746.6
申请日：2010-04-08
Applicant: 复旦大学
CPC classification number: H01L25/0657 , H01L23/481 , H01L25/50 , H01L2224/16 , H01L2225/06513 , H01L2225/06541 , H01L2225/06593
Abstract: 本发明属于高集成度封装技术领域，具体公开了一种用于硅通孔互连中的硅片对准方法。该方法包括在多个硅片进行堆叠互连时，采用电学方法对进行堆叠互连的上下硅片进行对准校正，这样，就可以提高硅片对准的精度，减小互连电阻。通过本发明所述方法制成的集成电路芯片具有高速度和低功耗的性能。
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公开(公告)号：CN102320592A
公开(公告)日：2012-01-18
申请号：CN201110248086.6
申请日：2011-08-26
Applicant: 复旦大学
CPC classification number: B03C1/023 , B03C1/288 , B03C2201/18 , B82B3/0071 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/172
Abstract: 本发明属于集成电路制造技术领域，具体为一种分离不同导电性能的碳纳米管的方法。本发明方法包括，将含有金属性碳纳米管和半导体性碳纳米管的集成电路材料浸泡在液体中，然后将液体从同一个入口进入同一个容器，在所述容器的四周设置一个电场和一对形成磁力线与所述电场相垂直的磁极；变换电场的电力线方向和大小以及磁力线的方向和大小，使金属性碳纳米管与半导体性碳纳米管分离。使用本发明方法得到的半导体性碳纳米管和金属性碳纳米管的纯度高，可以大大提高使用半导体性碳纳米管的集成电路的产品良率。本发明方法简单易行，成本低廉，可以大大降低高纯度碳纳米管的制造成本。
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