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公开(公告)号：CN109824046B
公开(公告)日：2021-06-08
申请号：CN201910237780.4
申请日：2019-03-27
Applicant: 北京大学
IPC: C01B32/194 , C01B32/186 , G01N23/2202 , G01N23/2251 , G01N23/2204
Abstract: 本发明公开了一种制备Janus结构的悬空石墨烯支撑膜的方法。该方法包括：通过化学气相沉积法在金属基底表面生长石墨烯薄膜，再制备悬空石墨烯薄膜，最后将所得悬空石墨烯置于等离子体清洗机中，对石墨烯表面进行功能化处理，得到亲疏水性可控、完整度高(>80％)的Janus石墨烯支撑膜。该制作方法工艺简单，一步等离子体处理便能够调控石墨烯的亲疏水性；并能通过增加掩模板制备图案化的Janus悬空石墨烯支撑膜。所得石墨烯支撑膜接触角范围广(50‑90°)，涵盖了商用无定形碳电镜支撑膜的接触角范围(60‑80°)，有利于生物蛋白、纳米颗粒等水溶性样品的有效负载和高分辨成像。
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公开(公告)号：CN110540197B
公开(公告)日：2021-03-12
申请号：CN201810534499.2
申请日：2018-05-29
IPC: C01B32/196
Abstract: 本发明提供一种碳纳米材料清洁石墨烯表面的方法，包括如下步骤：提供一碳纳米材料；使所述碳纳米材料与所述石墨烯表面接触；施加压力于所述接触碳纳米材料的石墨烯表面；及使所述碳纳米材料与所述施加压力后的石墨烯分离；其中，所述碳纳米材料为碳纳米墙或碳纳米墙复合物。本发明提供的方法简便易行，对于多种基底上的石墨烯均具有较好的清洁效果，对进一步实现和拓展石墨烯的高端应用具有重要的意义。
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公开(公告)号：CN112442729A
公开(公告)日：2021-03-05
申请号：CN201910816010.5
申请日：2019-08-30
Abstract: 本申请提供一种制备大面积单晶铜箔的方法。本申请提供的方法包括：‑提供多晶铜箔；‑提供材质为石墨或六方氮化硼的载具；‑将所述多晶铜箔置于所述载具上；‑对所述载具上的所述多晶铜箔在一定温度梯度下进行退火，得到所述单晶铜箔。由于石墨和六方氮化硼等载具具有优良的润滑性，高温下铜和石墨或六方氮化硼的相互作用较弱，采用这种材质的载具可以大大减小退火过程中载具与其上方铜箔之间的相互作用，减小高温下载具对铜箔产生的外应力，因此不仅保证了良好的单晶化效果，而且可以维持铜箔本身形貌的规则平整。
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公开(公告)号：CN112176415A
公开(公告)日：2021-01-05
申请号：CN202011008700.7
申请日：2020-09-23
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种获得单一钛氧终止的绝缘钛酸锶(001)表面的方法。该方法包括：将钛酸锶单晶用溶剂超声清洗后置于超高真空腔体中，将所述钛酸锶单晶加热后除气，再继续升温进行退火，退火完毕后降温，降温完毕后保持温度不变通入氧气，通完氧气后继续降温至室温，抽走氧气。该方法可控性好，成功率达百分之百，所获得的表面可以用于外延生长不同的薄膜材料。
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公开(公告)号：CN111485224A
公开(公告)日：2020-08-04
申请号：CN201910085922.X
申请日：2019-01-29
IPC: C23C16/44 , C23C16/458 , C23C16/26
Abstract: 本发明提供了一种化学气相沉积装置及化学气相沉积方法。化学气相沉积装置用于制备薄膜材料，包括第一腔室、第二腔室、过渡腔室、底盘以及传送机构。第一腔室和第二腔室用于薄膜材料的生长或后处理。过渡腔室通过隔离件分别连通于第一腔室和第二腔室。底盘用于装载生长衬底。传送机构被配置为在第一腔室和过渡腔室之间传送底盘，以及在第二腔室和过渡腔室之间传送底盘。本发明提供的化学气相沉积方法利用上述的装置进行薄膜材料的生长或后处理。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111477265A
公开(公告)日：2020-07-31
申请号：CN201910062668.1
申请日：2019-01-23
IPC: G16B5/00
Abstract: 本发明公开了一种功能化石墨烯薄膜在冷冻电镜三维重构中的应用。所述生物活性配体功能化石墨烯薄膜能够用于冷冻电子显微镜三维重构中，所述生物活性配体功能化石墨烯薄膜由生物活性配体连接于石墨烯薄膜上形成，生物活性配体为Ni-氨三乙酸配体；其中生物活性配体功能化石墨烯薄膜作为或用于制备冷冻电镜的支撑膜；生物活性配体功能化石墨烯薄膜特异性捕获带His标签的蛋白或生物大分子。本发明生物活性配体功能化石墨烯薄膜可以通过在未来优化中直接定位或捕获细胞裂解物中的目标生物分子，将生物分子纯化和冷冻电镜样品制备结合到一个步骤中是可预期的。
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公开(公告)号：CN110883017A
公开(公告)日：2020-03-17
申请号：CN201811051425.X
申请日：2018-09-10
IPC: B08B7/00
Abstract: 本发明提供一种静态清洁石墨烯表面的方法，包括：将活性炭复合物覆盖在石墨烯的表面；沿着垂直于所述表面的方向，对所述活性炭复合物施加压力，以使所述活性炭复合物粘附所述表面的污染物。本发明还提供实现上述方法的装置。本发明的方法和装置能够使活性炭复合物与石墨烯的表面进行充分的静态接触，通过活性炭复合物的吸附性去除石墨烯表面的污染物，从而实现对石墨烯的洁净处理，提升石墨烯的洁净度，具有重要的应用价值。
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公开(公告)号：CN110540197A
公开(公告)日：2019-12-06
申请号：CN201810534499.2
申请日：2018-05-29
IPC: C01B32/196
Abstract: 本发明提供一种碳纳米材料清洁石墨烯表面的方法，包括如下步骤：提供一碳纳米材料；使所述碳纳米材料与所述石墨烯表面接触；施加压力于所述接触碳纳米材料的石墨烯表面；及使所述碳纳米材料与所述施加压力后的石墨烯分离；其中，所述碳纳米材料为碳纳米墙或碳纳米墙复合物。本发明提供的方法简便易行，对于多种基底上的石墨烯均具有较好的清洁效果，对进一步实现和拓展石墨烯的高端应用具有重要的意义。
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公开(公告)号：CN106521450B
公开(公告)日：2019-05-28
申请号：CN201611094399.X
申请日：2016-12-02
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种制备超平整石墨烯的方法。该方法包括如下步骤：对铜箔进行抛光后退火至所述铜箔取向占优的晶面为(111)，再进行石墨烯的生长，停止生长得到所述平整石墨烯。本发明采用平整铜箔的(111)晶面以及合适的化学反应窗口制备了超平整石墨烯。超平整石墨烯的平整度达到0.5nm，远优于普通铜箔上生长的石墨烯。利用该方法所得超平石墨烯具有优于粗糙石墨烯的抗腐蚀性能。
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公开(公告)号：CN109545986A
公开(公告)日：2019-03-29
申请号：CN201811166401.9
申请日：2018-10-08
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供一种超净界面异质结的制备方法及应用，所述异质结的制备方法包括如下步骤：首先利用化学气相沉积法生长大面积单晶石墨烯膜，然后利用非聚合物辅助的清洁转移方法制备透射电子显微镜网格上的悬浮石墨烯，最后使用一步溶液法在清洁的石墨烯表面上直接合成厚度为5-100nm的钙钛矿单晶，完成超净界面异质结材料的制备。该方法完全避免了转移过程中的聚合物污染，异质结电子耦合非常好，界面非常干净。同时，根据进一步的表征验证，在超净的界面下，石墨烯作为二维电极及受体材料可实现超快、高效率的载流子收集，此方法得到的异质结具有高达98％的光电流转换效率，并且光生载流子的收集时间尺度为百飞秒量级。
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