-
公开(公告)号：CN213721925U
公开(公告)日：2021-07-20
申请号：CN202020642572.0
申请日：2020-04-24
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: A61B5/0205 , A61B5/01
Abstract: 本实用新型涉及智能穿戴的技术领域，具体涉及一种监测组件及包含其的智能设备。监测组件包括基板和形成在基板同一侧的第一腔室、第二腔室和第三腔室，第一腔室与基板相对的一端为覆盖有保护玻璃的开口，第二腔室与基板相对的一端为覆盖有第一滤光片的开口，第三腔室与基板相对的一端为覆盖有第二滤光片的开口，第一腔室内设置有第一芯片，第二腔室内设置有第二芯片，第三腔室内设置有体温检测芯片。本方案采用在智能设备中的原有监测组件内集成体温检测芯片的方式，可以使得智能设备具有温度检测功能，从而满足人们随时使用的需求，并且体温检测组件没有占用智能设备的内部空间，无需在智能设备表面开孔，从而提高智能设备内部空间的利用率。
-
公开(公告)号：CN211428144U
公开(公告)日：2020-09-04
申请号：CN202020185049.X
申请日：2020-02-19
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
IPC: H01L23/31 , H01L23/367
Abstract: 本实用新型公开了一种封装体散热结构及功率半导体器件，封装体散热结构包括：封装体，散热片，以及设置在封装体与散热片之间的DBC基板，DBC基板能够在封装体与散热片之间实现绝缘，并能够使封装体的热量传递到散热片上；DBC基板的顶部金属层电连接有集电极引脚，DBC基板的顶部金属层与集电极引脚一体成型，DBC基板的陶瓷层上设置有栅极引脚和发射极引脚。通过在封装体与散热片之间设置DBC基板，由于DBC基板中间陶瓷层的绝缘性能，不需要封装体与散热片之间添加绝缘材料，保证了封装体与散热片之间良好的绝缘，同时又不影响封装体的散热性能。采用上述封装体散热结构的功率半导体器件节能，高效，且具有良好的系统可靠性。
-
公开(公告)号：CN210926000U
公开(公告)日：2020-07-03
申请号：CN201921768833.7
申请日：2019-10-21
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
IPC: H01L23/495
Abstract: 本实用新型提出了一种引线框架，其中，在所述引线框架的脚部设有至少一个待填充塑封料的通孔。本实用新型的引线框架在塑封料注塑充填的过程中，塑封料会充满这些通孔，贯通引线框架上下，来阻挡水汽的进入，改善因封装分层问题导致的器件失效，从而延长了引线框架的寿命。
-
公开(公告)号：CN210866184U
公开(公告)日：2020-06-26
申请号：CN201921780363.6
申请日：2019-10-21
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L29/739 , H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/335 , H01L21/336
Abstract: 本实用新型公开了一种半导体器件的终端结构，包括半导体衬底层、沟槽和离子掺杂层；多个沟槽沿预设方向开设在所述半导体衬底层上表面，多个所述沟槽的尺寸沿所述预设方向逐渐增大；离子掺杂层通过离子注入在所述半导体衬底层形成，所述离子掺杂层包围所述沟槽。本实用新型在沟槽刻蚀阶段对沟槽结构进行改进，通过沟槽刻蚀尺寸来影响刻蚀深度情况，实现终端结构的变掺杂，无需对终端离子注入工艺进行调整，避免了离子断开，不能实现渐变，引起器件漏电的问题。
-
公开(公告)号：CN210837754U
公开(公告)日：2020-06-23
申请号：CN201922178796.0
申请日：2019-12-06
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
IPC: H01L27/02 , H01L27/082 , H01L29/739
Abstract: 本实用新型涉及半导体功率器件技术领域，特别涉及一种沟道型功率器件版图结构、半导体功率器件及电子设备。该沟道型功率器件版图结构包括：多个版图单元；每个版图单元具有栅极区以及四个环绕栅极区分布的沟道区；沿行方向或列方向，任意两个相邻的沟道区的沟道相互垂直。不论是行方向还是列方向，相邻的两个沟道区的沟道相互垂直，可以改善沟道结构的晶圆的应力分布，有利于消除晶圆的翘曲；而沟道区环绕栅极区设置，方便晶圆在测试中扎针，也方便晶圆的上芯封装。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN210429778U
公开(公告)日：2020-04-28
申请号：CN201921347424.X
申请日：2019-08-16
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L23/31 , H01L23/367 , H01L23/488
Abstract: 本实用新型提供了一种功率模块组件，涉及电子设备领域。包括：散热器和功率电子器件，所述散热器设有安装槽，所述功率电子器件设置于所述安装槽内，所述安装槽的开口处设有盖板，所述盖板上设有多个通孔，所述功率电子器件包括多个电极引脚，所述电极引脚从所述通孔伸出至所述安装槽外部。本实用新型提供的功率模块组件，通过在散热器上设置安装槽，将功率电子器件设置于安装槽内，实现了功率电子器件与散热器的一体化集成。从而使功率电子器件不用再进行单独的封装，摆脱了封装外壳的限制，降低了整体重量，也避免了封装外壳的材料成本。同时，由于功率电子器件集成在了散热器内部，减小了整体的体积。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
-
公开(公告)号：CN215815865U
公开(公告)日：2022-02-11
申请号：CN202121614626.3
申请日：2021-07-15
Applicant: 珠海零边界集成电路有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L23/498 , H01L25/00
Abstract: 本申请涉及电力电子技术领域，具体而言，涉及一种半导体模块及封装结构，包括相互连接的第一组件和第二组件，其中：第一组件包括第一基板，第一基板上设置有功率芯片；第二组件包括设置于第一基板上的第二基板，第二基板上设置有控制芯片和引脚。本实用新型提供了一种将控制芯片设置于第二基板上，通过第二基板同时作为控制芯片和引脚的载体，减小了封装过程中高度方向上的公差累积，同时还可以减小制作难度和制作成本。
-
公开(公告)号：CN215183859U
公开(公告)日：2021-12-14
申请号：CN202120431030.3
申请日：2021-02-25
Applicant: 珠海零边界集成电路有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L21/48 , H01L23/495
Abstract: 本实用新型涉及电子器件技术领域，公开了一种智能功率模块，智能功率模块包括基板，基板上设有芯片、多个导电引脚，导电引脚的一端与芯片连接，另一端的端部形成焊接脚；外部引脚框架，外部引脚框架包括多个与多个焊接脚一一对应的引线，引线的一端的端部形成有连接结构；每组相互对应的连接结构和焊接脚中，连接结构包括：连接部、以及位于分别连接部两侧并朝向基板延伸的支撑部，支撑部的排列方向与焊接脚的排列方向相同，两个支撑部之间形成容纳空间，焊接脚位于两个支撑部之间。该智能功率模块中，支撑部隔绝相邻的两个焊接脚，回流焊时，降低相邻焊接脚上的结合材相连而导致短路风险；支撑部起到限位作用，降低焊接点错位风险。
-
公开(公告)号：CN214411204U
公开(公告)日：2021-10-15
申请号：CN202022807782.3
申请日：2020-11-27
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L29/423 , H01L21/336
Abstract: 本申请涉及半导体技术领域，尤其涉及一种半导体器件，该半导体器件包括：半导体衬底，所述半导体衬底的一侧表面上生长有外延层；形成在所述外延层上的量子点传输层；形成在所述量子点传输层上的栅氧层。如此设置，本申请提供的半导体器件，其能够在保证栅极可靠性地基础上降低Vth。
-
公开(公告)号：CN213752715U
公开(公告)日：2021-07-20
申请号：CN202022333807.0
申请日：2020-10-19
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本实用新型涉及一种碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管，该晶体管包括第一和第二元胞，它们共同包括漏极电极层、欧姆接触层、衬底层、外延层、层间介质层和源极电极层，第一元胞还包括第一深阱区、第二深阱区、第一浅阱区、第二浅阱区、第一源区、第二源区、第一栅氧化层和第一多晶硅栅极，第二元胞还包括第三深阱区、第四深阱区、第三浅阱区、第四浅阱区、第二栅氧化层、第三栅氧化层、第二多晶硅栅极和第三多晶硅栅极。该晶体管不但可以保证自身具有短路电流密度低、短路耐量高和短路时间长等优点，而且可以在降低体二极管正向压降的同时降低肖特基二极管的反向漏电流。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
197
records
(took 0.077 seconds)
