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公开(公告)号：CN113421963A
公开(公告)日：2021-09-21
申请号：CN202110647502.3
申请日：2021-06-10
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明公开了一种低功耗三维阻变存储器，在阻变存储器的电极与阻变薄膜之间插入了一层石墨烯阻挡层，所述石墨烯阻挡层为化学气相淀积法制备的石墨烯薄膜，其中存在少量纳米缺陷孔。该石墨烯阻挡层可以限制电极金属往阻变层的移动，使金属只能从少量的缺陷孔中通过，限制金属导电细丝的生长。因此，器件在数据写入过程中只能形成较细、较少的金属导电细丝，从而在数据擦除过程中大幅降低数据擦除电流，显著降低阻变存储器的功耗。
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公开(公告)号：CN109728160B
公开(公告)日：2020-09-08
申请号：CN201811555663.4
申请日：2018-12-19
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公布了一种氧化物忆阻器及其集成方法，基于当前集成电路制造业标准CMOS后端工艺，通过专门设计的工艺流程来来实现氧化物忆阻器的制备，减小忆阻器对后端工艺的影响，以更好地兼容后端工艺。本发明使得在普通传统CMOS工艺线上制作忆阻器及其阵列成为可能。此外，忆阻器有助于研究阻变机理、可靠性、耐久性等等大规模制备相关的能力，对于新一代存储器以及人工神经网络的研究有着重要意义。
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公开(公告)号：CN105895152B
公开(公告)日：2019-05-21
申请号：CN201610202361.3
申请日：2016-04-01
Applicant: 北京大学
IPC: G11C13/00
Abstract: 本发明提供一种基于单向导通存储单元的存储阵列读取方法，该存储阵列包括多条字线和与字线交叉的多条位线；设于各字线和各位线交叉点并与字线和位线连接的多个存储单元，该存储单元单向导通；以及外围读出电路，对连接到同一位线的存储单元进行读写；其步骤包括：对选中的存储单元所属字线施加一第一电压，对存储阵列的其它字线施加一第二电压；同时对该存储单元所属位线施加一第二电压，对其它位线施加一第一电压；通过外围读出电路读写该存储单元所在位线。
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公开(公告)号：CN109728160A
公开(公告)日：2019-05-07
申请号：CN201811555663.4
申请日：2018-12-19
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公布了一种氧化物忆阻器及其集成方法，基于当前集成电路制造业标准CMOS后端工艺，通过专门设计的工艺流程来来实现氧化物忆阻器的制备，减小忆阻器对后端工艺的影响，以更好地兼容后端工艺。本发明使得在普通传统CMOS工艺线上制作忆阻器及其阵列成为可能。此外，忆阻器有助于研究阻变机理、可靠性、耐久性等等大规模制备相关的能力，对于新一代存储器以及人工神经网络的研究有着重要意义。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：CN105742491B
公开(公告)日：2018-06-12
申请号：CN201610202876.3
申请日：2016-04-01
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种平面非易失性阻变存储器及其制备方法。本发明的阻变存储器在衬底的水平方向上形成电极‑阻变层‑电极的平面结构；采用侧墙结构制备阻变层，通过适当的设计可以在一定程度上控制侧墙的厚度和宽度；利用侧墙加上选择性腐蚀工艺可以实现小尺寸纳米级水平“宽度”的阻变层，也就是制作平面阻变存储器所需的两个电极之间的间隙。采用这种方法巧妙的避开了工艺和设备带来的局限性，即使不采用现有最先进的工艺也可实现小尺寸纳米级的器件，并且本发明中所采用的工艺完全兼容CMOS的工艺制程，扩大了其应用的范围；纳米平面阻变存储器的制备不仅对于阻变存储器的研究有着重要意义，对于业界阻变存储器的制备工艺也起着重要作用。
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公开(公告)号：CN103887431B
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201410047253.4
申请日：2014-02-11
Applicant: 北京大学
CPC classification number: H01L45/14 , G11C11/5664 , G11C13/0016 , G11C13/0097 , G11C2213/15 , G11C2213/52 , H01L45/122 , H01L45/1253 , H01L45/1616 , H01L51/0035 , H01L51/0098
Abstract: 本发明涉及一种多值非易失性有机阻变存储器及其制备方法。该阻变存储器包括顶电极、底电极以及位于顶电极和底电极之间的中间功能层，中间功能层为至少两层聚对二甲苯。该方法包括：采用PVD方法在衬底上生长底电极材料，并采用标准光刻技术使底电极图形化；采用聚合物化学气相淀积方法在底电极上依次生长多层聚对二甲苯材料；通过光刻和刻蚀定义底层电极的引出通孔；采用PVD方法在聚对二甲苯材料上生长顶电极材料，通过光刻、剥离定义顶层电极，并将底电极引出。本发明能够在不改变器件基本结构的条件下，通过采用两侧均为较惰性电极以及多层聚对二甲苯的淀积来实现具有自限流效果的多值存储功能。
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公开(公告)号：CN103682095B
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201310717874.4
申请日：2013-12-23
Applicant: 北京大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明公开了一种具有选择特性的阻变存储器及其制备方法。本发明的阻变存储器包括：顶电极、底电极以及二者之间的功能层；其中，功能层包括第一氧化层和第二氧化层；第一氧化层为靠近顶电极的完全配比的氧化层；第二氧化层为靠近底电极的非完全配比的氧化层。本发明采用分两次淀积功能层，形成具有氧组分不同的两层氧化层的功能层，靠近顶电极为完全配比的氧化层，而靠近底电极为非完全配比的氧化层；在顶电极与完全配比的氧化层之间势垒会明显提高，电子只能靠肖特基发射实现导电，低阻态具有非线性，器件具有选择特性。本发明在有效抑制误读现象的情况下，无需串联专门的选择管，工艺简单，成本低；并且与现有工艺兼容，有利于大规模工业生产。
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公开(公告)号：CN106169534A
公开(公告)日：2016-11-30
申请号：CN201610591550.4
申请日：2016-07-25
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公布了一种适用于交叉阵列的自选择阻变存储器及其读取方法。本发明的自选择阻变存储器采用较薄的活性电极，具有挥发性低阻态，结合较小的限流值和特定的读写操作，在十字交叉阵列中应用可以抑制泄漏电流，实现阻变单元的无选择管高密度集成。
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