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公开(公告)号：CN112914775B
公开(公告)日：2022-05-17
申请号：CN202110188253.6
申请日：2021-02-18
Applicant: 北京大学口腔医学院
Abstract: 本公开提供了一种牙外伤固定用口内保护装置的数字化制备方法，包括：获取数字化的外伤患牙所在的单颌牙列印模数据，并进行数据建模；数据建模后进行3D打印获得单颌牙列模型；采用双面夹层膜片对单颌牙列模型进行压膜，获得全牙列垫作为牙外伤固定用口内保护装置。本公开采用数字化印模及3D打印技术，避免了传统制取方式引起的外伤牙的医源性损伤，同时节省了选择托盘、调和印模材料、灌制石膏、模型修整这些繁琐的步骤，简化了制备过程，节约了成本；数字化印模技术准确度高于藻酸盐印模材，且成功率高，模型损坏后可利用扫描数据即刻打印，无需重复口内操作，患者就医体验好，减少医用垃圾，有利于环保。
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公开(公告)号：CN105895152B
公开(公告)日：2019-05-21
申请号：CN201610202361.3
申请日：2016-04-01
Applicant: 北京大学
IPC: G11C13/00
Abstract: 本发明提供一种基于单向导通存储单元的存储阵列读取方法，该存储阵列包括多条字线和与字线交叉的多条位线；设于各字线和各位线交叉点并与字线和位线连接的多个存储单元，该存储单元单向导通；以及外围读出电路，对连接到同一位线的存储单元进行读写；其步骤包括：对选中的存储单元所属字线施加一第一电压，对存储阵列的其它字线施加一第二电压；同时对该存储单元所属位线施加一第二电压，对其它位线施加一第一电压；通过外围读出电路读写该存储单元所在位线。
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公开(公告)号：CN106229407A
公开(公告)日：2016-12-14
申请号：CN201610809598.8
申请日：2016-09-08
Applicant: 北京大学
IPC: H01L45/00
CPC classification number: H01L45/14 , H01L45/16 , H01L45/165
Abstract: 本发明提供一种高一致性的阻变存储器件及其制备方法，属于CMOS超大规模集成电路技术领域。该阻变存储器包括衬底和位于衬底上的下电极-阻变薄膜-上电极结构，下电极位于衬底之上，上、下电极之间为阻变薄膜，所述阻变薄膜的局部掺杂金属，所述掺杂区域为器件工作区域的50％—10％。本发明阻变存储器的到底通道更加容易在局域化掺杂的区域形成熔断，从而将导电通道的随机产生与熔断限定在局部掺杂的区域内，有效降低了导电通道的随机性，从而提高阻变存储器的一致性。
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公开(公告)号：CN105895152A
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201610202361.3
申请日：2016-04-01
Applicant: 北京大学
IPC: G11C13/00
CPC classification number: G11C13/004
Abstract: 本发明提供一种基于单向导通存储单元的存储阵列读取方法，该存储阵列包括多条字线和与字线交叉的多条位线；设于各字线和各位线交叉点并与字线和位线连接的多个存储单元，该存储单元单向导通；以及外围读出电路，对连接到同一位线的存储单元进行读写；其步骤包括：对选中的存储单元所属字线施加一第一电压，对存储阵列的其它字线施加一第二电压；同时对该存储单元所属位线施加一第二电压，对其它位线施加一第一电压；通过外围读出电路读写该存储单元所在位线。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105870321A
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201610183126.6
申请日：2016-03-28
Applicant: 北京大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明提供一种非线性自整流阻变存储器，包括衬底和位于衬底上的底电极?阻变层?能带修饰层?顶电极结构。本发明还提供一种非线性自整流阻变存储器的制备方法，包括如下步骤：1)定义底电极图形，按照该图形在衬底上制备底电极；2)采用PVD、ALD或CVD的方法在底电极上淀积阻变层；3)采用PVD或ALD的方法在阻变层上淀积能带修饰层；4)定义底电极引出孔图形，按照该图形在阻变层和能带修饰层刻蚀出底电极引出孔；5)定义顶电极图形，按照该图形在修饰层上制备顶电极。
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公开(公告)号：CN119339612A
公开(公告)日：2025-01-21
申请号：CN202411600476.9
申请日：2024-11-11
Applicant: 北京大学口腔医学院
IPC: G09B23/28
Abstract: 本发明涉及医疗器械技术领域，具体涉及一种牙科教学模拟模具，包括：半副上颌模具，具有右上颌骨板折断模型、左上颌牙槽窝扩大模型、右上颌骨完整模型以及左上颌骨完整模型；其中，相邻的模型配合可拆卸相连、以构成上颌模具，包括：右上颌骨板折断模型和左上颌牙槽窝扩大模型，右上颌骨板折断模型和左上颌骨完整模型，右上颌骨完整模型和左上颌牙槽窝扩大模型，以及右上颌骨完整模型和左上颌骨完整模型。上述模型针对于牙外伤教学，解决现有技术中缺乏针对于牙外伤教学的训练模型的问题。
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公开(公告)号：CN112914775A
公开(公告)日：2021-06-08
申请号：CN202110188253.6
申请日：2021-02-18
Applicant: 北京大学口腔医学院
Abstract: 本公开提供了一种牙外伤固定用口内保护装置的数字化制备方法，包括：获取数字化的外伤患牙所在的单颌牙列印模数据，并进行数据建模；数据建模后进行3D打印获得单颌牙列模型；采用双面夹层膜片对单颌牙列模型进行压膜，获得全牙列垫作为牙外伤固定用口内保护装置。本公开采用数字化印模及3D打印技术，避免了传统制取方式引起的外伤牙的医源性损伤，同时节省了选择托盘、调和印模材料、灌制石膏、模型修整这些繁琐的步骤，简化了制备过程，节约了成本；数字化印模技术准确度高于藻酸盐印模材，且成功率高，模型损坏后可利用扫描数据即刻打印，无需重复口内操作，患者就医体验好，减少医用垃圾，有利于环保。
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公开(公告)号：CN105870321B
公开(公告)日：2019-03-08
申请号：CN201610183126.6
申请日：2016-03-28
Applicant: 北京大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明提供一种非线性自整流阻变存储器，包括衬底和位于衬底上的底电极‑阻变层‑能带修饰层‑顶电极结构。本发明还提供一种非线性自整流阻变存储器的制备方法，包括如下步骤：1)定义底电极图形，按照该图形在衬底上制备底电极；2)采用PVD、ALD或CVD的方法在底电极上淀积阻变层；3)采用PVD或ALD的方法在阻变层上淀积能带修饰层；4)定义底电极引出孔图形，按照该图形在阻变层和能带修饰层刻蚀出底电极引出孔；5)定义顶电极图形，按照该图形在修饰层上制备顶电极。
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公开(公告)号：CN106229407B
公开(公告)日：2019-05-14
申请号：CN201610809598.8
申请日：2016-09-08
Applicant: 北京大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明提供一种高一致性的阻变存储器件及其制备方法，属于CMOS超大规模集成电路技术领域。该阻变存储器包括衬底和位于衬底上的下电极‑阻变薄膜‑上电极结构，下电极位于衬底之上，上、下电极之间为阻变薄膜，所述阻变薄膜的局部掺杂金属，所述掺杂区域为器件工作区域的50％—10％。本发明阻变存储器的到底通道更加容易在局域化掺杂的区域形成熔断，从而将导电通道的随机产生与熔断限定在局部掺杂的区域内，有效降低了导电通道的随机性，从而提高阻变存储器的一致性。
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