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公开(公告)号：CN102157557B
公开(公告)日：2012-07-25
申请号：CN201110029706.7
申请日：2011-01-27
Applicant: 北京大学
CPC classification number: H01L29/0673 , B82Y10/00 , H01L29/0649 , H01L29/0692 , H01L29/16 , H01L29/66439 , H01L29/775
Abstract: 本发明提供了一种基于纳米线器件的耐高压横向双向扩散晶体管，属于微电子半导体器件领域。该横向双扩散MOS晶体管包括沟道区、栅介质、栅区、源区、漏区、源端外延区以及漏端S型漂移区，沟道区是横向圆柱形硅纳米线结构，上面覆盖一层均匀栅介质，栅介质上层是栅区，栅区和栅介质完全包围沟道区，源端外延区位于源区和沟道区之间，漏端S型漂移区位于漏区和沟道区之间，漏端S型漂移区俯视图呈单个或多个S型结构，S型结构中间填充具有相对介电常数1～4的绝缘材料。本发明可提高基于硅纳米线MOS晶体管的横向双扩散晶体管的耐高压能力。
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公开(公告)号：CN102569262A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201210006026.8
申请日：2012-01-10
Applicant: 北京大学
IPC: H01L23/544 , G01N21/65 , B82Y35/00
CPC classification number: H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公布了一种纳米线围栅器件散热特性的测试结构和测试方法。所述测试结构，包括源(1)、漏(2)、栅(3)，源(1)和漏(2)由一根悬空纳米线(5)相连；漏(2)端包含加热结构；所述结构采用的是围栅结构，即栅(3)将纳米线(5)包围起来；栅(3)的一端与一个接线板(4)相连。制作N个所述测试结构，并给每个测试结构加热，计算出每个结构的散热比，进而得出小尺寸器件时的散热的主要途径。本发明实现了对纳米尺度器件散热特性进行测试，对纳米尺度器件散热结构的设计和材料的选取给出了直接的指导，并且为今后的热阻网络和器件结构的设计带来了参考和帮助。
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公开(公告)号：CN102364660A
公开(公告)日：2012-02-29
申请号：CN201110333277.2
申请日：2011-10-28
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/027 , G03F7/00
Abstract: 本发明公开了一种基于光刻和氧化工艺相结合来实现超细纳米线条的方法，属于微电子半导体器件晶体管制造的技术领域。该方法基于普通光学光刻与氧化工艺相结合的方法来得到悬空超细线条。制备出的纳米线的直径可由淀积氮化硅的厚度和两次氧化分别通过时间及温度来精确地控制在以下，并由于干法氧化速度较慢，所以对最终细线条的尺寸可以得到精确地控制。同时利用传统普通光学光刻和氧化工艺，成本低，可行性高。
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公开(公告)号：CN102315170A
公开(公告)日：2012-01-11
申请号：CN201110138735.7
申请日：2011-05-26
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/8234 , H01L21/762 , H01L21/311 , B82B3/00
CPC classification number: H01L29/66772 , H01L29/42392 , H01L29/78696
Abstract: 本发明提出一种基于湿法腐蚀制备硅纳米线场效应晶体管的方法，包括：定义有源区；淀积氧化硅薄膜作为硬掩膜；并形成源漏和连接源漏的细条状的图形结构；通过刻蚀硅工艺，将硬掩膜上的图形结构转移到硅材料上；抑制底管离子注入；通过湿法腐蚀硅材料，悬空连接源漏的硅细线条；将硅细线条缩小到纳米尺寸形成硅纳米线；淀积多晶硅薄膜；通过电子束光刻形成多晶硅栅线条，跨过硅纳米线，并形成全包围纳米线的结构；通过在衬底上淀积氧化硅薄膜和接下来的刻蚀氧化硅工艺，在多晶硅栅线条两侧形成氧化硅侧墙；通过离子注入和高温退火，形成源漏结构，最终制备出纳米线场效应晶体管，该方法与常规集成电路制造技术兼容，制备工艺简单、方便、周期短。
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公开(公告)号：CN102315129A
公开(公告)日：2012-01-11
申请号：CN201110190786.4
申请日：2011-07-08
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/336 , B82Y40/00 , B82Y10/00
CPC classification number: H01L29/42392 , H01L29/0676 , H01L29/66772 , H01L29/78642 , H01L29/78696
Abstract: 本发明提供一种寄生电阻较小的垂直硅纳米线场效应晶体管的制备方法，属于超大规模集成电路制造技术领域。利用本发明制备出的垂直型硅纳米线场效应晶体管相比于传统的平面场效应晶体管，一方面由于其本身的一维几何结构导致的良好栅控能力，能够提供很好的抑制短沟道效应的能力，并减小泄漏电流和漏致势垒降低(DIBL)；另一方面，进一步缩小器件面积，提高了IC系统的集成度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102184923A
公开(公告)日：2011-09-14
申请号：CN201110089699.X
申请日：2011-04-11
Applicant: 北京大学
IPC: H01L27/105 , H01L29/78 , H01L29/423 , H01L21/8238 , H01L21/336 , H01L21/28
CPC classification number: H01L29/66977 , B82Y10/00 , B82Y99/00 , H01L21/02603 , H01L21/823828 , H01L21/823885 , H01L27/092 , H01L29/0673 , H01L29/66439 , H01L29/775
Abstract: 本发明提供一种基于硅纳米线场效应晶体管的六边形可编程阵列及其制备方法，该阵列包括纳米线器件、纳米线器件连接区和栅连接区，所述纳米线器件呈圆柱形结构，包括硅纳米线沟道、栅介质层和栅区，栅介质层包裹硅纳米线沟道，栅区包裹栅介质层，纳米线器件以六边形排列构成一单元，纳米线器件连接区为3个纳米线器件之间的连接节点，纳米线器件连接区固定在一个硅支架上。本发明可实现复杂互联控制逻辑，适合应用于高速高集成度的数字/模拟电路，和数模混合电路。
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公开(公告)号：CN102064096A
公开(公告)日：2011-05-18
申请号：CN201010572032.0
申请日：2010-12-03
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/033
CPC classification number: H01L21/3086 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , H01L28/20
Abstract: 本发明提供一种细线条的制备方法，属于超大规模集成电路制造技术领域。本发明采用了3次Trimming掩膜工艺，有效地改善了线条形貌，大大减小了LER(线边缘粗糙度)；同时与侧墙工艺相结合，成功制备出纳米级细线条并能够精确控制到20纳米，从而在衬底材料上制备出优化LER纳米级的线条。
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公开(公告)号：CN119997593A
公开(公告)日：2025-05-13
申请号：CN202510063895.1
申请日：2025-01-15
Applicant: 北京大学
Abstract: 本申请提供一种堆叠晶体管的制备方法、堆叠晶体管及半导体器件。方法包括：在半导体衬底上形成有源结构，有源结构包括第一部分和第二部分；基于第一部分，形成沿第一方向堆叠的第一晶体管和第二晶体管，第一晶体管和第二晶体管的极性相反；倒片并去除半导体衬底；基于第二部分，形成沿第一方向堆叠的第三晶体管和第四晶体管，第三晶体管和第四晶体管的极性相反；第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管和第四晶体管中的任意相邻两个晶体管之间存在隔离结构；刻蚀位于第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管和第四晶体管中的任意两个晶体管之间的隔离结构，以形成通孔；在通孔中沉积金属材料，以形成互连通孔结构。
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公开(公告)号：CN118039568B
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202410034012.X
申请日：2024-01-09
Applicant: 北京大学
Abstract: 本申请提供一种半导体结构的制备方法、半导体结构及半导体器件，上述方法包括：提供一衬底，并刻蚀衬底形成有源结构；有源结构包括第一端和第二端，有源结构的第一端相比于有源结构的第二端远离衬底；在衬底的第一区域上形成第一材料层；在第一材料层上，形成横跨有源结构的第一伪栅结构；对半导体结构进行倒片，并去除衬底，以暴露有源结构的第二端和第一材料层；使用第一材料层作为刻蚀掩膜，对半导体结构进行刻蚀，直至达到预设高度；在半导体结构上沉积半导体材料，形成第二伪栅结构；刻蚀第二伪栅结构，直至暴露源漏区域的有源结构，以形成第三伪栅结构；去除第一伪栅结构和第三伪栅结构，分别形成第一栅极结构和第二栅极结构。
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公开(公告)号：CN119866055A
公开(公告)日：2025-04-22
申请号：CN202411996099.5
申请日：2024-12-31
Applicant: 北京大学
Abstract: 本申请提供一种堆叠晶体管的制备方法、堆叠晶体管及半导体器件。方法包括：在半导体衬底上一次刻蚀形成鳍状结构，其中，鳍状结构包括沿第一方向堆叠的第一部分和第二部分，第一部分相比于第二部分远离半导体衬底；基于第一部分，形成第一晶体管，其中，第一晶体管包括：第一栅极结构，第一栅极结构是通过第一栅极制备工艺形成的；倒片并去除半导体衬底；基于第二部分，形成与第一晶体管沿第一方向堆叠的第二晶体管，其中，第二晶体管包括：第二栅极结构，第二栅极结构是通过第二栅极制备工艺形成的；第二栅极制备工艺和第一栅极制备工艺至少制备步骤不同；第一栅极结构的耐热度大于第二栅极结构的耐热度。
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