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公开(公告)号：CN119815903A
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202411916365.9
申请日：2024-12-24
Applicant: 北京大学
Abstract: 本申请提供一种堆叠晶体管的制备方法、堆叠晶体管、器件及设备，方法包括：在衬底上形成半导体结构，半导体结构至少包括依次堆叠的牺牲层、第一半导体结构和第二半导体结构；刻蚀源漏区域的半导体结构，并在源漏区域的牺牲层对应的区域内填充绝缘材料，以形成占位结构；在占位结构上，通过前道工艺，基于第一半导体结构，形成第一晶体管的第一部分，第一部分至少包括第一源漏结构；基于第二半导体结构，形成第二晶体管；对第二晶体管进行倒片，并暴露占位结构；去除占位结构，以形成第一晶体管的第一源漏接触金属；通过后道工艺，在第一源漏接触金属上形成第一晶体管的第一金属互连层。本申请可以实现顶部晶体管与底部晶体管的自对准接触。
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公开(公告)号：CN119997596A
公开(公告)日：2025-05-13
申请号：CN202510124629.5
申请日：2025-01-26
Applicant: 北京大学
Abstract: 本申请提供一种堆叠晶体管的制备方法、堆叠晶体管及半导体器件。方法包括：去除第二伪栅结构，以暴露第二有源结构和栅极隔离层；在第一半导体单元中的第二有源结构、栅极隔离层之上涂覆光刻胶，并通过光刻工艺，至少去除第二半导体单元中的栅极隔离层；依次去除第一伪栅结构和光刻胶，以暴露第一半导体单元中的第一有源结构、栅极隔离层和第二有源结构，以及第二半导体单元中的第一有源结构和第二有源结构；基于第一半导体单元中的第一有源结构、栅极隔离层和第二有源结构，形成第一栅极结构和第二栅极结构，以及同时基于第二半导体单元中的第一有源结构和第二有源结构，形成第三栅极结构和第四栅极结构。
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公开(公告)号：CN119866055A
公开(公告)日：2025-04-22
申请号：CN202411996099.5
申请日：2024-12-31
Applicant: 北京大学
Abstract: 本申请提供一种堆叠晶体管的制备方法、堆叠晶体管及半导体器件。方法包括：在半导体衬底上一次刻蚀形成鳍状结构，其中，鳍状结构包括沿第一方向堆叠的第一部分和第二部分，第一部分相比于第二部分远离半导体衬底；基于第一部分，形成第一晶体管，其中，第一晶体管包括：第一栅极结构，第一栅极结构是通过第一栅极制备工艺形成的；倒片并去除半导体衬底；基于第二部分，形成与第一晶体管沿第一方向堆叠的第二晶体管，其中，第二晶体管包括：第二栅极结构，第二栅极结构是通过第二栅极制备工艺形成的；第二栅极制备工艺和第一栅极制备工艺至少制备步骤不同；第一栅极结构的耐热度大于第二栅极结构的耐热度。
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