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公开(公告)号：CN102054089A
公开(公告)日：2011-05-11
申请号：CN201010510296.3
申请日：2010-10-18
Applicant: 复旦大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明涉及针对工艺偏差影响下带有透明锁存器的数字集成电路进行速度分级的方法，包括：步骤1，计算带有透明锁存器的数字集成电路的最小时钟周期累计密度分布函数；步骤2，根据上述最小时钟周期累计密度分布函数采用贪婪算法来计算最优时钟周期等级分界点以最大化销售利润；步骤3，通过求解字母序二叉树带权最短路径问题确定时钟周期等级分界点的最优测试顺序以最小化测试成本，从而在同时考虑销售利润和测试成本的情况下，以低计算复杂度和高计算精度最大化集成电路的设计价值。
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公开(公告)号：CN101964002A
公开(公告)日：2011-02-02
申请号：CN200910055285.8
申请日：2009-07-23
Applicant: 复旦大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明属集成电路半导体制造技术领域，提出一种化学机械抛光工艺的哑元填充的启发式方法，将最小化哑元金属数目的哑元填充问题表示成一个标准的线性规划问题，然后提出动态增加网格内哑元金属密度的启发式算法求解最小哑元填充问题。该方法在每次优化过程中根据网格密度代价函数和近似精度，动态确定向待填充网格内填充哑元金属密度的数量，同时通过近似常数ε调整每次迭代时网格内哑元金属密度的增加量，能实现最终结果精度和计算速度的折衷。本方法可行性高，处理速度极高效，其计算速度和结果精度均优于流行的Monte-Carlo方法，可用于解决大规模版图哑元填充问题。
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公开(公告)号：CN101964001A
公开(公告)日：2011-02-02
申请号：CN200910055196.3
申请日：2009-07-22
Applicant: 复旦大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明属集成电路半导体制造技术领域，涉及一种化学机械抛光工艺的哑元填充方法。本发明将求解最小化哑元金属数目的哑元填充问题转化成一类特殊的覆盖线性规划CLP问题，然后根据CLP问题的特点，应用组合优化领域中一种完全多项式时间近似算法FPTAS来求解最小哑元填充问题。该方法既可以保证最终结果的ε最优性，又可以实现最终结果精度和计算速度的折中，解决了现有方法中存在的速度和精度不能兼顾的难题；该方法还可以在线性时间复杂度下，获得近似最少的哑元填充数目，可用于解决大规模版图哑元填充问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101923278A
公开(公告)日：2010-12-22
申请号：CN200910053203.6
申请日：2009-06-17
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属集成电路光刻领域，涉及一种并行化处理移相掩模建模的方法。本方法在掩模版的金属和石英的垂直交界处将其沿纵向剖分成N个垂直掩模结构，使相邻垂直掩模结构的介电常数在垂直方向分布不同。对特征垂直掩模结构用基于非连续伽勒金的谱元方法计算其电场的特征函数和特征值，并用它们作为基函数表征任意垂直掩模结构的电场分量；在水平方向，用施瓦茨迭代求解N个垂直掩模结构的电场方程及边界条件，在每次迭代中，N个垂直掩模结构的电场计算任务分配到多个计算节点并行完成，每个垂直掩模结构的左右边界条件采用相邻垂直掩模结构在上一步迭代的解。本方法具有精度高和并行计算的特性，能处理实际大规模任意结构移相掩模版的建模。
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公开(公告)号：CN100454316C
公开(公告)日：2009-01-21
申请号：CN200610025692.0
申请日：2006-04-13
Applicant: 复旦大学
IPC: G06F17/50
CPC classification number: H04L41/12
Abstract: 本发明属于电子技术领域，具体为一种超大规模集成电路中的时钟分布电路的拓扑结构优化方法。该方法可以任何其他方法产生的拓扑关系作为输入，在时钟树构造过程中通过对其拓扑结构进行局部修正以优化费用。每次优化过程从时钟树的叶结点开始，对所有结点利用二叉树变换操作做出局部调整，向上进行到根结点后完成。优化过程迭代进行，直到费用不能再进一步减小为止。本发明方法通用性强，效率高，费用减小比率达6-10%，能够高效处理超大规模集成电路的时钟布线问题；另外，还具有良好的可扩展性，可与其他优化策略结合，力求获得最优解。
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公开(公告)号：CN1707467A
公开(公告)日：2005-12-14
申请号：CN200510025270.9
申请日：2005-04-21
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属微机电MEMS和电子技术领域。具体为一种带有参数的系统模型降阶方法。模型降阶技术是一类有效提高系统模型模拟和验证速度的技术，以便对电路或器件的设计方案及时加以改进。本发明建立了针对参数系统的模型降阶方法。它通过对参数系统的传递函数进行多级数展开来逐层构造子投影矩阵，通过对子投影矩阵正交化构建投影矩阵。用此投影矩阵实现对原参数系统降阶，得到的降阶系统不依赖于系统参数的某个特殊取值，从而对参数不同取值都能保持降阶的精度。相对传统的降阶方法，本发明的降阶精度和降阶效率都大大提高。
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公开(公告)号：CN1645379A
公开(公告)日：2005-07-27
申请号：CN200510023305.5
申请日：2005-01-13
Applicant: 复旦大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明属线性电路的模型降阶技术领域，具体为一种多输入多输出RCS互连电路的降阶。该方法的步骤包括：构造二阶系统方程来描述该互连电路，对二次系统进行频移，并对二次系统进行线性化，再采用块二阶Arnoldi算法获得Hv的前k阶块矩所构成的Krylov子空间内的一组正交规范基，并利用该正交规范矩阵对原二次系统进行正交投影，从而获得阶数为n的降阶后的二次系统，该二次系统可以线性化为一个一次系统，线性化后的一次电路方程保持了原二次方程对应的一次方程矩阵的块状结构，最后获得小规模RCS等效电路。本发明方法可以保证降阶过程的数值稳定性、降阶系统的无源性、精确矩匹配，具有保结构特性，低的计算量和存贮量。
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公开(公告)号：CN1529356A
公开(公告)日：2004-09-15
申请号：CN200310108054.1
申请日：2003-10-20
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明是一种基于小波逼近和多阶压扩相结合的模拟电路行为级自动建模的方法。它根据自适应方法得到的逼近误差来自动构造压扩函数，然后对输入输出曲线压扩，最后再次采用自适应方法逼近压扩后的输入输出函数，这样可以实现对模型误差分布的连续调控，提高模型的精度，并减少建模所需的小波基个数，降低模型的复杂度。本发明可适用于任何电路结构和模块。
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