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公开(公告)号：CN1529354A
公开(公告)日：2004-09-15
申请号：CN03151469.3
申请日：2003-09-29
Applicant: 复旦大学
Abstract: 模型降阶技术是一类非常有效的提高电路模拟速度的技术，以便对电路的设计方案及时加以改进。本发明提出了双边投影与单边投影相结合的方法对非线电路模型进行降阶，即对非线系统的一级子线性系统采用双边投影降阶，对二级、三级、四级子线性系统采用单边投影降阶。本发明方法可使非线性电路模型降到较低的阶数，且能保持较高的精度。
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公开(公告)号：CN1527228A
公开(公告)日：2004-09-08
申请号：CN03151194.5
申请日：2003-09-25
Applicant: 复旦大学
Abstract: 模型降阶技术是一类非常有效的提高电路模拟和验证速度的技术，以便对电路的设计方案及时加以改进。本发明建立了一种直接投影的非线性电路模型降阶方法。其特征在于采用直接投影和变分分析相结合的方法，利用控制理论中的变分分析得到的子系统构建子投影矩阵V1，V2，…，Vn，然后利用原系统与子系统之间的关系构建统一的投影矩阵V。用此统一的投影矩阵V实现对原非线性系统的一个近似非线性系统的直接投影。相对文献[1]中的分别对子系统进行降阶的方法，降阶的精度和降阶的效率都大大提高。
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公开(公告)号：CN1707467A
公开(公告)日：2005-12-14
申请号：CN200510025270.9
申请日：2005-04-21
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属微机电MEMS和电子技术领域。具体为一种带有参数的系统模型降阶方法。模型降阶技术是一类有效提高系统模型模拟和验证速度的技术，以便对电路或器件的设计方案及时加以改进。本发明建立了针对参数系统的模型降阶方法。它通过对参数系统的传递函数进行多级数展开来逐层构造子投影矩阵，通过对子投影矩阵正交化构建投影矩阵。用此投影矩阵实现对原参数系统降阶，得到的降阶系统不依赖于系统参数的某个特殊取值，从而对参数不同取值都能保持降阶的精度。相对传统的降阶方法，本发明的降阶精度和降阶效率都大大提高。
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