公开(公告)号：CN103617949A

公开(公告)日：2014-03-05

申请号：CN201310416064.5

申请日：2013-09-13

Applicant: 复旦大学

Inventor： 孙清清 ,  杨雯 ,  王鹏飞 ,  张卫 ,  周鹏

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/283

CPC classification number: H01L21/02315 ,  H01L21/28158

Abstract: 本发明属于半导体集成电路工艺技术领域，具体涉及一种利用NF3抑制高k栅介质层和硅衬底之间界面层生长的方法。本发明在淀积高k栅介质层前先用NF3等离子体对硅衬底进行预处理，能够有效地防止氧气在硅衬底中的扩散，从而抑制高k栅介质层和硅衬底之间界面层的生长，降低高k栅介质层的等效氧化层厚度，使得器件的击穿特性等性能得到改善。另外，氮原子对高k栅介质层中的缺陷以及高k栅介质层和硅衬底的界面陷阱还有很好的钝化作用，这使得器件的电特性等方面的性能也得到了改善。

公开(公告)号：CN103594477A

公开(公告)日：2014-02-19

申请号：CN201310548614.9

申请日：2013-11-06

Applicant: 复旦大学

Inventor： 王鹏飞 ,  吴俊 ,  孙清清 ,  张卫

IPC: H01L27/146 ,  H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明属于半导体器件技术领域，具体涉及一种半导体感光器件及其制造方法。本发明半导体感光器件，包括在半导体衬底内形成的一个MOS晶体管、一个感光pn结二极管和一个钉扎二极管，通过一个浮栅开口MOS晶体管的浮栅与感光pn结二极管的一端连接并与钉扎二极管的一端连接，MOS晶体管的环形的漏区包围感光pn结二极管和钉扎二极管、且与感光pn结二极管的另一端连接并与钉扎二极管的另一端连接。钉扎二极管可以把感光pn结二极管的光吸收区域推进到半导体衬底内部，远离受干扰的表面。采用本发明的半导体感光器件制造的图像传感器芯片具有单元面积小、芯片密度高、灵敏度高、分辨率高等优点。

公开(公告)号：CN103579102A

公开(公告)日：2014-02-12

申请号：CN201310545351.6

申请日：2013-11-07

Applicant: 复旦大学

Inventor： 丁士进 ,  刘栋 ,  范仲勇 ,  张卫

IPC: H01L21/768

CPC classification number: H01L21/02227 ,  H01L21/76801

Abstract: 本发明属于超大规模集成电路技术领域，具体涉及一种具有优异力学性能的超低介电常数薄膜的制备方法。本发明采用C58H118O21(Brij76)、甲基三乙氧基硅烷（MTES）、1,2-二（三乙氧基硅基）乙烷（BTEE）、HCl、乙醇（EtOH）和H2O为原料，制备溶胶-凝胶溶液，然后以旋涂方法形成薄膜，并通过老化工艺稳定孔结构，高温退火除去聚合物成分Brij76以形成孔洞结构，从而制备得低介电常数薄膜。本发明所采用的聚合物分子为Brij76，其分子量较小（为1150），从而成孔体积更小，有利于提升薄膜力学性能。所制备的薄膜材料，其低介电常数为2.2，杨氏模量为8.50GPa，硬度1.17GPa。

公开(公告)号：CN103579100A

公开(公告)日：2014-02-12

申请号：CN201310503143.X

申请日：2013-10-23

Applicant: 复旦大学

Inventor： 卢红亮 ,  耿阳 ,  杨雯 ,  孙清清 ,  张卫

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/3205 ,  C23C14/24

CPC classification number: H01L21/76877 ,  C23C16/45525 ,  H01L21/02225 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76838

Abstract: 本发明属于半导体集成电路制造技术领域，具体涉及一种在扩散阻挡层上制备超薄铜籽晶层的方法及其应用。本发明采用原子层沉积方式制备超薄铜籽晶层，包括如下步骤：将双（六氟乙酰丙酮）合铜吸附在扩散阻挡层上，气流量为100-500标准毫升毎分钟；再将二乙基锌吸附在扩散阻挡层上，气流量为100-500标准毫升毎分钟。其优点在于采用ALD方法来生长铜籽晶层，在较低的工艺温度下，每个生长周期只形成约为0.03～1nm左右厚度的薄膜，可以有效地控制铜籽晶层的厚度，具有良好的沟槽填充性能，提电镀铜与铜籽晶层的粘附特性，并保持其在集成电路铜互连应用中的可靠性，为22nm以下工艺技术节点提供了一种理想的互连工艺技术解决方案。

公开(公告)号：CN103413829A

公开(公告)日：2013-11-27

申请号：CN201310340583.8

申请日：2013-08-06

Applicant: 复旦大学

Inventor： 王玮 ,  张春敏 ,  王鹏飞 ,  孙清清 ,  张卫

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明属于20纳米以下半导体器件技术领域，具体涉及一种隧穿晶体管器件及其制造方法。本发明的U型的围栅隧穿晶体管器件，将多栅结构与U型沟槽结构结合在一起，使栅电极在三个方向包裹住电流沟道，可以得到更小的关断电流，同时，使栅电极包围源区，增加了源区和栅电极重叠的面积，进而增加了线性隧穿的面积，从而可以得到更大的开启电流。进一步地，本发明对原有的FinFET工艺加以改进以适应U型沟槽的形成，使得U型的围栅隧穿晶体管器件可以得到更广泛的应用。

公开(公告)号：CN103325729A

公开(公告)日：2013-09-25

申请号：CN201310235894.8

申请日：2013-06-16

Applicant: 复旦大学

Inventor： 卢红亮 ,  谢章熠 ,  张卫

IPC: H01L21/768

Abstract: 本发明属于微电子领域工艺技术领域，具体涉及以原子层淀积技术实现铜互连的结构和合金以及其制备流程。本发明在传统氮化钽/钽扩散阻挡层基础上，利用原子层淀积（ALD）技术实现钌/铜（Ru/Cu）合金实现金属互连。传统的氮化钽/钽（TaN/Ta）扩散阻挡层淀积在刻蚀阻挡层和低介电常数填充物之上。扩散阻挡层同样采用原子层淀积技术实现以保证工艺流程的连续性和一致性。该方法借助了原子层淀积技术的优势，可以精确控制钌/铜合金的组分比，同时不失钌作为铜的籽晶层的作用。本发明不仅可以保证金属与扩散阻挡层的粘附，而且可以通过原子层淀积的工艺参数任意调节合金的组分比，以达到合适的性能。

公开(公告)号：CN103258734A

公开(公告)日：2013-08-21

申请号：CN201310181432.2

申请日：2013-05-16

Applicant: 复旦大学

Inventor： 丁士进 ,  丁子君 ,  谭再上 ,  张卫

IPC: H01L21/314 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明属于超大规模集成电路制造技术领域，具体为一种SiCOH薄膜及其制备方法。本发明以[2-(7-氧杂二环[4.1.0]庚-3-基)乙基]硅烷为前驱体，采用溶胶、凝胶工艺制备SiCOH薄膜，所得薄膜介电常数为3.8-4.1，在1MV/cm的电场强度下漏电流密度为10-5~10-7A/cm2数量级，杨氏模量为4.82GPa，硬度为1.11GPa。该SiCOH薄膜具有合适的介电常数，且该薄膜热稳定性突出，力学性能良好。该绝缘介质薄膜在超大规模集成电路后端互连中，可以用于多孔介电层与帽层或扩散阻挡层之间，起到提高粘结强度以及密封多孔介电层孔结构的作用。

公开(公告)号：CN103219369A

公开(公告)日：2013-07-24

申请号：CN201310098550.7

申请日：2013-03-25

Applicant: 复旦大学

Inventor： 王鹏飞 ,  刘晓勇 ,  张卫

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/778 ,  H01L21/28 ,  H01L21/335

Abstract: 本发明属于高电子迁移率器件技术领域，具体涉及一种低寄生电阻高电子迁移率器件及其制备方法。本发明采用先栅工艺制造高电子迁移率器件，利用栅极侧墙来实现栅极与源极位置的自对准，减小了产品参数的漂移，同时，由于栅极被钝化层保护，可以在栅极形成之后通过外延工艺来形成器件的源极与漏极，降低了源、漏寄生电阻，增强了高电子迁移率器件的电学性能。

公开(公告)号：CN103199162A

公开(公告)日：2013-07-10

申请号：CN201310133708.X

申请日：2013-04-17

Applicant: 复旦大学

Inventor： 卢红亮 ,  谢章熠 ,  王鹏飞 ,  张卫

IPC: H01L33/00

Abstract: 本发明属于发光器件技术领域，具体为一种采用氧化锌调制阳极氧化铝光致发光谱器件及其制备方法。该器件主要由阳极氧化铝和氧化锌相接触，表现出极强的光致发光光谱可调现象。这一结构解决了氧化锌性质不稳定的缺点，并结合了阳极氧化铝多孔结构具有极高的表面积体积比的优势。该器件具有成本低廉，步骤简单，性能稳定的特点。本发明还提出阳极氧化铝从铝薄膜上生长出来，并且可以将铝薄膜和各种半导体工业中的新型高迁移率衬底材料相结合的方法，极大的拓宽了本发明的应用范围。

公开(公告)号：CN103151302A

公开(公告)日：2013-06-12

申请号：CN201310059371.2

申请日：2013-02-26

Applicant: 复旦大学

Inventor： 孙清清 ,  杨雯 ,  王鹏飞 ,  张卫 ,  周鹏

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/285

Abstract: 本发明属于集成电路工艺领域，具体涉及一种利用含氮的等离子体制备低阻钽和氮化钽双层阻挡层的方法。由于α-Ta更容易生长于氮含量丰富的氮化钽层之上，通过用含氮的等离子体对氮化钽层进行处理，可以显著得提升氮化钽层中的氮含量，从而可以在氮化钽层较薄的情况下生长得到低电阻率的α-Ta，以达到制备低阻钽和氮化钽双层阻挡层的目的。相比于传统的通过调整氮化钽生长过程中的工艺参数来调整氮化钽层中的氮含量，本发明所提出的通过用含氮的等离子体对氮化钽层进行处理来提升氮化钽层中的氮含量的整个过程更易操作也更容易控制。