公开(公告)号：CN101652499B

公开(公告)日：2013-09-25

申请号：CN200880011109.8

申请日：2008-04-04

Applicant: 国立大学法人东北大学 ,  东京毅力科创株式会社

Inventor： 大见忠弘 ,  后藤哲也 ,  松冈孝明

IPC: C23C14/35

CPC classification number: C23C14/35 ,  H01J37/3405 ,  H01J37/3455

Abstract: 本发明的目的在于，提供一种通过升高靶子上的瞬时的等离子体密度而提高成膜速度的磁控溅射装置。本发明的磁控溅射装置是如下的磁控溅射装置，其具有被处理基板、与被处理基板相面对地设置的靶子、设置于靶子的与被处理基板相反一侧的旋转磁铁，在靶子表面形成多个等离子体环，并且该等离子体环随着旋转磁铁的旋转而在旋转磁铁的轴向上产生、移动、消除。

公开(公告)号：CN103282701A

公开(公告)日：2013-09-04

申请号：CN201280004505.4

申请日：2012-01-12

Applicant: 国立大学法人东北大学 ,  日本华尔卡工业株式会社

Inventor： 大见忠弘 ,  白井泰雪 ,  佐藤広嗣 ,  内野良则 ,  岩城征道

IPC: F16J15/08

CPC classification number: F16J15/08 ,  F16J15/027 ,  F16J15/0881 ,  F16J15/0893

Abstract: 提供一种能以比现有技术小的紧固力发挥出与现有技术相比同等以上的较高密封性的金属垫片。其是由形成有周向的开口且截面呈大致C字状的环状的外环和嵌装于该外环内侧的环状的内环构成，并通过在安装于构件间的状态下沿上下方向被按压来对构件间进行密封的环状的金属垫片，内环的截面形成为多边形，包括：与外环的内侧面的上侧抵接的上侧角部；与外环的内侧面的下侧抵接的下侧角部；以位于上侧角部与下侧角部之间的方式形成于内环的内周侧的内周侧角部；以及以位于上侧角部与下侧角部之间的方式形成于内环的外周侧的外周侧角部，在上侧角部与内周侧角部及外周侧角部之间、下侧角部与内周侧角部及外周侧角部之间分别形成有内角比180°大的弯曲部。

公开(公告)号：CN103081056A

公开(公告)日：2013-05-01

申请号：CN201180042487.4

申请日：2011-08-30

Applicant: 国立大学法人东北大学

Inventor： 大见忠弘 ,  后藤哲也 ,  石井秀和

IPC: H01J61/06 ,  H01J9/02

CPC classification number: H01J1/30 ,  H01J9/022 ,  H01J61/0675

Abstract: 本发明提供一种阴极体，其具有：作为基体的圆筒形杯（30）；设置在圆筒形杯（30）的表面的具有SiC的阻挡层（303）；以及形成在阻挡层（303）的表面的具有稀土元素的硼化物的膜，该阴极体能够防止基体的成分元素与硼化物的相互扩散。

公开(公告)号：CN101461062B

公开(公告)日：2012-11-21

申请号：CN200780020846.X

申请日：2007-05-31

Applicant: 夏普株式会社 ,  国立大学法人东北大学 ,  矢崎总业株式会社

Inventor： A·O·阿丹 ,  菊田光洋 ,  寺本章伸 ,  大见忠弘 ,  矢部弘男 ,  渡边高训

IPC: H01L27/088 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/336 ,  H01L27/092 ,  H01L21/8234 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L21/823412 ,  H01L21/823456 ,  H01L21/823487 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/82385 ,  H01L21/823885 ,  H01L27/088 ,  H01L27/0922 ,  H01L29/045 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66734

Abstract: 本发明提供一种功率MOS晶体管的导通电阻较低且表层沟道MOS晶体管部分的处理速度较快的、功率IC器件及其制造方法。芯片(2a)表面的面方位为偏离硅的(110)结晶面-8°以上+8°以下的面方位，P沟道型沟槽功率MOS晶体管(10)具有：在芯片(2a)的表面上穿孔形成的沟槽(3)、沟槽(3)内的栅区(11)、沟槽(3)的横壁部分的反型沟区(12)、形成于芯片(2a)的表面层的源区(14)、形成于芯片(2a)的背面层的漏区(13)。表层沟道MOS晶体管(20)具有反型沟区(22)，其中，反型沟道电流的方向为偏离上述硅的 结晶方向-8°以上+8°以下的方向。

公开(公告)号：CN101681817B

公开(公告)日：2012-11-14

申请号：CN200880017388.9

申请日：2008-05-02

Applicant: 国立大学法人东北大学 ,  罗姆股份有限公司 ,  东京毅力科创株式会社 ,  宇部兴产株式会社

Inventor： 大见忠弘 ,  浅原浩和 ,  井口敦智 ,  绵贯耕平

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/511 ,  H01L21/336 ,  H01L21/365 ,  H01L29/786 ,  H01L31/04 ,  H01L33/00

CPC classification number: C23C16/511 ,  C23C16/18 ,  C23C16/45565 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02472 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/7869 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/1828 ,  H01L31/184 ,  H01L31/1884 ,  H01L31/206 ,  H01L33/0066 ,  H01L33/0087 ,  H01L33/02 ,  H01L2924/0002 ,  Y02E10/543 ,  Y02E10/544 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明通过向由微波激发的低电子温度高密度等离子体中供给有机金属系材料气体，在作为成膜对象物的基板上形成化合物的薄膜。此时，有机金属系材料气体的供给系统利用有机金属系材料气体的蒸气压和温度的关系进行温度控制。

公开(公告)号：CN101785095B

公开(公告)日：2012-11-07

申请号：CN200880103633.8

申请日：2008-08-14

Applicant: 国立大学法人东北大学 ,  东京毅力科创株式会社 ,  宇部兴产株式会社 ,  宇部日东化成株式会社

Inventor： 大见忠弘 ,  松冈孝明 ,  井口敦智 ,  绵贯耕平 ,  小池匡 ,  足立龙彦

IPC: H01L21/76 ,  H01L21/312 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/08 ,  H01L27/092

CPC classification number: H01L21/02255 ,  H01L21/02118 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/022 ,  H01L21/3121 ,  H01L21/316 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76828 ,  H01L21/76835 ,  H01L21/76897 ,  H01L21/823425 ,  H01L21/823475 ,  H01L21/823481 ,  H01L21/823871 ,  H01L21/823878 ,  H01L23/53295 ,  H01L24/19 ,  H01L24/96 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供半导体器件及其制造方法。在包含浅沟槽元件分离区域、多层结构的层间绝缘膜的半导体器件的制造工序中，需要反复使用CMP，然而由于CMP本身成本高，因此CMP的反复使用导致制造成本上升。作为浅沟槽(ST)元件分离区域中所用的绝缘膜和/或最下层的层间绝缘膜，使用可以利用旋转涂布来涂布的绝缘性涂布膜。该绝缘性涂布膜具有以((CH3)nSiO2-n/2)x(SiO2)1-x(其中，n＝1～3、0≤x≤1.0)表示的组成，通过选择热处理条件，形成比介电常数k不同的膜。另外，通过将绝缘性涂布膜完全地改性为SiO2膜，可以形成STI元件分离区域，通过设为不完全改性的状态，可以形成比介电常数k小的层间绝缘膜。

公开(公告)号：CN101208641B

公开(公告)日：2012-11-07

申请号：CN200680023200.2

申请日：2006-06-22

Applicant: 株式会社富士金 ,  国立大学法人东北大学 ,  东京毅力科创株式会社

Inventor： 大见忠弘 ,  斋藤雅仁 ,  日野昭一 ,  岛津强 ,  三浦和幸 ,  西野功二 ,  永濑正明 ,  杉田胜幸 ,  平田薰 ,  土肥亮介 ,  广濑隆 ,  筱原努 ,  池田信一 ,  今井智一 ,  吉田俊英 ,  田中久士

IPC: G05D7/00 ,  G01F1/42 ,  G01F1/00 ,  G01F7/00

CPC classification number: G05D7/0641 ,  G01F1/363 ,  G01F1/6842 ,  G01F1/6847 ,  G01F5/005 ,  G01F7/005 ,  G05D7/0635 ,  G05D7/0647 ,  G05D23/1927 ,  Y10T137/0379 ,  Y10T137/7759 ,  Y10T137/776 ,  Y10T137/8593 ,  Y10T137/86734 ,  Y10T137/86815 ,  Y10T137/87265 ,  Y10T137/87314 ,  Y10T137/8741 ,  Y10T137/87499 ,  Y10T137/87684

Abstract: 本发明涉及一种流量范围可变型流量控制装置，通过一台流量控制装置也能对较广的流量区域的流体进行高精度的流量控制，从而可实现流量控制装置的小型化和设备费用的降低。具体而言，在使用节流孔上游侧压力P1以及或者节流孔下游侧压力P2而以Qc＝KP1(K为比例常数)或者Qc＝KP2m(P1-P2)n(K为比例常数、m和n为常数)运算在节流孔(8)中流通的流体的流量的压力式流量控制装置中，将该压力式流量控制装置的控制阀的下游侧与流体供给用管路之间的流体通路设置为至少两个以上的并列状的流体通路，并且向上述各并列状的流体通路分别设置流体流量特性不同的节流孔，在小流量区域的流体的流量控制时使上述小流量区域的流体向一方的节流孔流通，此外，在大流量区域的流体的流量控制时使上述大流量区域的流体向另一方的节流孔切换并流通。

公开(公告)号：CN102575341A

公开(公告)日：2012-07-11

申请号：CN201080045493.0

申请日：2010-10-07

Applicant: 国立大学法人东北大学 ,  罗姆股份有限公司 ,  东京毅力科创株式会社

Inventor： 大见忠弘 ,  浅原浩和 ,  井口敦智

IPC: C23C16/40 ,  C23C16/511 ,  H01L21/365 ,  H01L33/42

CPC classification number: C23C16/407 ,  C23C16/308 ,  C23C16/40 ,  C23C16/56 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02472 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/0087 ,  H01L33/28

Abstract: 本发明的课题为稳定地形成N掺杂的ZnO系化合物薄膜。在本发明中，通过将含氧和氮的气体以及氮气与有机金属系材料气体一起供给至由微波激发的低电子温度高密度等离子体中，在作为成膜对象物的基板上形成N掺杂的ZnO系化合物薄膜。

公开(公告)号：CN101802987B

公开(公告)日：2012-03-21

申请号：CN200880106579.2

申请日：2008-09-05

Applicant: 国立大学法人东北大学 ,  宇部兴产株式会社 ,  宇部日东化成株式会社

Inventor： 大见忠弘 ,  藤村诚 ,  小池匡 ,  番场昭典 ,  小林章洋 ,  绵贯耕平

IPC: H01L21/336 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/28 ,  H01L21/306 ,  H01L21/3205 ,  H01L29/786

CPC classification number: H05K3/048 ,  H01L21/0331 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/66765 ,  H05K1/0306 ,  H05K3/107 ,  H05K2201/0166 ,  H05K2201/0175

Abstract: 电子器件的制造方法，在基板上形成的透明树脂膜中，选择性地埋设用于形成栅极的金属膜，在栅极部分通过溅射将金属膜直接形成在基板上，而在栅极部分以外的部分则通过溅射将金属膜形成在绝缘性涂布膜上。随着绝缘性涂布膜被蚀刻去除，绝缘性涂布膜上的金属膜通过化学剥离被去除。本发明提供一种在具有超大面积的基板上均匀形成导体层的制造电子器件的方法。

公开(公告)号：CN101796615B

公开(公告)日：2012-03-21

申请号：CN200880106109.6

申请日：2008-08-21

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  国立大学法人东北大学

Inventor： 石桥清隆 ,  大见忠弘 ,  后藤哲也 ,  桶作正广

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/455 ,  C23C16/511 ,  H01L21/3065

CPC classification number: C23C16/45565 ,  C23C16/50 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32449 ,  Y10T83/0481

Abstract: 公开的顶板设置在内部能够抽成真空的等离子体处理装置的处理容器的顶部的开口部处并被一体化，所述顶板包括：多个气体通路，沿顶板的平面方向形成；以及气体喷出孔，与多个气体通路连通并在顶板的面对处理容器内部的第一面上开口。