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公开(公告)号：CN100399509C
公开(公告)日：2008-07-02
申请号：CN200510012105.X
申请日：2005-07-07
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种以原位垂直超晶格为模板定位生长量子线或点的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：选择一衬底；步骤2：在该衬底的邻位面上用分子束外延工艺生长铟铝砷或铟镓砷材料的缓冲层；步骤3：生长完缓冲层后在砷压保护下停顿2～5分钟；步骤4：然后进行砷化铟量子线或点层的生长，完成以原位形成的垂直超晶格为模板定位生长量子线或点。
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公开(公告)号：CN100372775C
公开(公告)日：2008-03-05
申请号：CN200510076326.3
申请日：2005-06-14
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: C01G9/02
Abstract: 一种制备氧化锌一维纳米材料的方法，其特征在于，其制备方法如下：(1)将等摩尔的无机锌盐和硫化钠分别加入到水/醇的二元溶液中，搅拌形成均匀溶液；(2)在搅拌条件下，将硫化钠溶液逐滴加入到无机锌盐溶液中，反应形成硫化锌沉淀；(3)将生成的沉淀分别用去离子水和有机醇洗涤、干燥；(4)将干燥后的硫化锌氧化，获得氧化锌一维纳米材料。
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公开(公告)号：CN100364050C
公开(公告)日：2008-01-23
申请号：CN200510084357.3
申请日：2005-07-19
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种砷化镓衬底上制备纳米尺寸坑的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：以半绝缘砷化镓单晶片为衬底；步骤2：异质外延生长砷化铟应变自组装纳米点；步骤3：外延砷化镓薄层，使其部分覆盖上述砷化铟纳米点；步骤4：第一次退火；步骤5：衬底温度降温至400℃以下；步骤6：衬底温度升温到500-530℃；步骤7：第二次退火，在砷化镓衬底上形成纳米尺寸坑。
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公开(公告)号：CN1332062C
公开(公告)日：2007-08-15
申请号：CN200410044605.7
申请日：2004-05-14
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: C23C14/28
Abstract: 本发明涉及一种低能氧离子束辅助脉冲激光沉积氧化物薄膜的方法，其特征在于：氧化物薄膜材料的沉积生长步骤如下：将氧化物靶材及清洗后的衬底置入生长室；将生长室抽真空；利用脉冲激光辐照氧化物靶材，同时用低能离子束装置产生的低能氧离子束轰击衬底，低能氧离子束起辅助生长与补充脉冲激光沉积法制备氧化物薄膜过程中缺失的氧的作用。
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公开(公告)号：CN101017864A
公开(公告)日：2007-08-15
申请号：CN200610003071.2
申请日：2006-02-08
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L33/00 , H01L31/0248 , H01L31/18 , H01L29/02 , H01L21/20
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种具有超薄碳化硅中间层的硅基可协变衬底，其特征在于，包括如下几部分：一硅衬底，该硅衬底起支撑的作用；一超薄3C－SiC中间层，该超薄3C－SiC中间层制备在硅衬底上，起失配应变协调的作用，并与硅衬底一起构成硅基可协变衬底；一外延层，该外延层制备在超薄3C－SiC中间层上，并与底部硅衬底有较大晶格失配。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1880227A
公开(公告)日：2006-12-20
申请号：CN200510076326.3
申请日：2005-06-14
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: C01G9/02
Abstract: 一种制备氧化锌一维纳米材料的方法，其特征在于，其制备方法如下：(1)将等摩尔的无机锌盐和硫化钠分别加入到水/醇的二元溶液中，搅拌形成均匀溶液；(2)在搅拌条件下，将硫化钠溶液逐滴加入到无机锌盐溶液中，反应形成硫化锌沉淀；(3)将生成的沉淀分别用去离子水和有机醇洗涤、干燥；(4)将干燥后的硫化锌氧化，获得氧化锌一维纳米材料。
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公开(公告)号：CN1832102A
公开(公告)日：2006-09-13
申请号：CN200510054469.4
申请日：2005-03-10
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明一种利用砷化铟－铟铝砷叠层点制备砷化铟纳米环的生长方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：以半绝缘砷化镓单晶片为衬底；步骤2：在该衬底上异质外延生长铟铝砷层；步骤3：在该铟铝砷上外延生长砷化铟叠层；步骤4：在该砷化铟叠层上外延生长砷化镓薄盖层；步骤5：退火，砷化铟叠层脱缚，完成砷化铟纳米环的生长。
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公开(公告)号：CN1796595A
公开(公告)日：2006-07-05
申请号：CN200410101884.6
申请日：2004-12-30
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明提供一种制备二元稀土化合物薄膜材料的方法。利用低能双离子束沉积设备的质量分离功能与荷能离子沉积特点，以纯度要求不高的稀土氯化物作为I束伯纳斯型固体离子源的原材料，产生一束同位素纯低能稀土元素离子，并与II束伯纳斯型气体离子源产生的与之化合的另一同位素纯低能离子在超高真空生长室内交替沉积生长，通过准确控制参与生长的同位素纯低能离子的能量、束斑形状、束流剂量和配比及生长温度，实现了难提纯、高熔点、易氧化及难化合的二元稀土化合物薄膜的高纯、高效优质生长及低温外延。本发明可制备的稀土薄膜材料范围广，且生长工艺便于调控和优化，是一种制备半导体技术领域或其他领域应用的稀土薄膜材料的经济实用方法。
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公开(公告)号：CN1778984A
公开(公告)日：2006-05-31
申请号：CN200410009815.2
申请日：2004-11-18
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: C23C14/24 , C23C14/06 , C23C14/02 , H01L21/3205 , H01L21/318
Abstract: 本发明提供一种利用离子束外延(IBE)生长设备制备氮化锆(ZrN)薄膜材料的方法。在具有质量分离功能与荷能离子沉积特点的双离子束外延生长设备上，选用纯度要求不高的氯化锆(ZrCl4)固体粉末和氮气(N2)分别作为产生同位素纯低能金属锆离子(Zr+)束和氮离子(N+)束的原材料，通过准确控制参与生长的两种同位素纯低能离子的交替沉积束流剂量与配比、离子能量、离子束斑形状及生长温度，在超高真空生长室内，实现了氮化锆(ZrN)薄膜的低成本高纯、正化学配比的优质生长与低温外延。本发明的生长工艺便于调控和优化，是一种经济实用的制备应用于半导体技术领域的氮化锆(ZrN)薄膜材料的方法。
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公开(公告)号：CN1225035C
公开(公告)日：2005-10-26
申请号：CN02147587.3
申请日：2002-10-17
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种自组织量子点为有源区的超辐射发光管，其中包括：一上限制层；一上渐变折射率波导层制作在上限制层的下面；一自组织量子点有源区制作在上渐变折射率波导层的下面；一下渐变折射率波导层制作在量子点有源区的下面；一下限制层制作在下渐变折射率波导层的下面；一在下限制层的下面的衬底；一层介质膜淀积在上限制层上，在介质膜上腐蚀出倾斜的条形电流注入区；其中该自组织量子点有源区包括：5个周期的量子点；在该5个周期的铟砷量子点的上面均有一层应力缓冲层，在每一缓冲层与其上面一层量子点之间均有一层间隔层，在最下面一层量子点的下面和最上面一层缓冲层的上面均有一层盖层。
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