公开(公告)号：CN114220781A

公开(公告)日：2022-03-22

申请号：CN202111582705.5

申请日：2021-12-22

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 ,  珠海零边界集成电路有限公司

Inventor： 林苡任 ,  葛孝昊 ,  谢梓翔 ,  曾丹

IPC: H01L23/373 ,  H01L23/492 ,  H01L23/498 ,  H01L21/48 ,  H01L21/60

Abstract: 本申请涉及电路基板及制备方法及绝缘栅双极型晶体管模块。其中，绝缘栅双极型晶体管模块包括电路基板和功率芯片，电路基板与功率芯片之间设置有焊料层，电路基板包括沿远离功率芯片的方向依次层叠设置的第一导热层、第二导热层和第三导热层，功率芯片通过焊料层与第一导热层连接；焊料层与第一导热层之间形成有第一热扩散角，第二导热层与第三导热层之间形成有第二热扩散角；第一热扩散角大于第二热扩散角，第一导热层的厚度大于第三导热层的厚度；或第一热扩散角小于第二热扩散角，第一导热层的厚度小于第三导热层的厚度。本申请的设置提高了绝缘栅双极型晶体管模块的散热效果，降低了各层材料发生松弛甚至裂纹的几率。

公开(公告)号：CN114122152A

公开(公告)日：2022-03-01

申请号：CN202010904608.2

申请日：2020-09-01

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 ,  珠海零边界集成电路有限公司

Inventor： 林苡任 ,  史波 ,  陈道坤 ,  曾丹

IPC: H01L29/872 ,  H01L21/329 ,  H01L29/06

Abstract: 本申请提供一种制备肖特基结构二极管的方法、装置和二极管，用于在不增加肖特基结构二极管体积的前提下，降低肖特基结构二极管的正向导通损耗，减少肖特基势垒分布不均匀的情况。该方法包括：在碳化硅衬底的外延层上生长电子扩展层，其中，所述电子扩展层的电阻率小于所述外延层的电阻率；在所述电子扩展层上划分有源区和非有源区，分别针对所述有源区和所述非有源区进行离子注入；生成肖特基结构二极管。

公开(公告)号：CN112397388B

公开(公告)日：2022-01-28

申请号：CN201910760385.4

申请日：2019-08-16

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 刘勇强 ,  曾丹 ,  肖婷 ,  敖利波 ,  史波

IPC: H01L21/329 ,  H01L29/861

Abstract: 本发明涉及一种二极管及其制备方法。该二极管的制备方法包括以下步骤：提供表面形成有外延层的衬底，所述外延层的表面包括主结区和包围所述主结区的非主结区；在所述非主结区的表面形成隔离层，并形成与所述主结区位置对应的主结槽；对所述主结槽的底面进行扩铂处理；在所述扩铂处理后的所述主结槽的底面形成电阻层，得到中间器件；其中，所述电阻层在所述主结区的投影面积小于所述主结区的面积；在所述中间器件的正面形成与所述主结区连接并与所述电阻层绝缘设置的阳极，和位于所述电阻层的表面且与所述阳极绝缘设置的电阻电极；在所述中间器件的背面形成阴极。利用该制备方法以解决主结区扩铂不完全，且电阻层电阻值难以控制的问题。

公开(公告)号：CN112310226B

公开(公告)日：2022-01-28

申请号：CN201910691503.0

申请日：2019-07-29

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 刘勇强 ,  曾丹 ,  敖利波 ,  肖婷 ,  史波

IPC: H01L29/861 ,  H01L29/06 ,  H01L21/329

Abstract: 本发明提供一种快恢复二极管，涉及二极管领域。该快恢复二极管，包括：衬底层；N型外延层，位于所述衬底层表面；P型注入区，位于所述衬底层表面，且设置于所述N型外延层的侧部；扩散区，位于所述N型外延层的顶部区域，与P型注入区分隔设置。利用该快恢复二极管能够解决现有技术中采用扩铂工艺降低快恢复二极管反向恢复时间时容易导致其正向导通压降高的问题，通过改变快恢复二极管的结构达到降低快恢复二极管反向恢复时间的目的。

公开(公告)号：CN113764293A

公开(公告)日：2021-12-07

申请号：CN202110989720.5

申请日：2021-08-26

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 ,  珠海零边界集成电路有限公司

Inventor： 梁赛嫦 ,  吴佳蒙 ,  郭依腾 ,  曾丹

IPC: H01L21/56 ,  H01L21/67 ,  H01L21/68

Abstract: 本发明公开了一种晶圆上芯方法、装置、存储介质和电子设备。该方法包括：获取到待上芯的目标晶圆和目标晶圆的晶圆图，其中，晶圆图包括有目标晶圆中的芯片的标志；根据晶圆图中的特殊芯片标志和/或边缘芯片标志将目标晶圆和晶圆图对齐；在对齐目标晶圆和晶圆图后，根据晶圆图中的良品芯片标志封装目标晶圆中的良品芯片。本发明解决了晶圆上芯准确度低的技术问题。

公开(公告)号：CN113690195A

公开(公告)日：2021-11-23

申请号：CN202111088688.X

申请日：2021-09-16

Applicant: 珠海零边界集成电路有限公司 ,  珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 吴佳蒙 ,  曾丹 ,  郭依腾 ,  梁赛嫦

IPC: H01L23/13 ,  H01L21/48 ,  H01L23/367

Abstract: 本申请涉及电力电子技术领域，具体而言，提供了一种封装框架、封装结构及封装框架的制备方法，该所述框架包括相对设置的第一表面和第二表面，第一表面上设置有安装部，安装部的第三表面与待安装件连接，第一表面和第三表面之间存在第一方向上的间距，且安装部边缘与待安装件的周侧具有第二方向的间距。本发明提供了一种通过第一表面和第三表面之间在第一方向上间距的设置，限制焊料的位置，将待安装件安装于第三表面时多余的焊料会朝向远离待安装件的侧边运动，通过安装部边缘与待安装件的周侧具有第二方向的间距，使得待安装件安装后其周侧不会与其他部件相接触，改善了在框架上安装待安装件时发生的爬胶和溢胶的现象，提高器件封装良率。

公开(公告)号：CN113437132A

公开(公告)日：2021-09-24

申请号：CN202010206337.3

申请日：2020-03-23

Applicant: 珠海零边界集成电路有限公司 ,  珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 陈道坤 ,  史波 ,  曾丹 ,  马颖江

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/868 ,  H01L29/872 ,  H01L21/329

Abstract: 本发明涉及半导体器件技术领域，公开了一种碳化硅功率二极管及其制备方法，该碳化硅功率二极管包括衬底、漂移层和第一欧姆金属层，漂移层形成于衬底一侧的表面，漂移层远离衬底的表面具有有源区，有源区包括间隔的多个第一P+注入区和间隔的多个第二P+注入区，各第一P+注入区的结深大于各第二P+注入区的结深，且漂移层上各第一P+注入区背离衬底的一侧均为豁口结构；第一欧姆金属层与第一P+注入区一一对应，各第一欧姆金属层位于对应的豁口结构中，并与对应的第一P+注入区欧姆接触。该碳化硅功率二极管及其制备方法能够提高碳化硅结势垒肖特基二极管的抗浪涌电流能力。

公开(公告)号：CN113394114A

公开(公告)日：2021-09-14

申请号：CN202010164755.0

申请日：2020-03-11

Applicant: 珠海零边界集成电路有限公司 ,  珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 江伟 ,  史波 ,  曾丹 ,  敖利波 ,  肖婷 ,  曹俊 ,  马颖江

IPC: H01L21/48 ,  H01L21/56 ,  H01L23/495 ,  H01L25/18

Abstract: 本申请涉及智能功率模块技术领域，公开了一种芯片的封装方法、一种芯片及电子器件，封装方法包括：提供已切割的晶圆以制备功率半导体芯片，功率半导体芯片包括栅极、第一发射极和第二发射极；在栅极和第一发射极表面贴附高温胶膜；将功率半导体芯片安装于电子封装基板上；将电子封装基板与导线框架进行组装，实现各部件之间的电连接；在导线框架上安装驱动控制芯片，并实现电连接；去除高温胶膜；实现驱动控制芯片的驱动电极与栅极的连接、以及第一发射极与导线框架的连接；进行塑封、后固化、去胶、电镀以及切筋。本申请公开的封装方法，够防止导线框架与芯片结合过程中产生的污染栅极问题，增强了栅极焊线的可靠性。

公开(公告)号：CN113066720A

公开(公告)日：2021-07-02

申请号：CN202110296226.0

申请日：2021-03-19

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 林苡任 ,  史波 ,  陈道坤 ,  曾丹

IPC: H01L21/324 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明涉及半导体领域，公开一种碳化硅衬底退火工艺及碳化硅衬底退火设备，一种碳化硅衬底退火工艺，具体包括：将双层掩蔽层放置于需退火的碳化硅衬底一侧，以遮蔽碳化硅衬底表面，且双层掩蔽层与碳化硅衬底之间的距离D满足：0μm＜D≤300μm；对碳化硅衬底进行退火处理。碳化硅衬底和双层掩蔽层之间的间距可以调整，进而达到改善碳化硅衬底表面粗糙度的目的。因此，碳化硅衬底退火结束后无需复杂的掩蔽层去除工艺，只需直接将双层掩蔽层拿走即可，从而在保证相同效果的情况下优化工艺来实现工艺成本的降低。

公开(公告)号：CN112652661A

公开(公告)日：2021-04-13

申请号：CN201910959540.5

申请日：2019-10-10

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 刘勇强 ,  曾丹 ,  敖利波 ,  薛勇 ,  张祎龙 ,  陈道坤 ,  史波

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明涉及一种晶体管及其制备方法，包括依次贴合连接的金属漏极、衬底和外延层以及嵌设于所述外延层的正面结构；所述外延层内设有金属夹层，所述正面结构从所述外延层的正面向内延伸至穿过所述金属夹层。通过在外延层内设置金属夹层，金属夹层作为杂质原子掺杂在外延层内，而且正面结构嵌设入外延层内后穿过金属夹层，因此杂质原子可以形成复合中心，复合中心使晶体管内的非平衡载流子的复合过程从传统的直接复合改变为间接复合，这样减少了载流子的复合时间，进而减小了晶体管的反向恢复时间。