公开(公告)号：CN100550410C

公开(公告)日：2009-10-14

申请号：CN200510108747.X

申请日：2005-09-29

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 坂仓真之 ,  山崎舜平

IPC: H01L27/32 ,  H01L27/15 ,  H01L21/82 ,  H05B33/12 ,  H05B33/04 ,  H05B33/10

CPC classification number: H01L29/78636 ,  G09G3/3225 ,  G09G3/3233 ,  G09G2300/0842 ,  G09G2300/0861 ,  G09G2310/0251 ,  G09G2310/0262 ,  H01L27/1218 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/3244 ,  H01L27/3246 ,  H01L27/3248 ,  H01L27/3258 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78654 ,  H01L33/0041 ,  H01L51/5246 ,  H01L51/56

Abstract: 本发明将提供发光元件下部产生的凹凸对发光元件无坏影响的显示器件的制造方法作为课题。或者将提供能减小水通过透潮性大的膜渗入显示器件内部而工序数不大量增加的显示器件的制造方法作为课题。或者将提供可同时满足该两个课题要求的显示器件及其制造方法作为课题。能解决所述课题的本发明显示器件在衬底上形成的绝缘表面上具有薄膜晶体管和发光元件，发光元件将发光叠层体夹在第1电极与第2电极之间，在薄膜晶体管上形成的第1绝缘膜上形成第1电极，并且在第1电极和绝缘膜之间与第1电极对应地形成第1平坦化膜。

公开(公告)号：CN101515571A

公开(公告)日：2009-08-26

申请号：CN200910132593.6

申请日：2005-03-25

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 坂仓真之 ,  高桥修平 ,  池田佳寿之 ,  二村智哉

IPC: H01L21/84 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L21/31 ,  H05B33/10

CPC classification number: H01L51/5253 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/3244 ,  H01L27/3248 ,  H01L27/3258 ,  H05B33/04

Abstract: 本发明的一个目的是提供光发射装置的一种结构和制造方法，其降低保留在光发射装置内的水的量。本发明的另一个目的是提供一种光发射装置的结构和制造方法，其抑制光发射装置由于保留在光发射装置内的水而引起的恶化。本发明的光发射装置包括薄膜晶体管，覆盖薄膜晶体管的绝缘层，通过绝缘层上形成的接触孔而电连接至薄膜晶体管的电极，通过将光发射层置于电连接至第二电极的第一电极和第二电极之间而形成的光发射元件。该光发射装置进一步包括仅在电极和第一电极之间的绝缘层上，由与绝缘层不同的材料形成的层，和绝缘层。

公开(公告)号：CN101499477A

公开(公告)日：2009-08-05

申请号：CN200810185584.9

申请日：2006-02-17

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 坂仓真之 ,  野田刚司 ,  桑原秀明 ,  山崎舜平

IPC: H01L27/12 ,  H01L29/786 ,  H01L29/24 ,  H01L27/32

CPC classification number: H01L27/3244 ,  H01L27/322 ,  H01L27/3248 ,  H01L51/0011 ,  H01L51/5052 ,  H01L51/5206 ,  H01L51/5209 ,  H01L51/5218 ,  H01L51/56 ,  H01L2251/5315

Abstract: 本发明涉及半导体器件及其制造方法。本发明提供一种在制造有源矩阵型发光器件时，能够在比常规更短的时间内实现以低成本和高成品率制造的结构和方法。在本发明中，作为和在有源矩阵型发光器件的像素部分上排列的TFT的半导体层连接或电连接而形成的金属电极采用叠层结构，而且对该金属电极进行部分地蚀刻。然后，该部分地被蚀刻了的金属电极用作发光元件的第一电极，并在其上形成缓冲层、含有机化合物的层和第二电极。

公开(公告)号：CN101483186A

公开(公告)日：2009-07-15

申请号：CN200810186334.7

申请日：2004-08-27

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 土屋薰 ,  安西彩 ,  坂仓真之 ,  永井雅晴 ,  松田丰

IPC: H01L27/32 ,  H01L27/15 ,  H01L51/50 ,  H01L51/52 ,  H01L33/00 ,  H01L23/00

CPC classification number: H01L33/52 ,  H01L27/3244 ,  H01L27/3276 ,  H01L51/5246 ,  H01L2251/5323 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的目的就是提供这样一种密封结构，其阻止了作为破坏因素的材料例如水或者氧气从外部进入，并且在显示器中使用有机或无机场致发光元件的显示器中可以获得足够的可靠性。鉴于上述目的，关注层间绝缘膜的渗透性，根据本发明，通过阻止水从层间绝缘膜的进入，抑制了场致发光元件的损坏并且获得了足够的可靠性。

公开(公告)号：CN100459184C

公开(公告)日：2009-02-04

申请号：CN200410082283.5

申请日：2004-08-27

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 土屋薰 ,  安西彩 ,  坂仓真之 ,  永井雅晴 ,  松田丰

IPC: H01L33/00 ,  H01L27/15 ,  H05B33/12 ,  H05B33/04

CPC classification number: H01L33/52 ,  H01L27/3244 ,  H01L27/3276 ,  H01L51/5246 ,  H01L2251/5323 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的目的就是提供这样一种密封结构，其阻止了作为破坏因素的材料例如水或者氧气从外部进入，并且在显示器中使用有机或无机场致发光元件的显示器中可以获得足够的可靠性。鉴于上述目的，关注层间绝缘膜的渗透性，根据本发明，通过阻止水从层间绝缘膜的进入，抑制了场致发光元件的损坏并且获得了足够的可靠性。

公开(公告)号：CN1893058A

公开(公告)日：2007-01-10

申请号：CN200610095737.1

申请日：2006-06-28

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  坂仓真之 ,  宮崎彩

IPC: H01L23/522

Abstract: 本发明是的半导体器件包括：第一导电层；第二导电层；形成在第一导电层和第二道电层之间，并且具有接触孔的绝缘层；以及连接到第一导电层和第二导电层，并且至少端部的一部分形成在接触孔内侧的第三导电层。在第二导电层和第三导电层彼此连接的接触孔附近，第三导电层不中间夹着第一绝缘层重叠于第二导电层，所以第三导电层的端部不形成在第一绝缘层上。因此，可以减少第三导电层的凹凸。

公开(公告)号：CN1728900A

公开(公告)日：2006-02-01

申请号：CN200510087905.8

申请日：2005-07-29

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  村上智史 ,  仓田求 ,  畑宏幸 ,  一条充弘 ,  大槻高志 ,  安西彩 ,  坂仓真之

IPC: H05B33/12 ,  H05B33/08 ,  H05B33/14 ,  H05B33/10

CPC classification number: H04N5/655 ,  G06F3/02 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1222 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/3244 ,  H01L27/3258 ,  H01L27/3276 ,  H01L33/60 ,  H01L51/0005 ,  H01L51/5246 ,  H01L51/56 ,  H01L2224/4847 ,  H01L2227/323 ,  H01L2251/5323 ,  H04N5/642

Abstract: 本发明提供一种以高产率、低成本制造高度可靠的显示器件的方法。根据本发明，由在接触中的开口引起的台阶被一绝缘层覆盖以降低台阶，并且将其处理成柔和的形状。布线等被形成为与绝缘层接触，因此布线等的覆盖增强。此外，由污染比如水引起的光发射元件的劣化通过以密封材料密封在显示器件中包括具有水渗透性的有机材料的层来防止。由于密封材料形成在显示器件中的驱动器电路区的一部分中，因此可以使显示器件的帧边框变窄。

公开(公告)号：CN1700825A

公开(公告)日：2005-11-23

申请号：CN200510073702.3

申请日：2005-05-20

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  大沼英人 ,  安西彩 ,  坂仓真之 ,  乡戶宏充

IPC: H05B33/12 ,  H05B33/08 ,  H05B33/02 ,  H05B33/22

CPC classification number: H01L27/3244 ,  H01L27/3248 ,  H01L27/3258 ,  H01L51/5262

Abstract: 本发明的目的在于提供一种发光器件，其中使得取决于观察发射的光所通过的表面的角度的发射光谱的变化减小。本发明的发光器件包括形成在衬底上的第一绝缘层、形成在第一绝缘层上的第二绝缘层以及形成在第二绝缘层上的半导体层。另外，形成栅绝缘层以覆盖第二绝缘层和半导体层。栅电极形成在栅绝缘层上。形成第一层间绝缘层以覆盖栅绝缘层和栅电极。开口形成在第一层间绝缘层、栅绝缘层和第二绝缘层中。形成第二层间绝缘层以覆盖第一绝缘层和开口。发光元件形成在开口上。

公开(公告)号：CN1570996A

公开(公告)日：2005-01-26

申请号：CN200410045160.4

申请日：2004-04-23

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 坂仓真之 ,  长尾里筑子 ,  纳光明 ,  安西彩 ,  山崎优 ,  棚田好文

IPC: G09F9/30

CPC classification number: H01L27/3276 ,  H01L27/12

Abstract: 一种具有高清晰度的显示器件，其中由于布线中的电压降引起的显示不均匀和TFT特性差异引起的显示不均匀被抑制。本发明的显示器件包括用于传输视频信号的第一布线和用于向发光元件提供电流的第二布线。第一和第二布线彼此平行延伸，并形成为至少部分重叠绝缘层插在其间。