公开(公告)号：CN101515571A

公开(公告)日：2009-08-26

申请号：CN200910132593.6

申请日：2005-03-25

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 坂仓真之 ,  高桥修平 ,  池田佳寿之 ,  二村智哉

IPC: H01L21/84 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L21/31 ,  H05B33/10

CPC classification number: H01L51/5253 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/3244 ,  H01L27/3248 ,  H01L27/3258 ,  H05B33/04

Abstract: 本发明的一个目的是提供光发射装置的一种结构和制造方法，其降低保留在光发射装置内的水的量。本发明的另一个目的是提供一种光发射装置的结构和制造方法，其抑制光发射装置由于保留在光发射装置内的水而引起的恶化。本发明的光发射装置包括薄膜晶体管，覆盖薄膜晶体管的绝缘层，通过绝缘层上形成的接触孔而电连接至薄膜晶体管的电极，通过将光发射层置于电连接至第二电极的第一电极和第二电极之间而形成的光发射元件。该光发射装置进一步包括仅在电极和第一电极之间的绝缘层上，由与绝缘层不同的材料形成的层，和绝缘层。