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公开(公告)号：CN1700825A
公开(公告)日：2005-11-23
申请号：CN200510073702.3
申请日：2005-05-20
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L27/3244 , H01L27/3248 , H01L27/3258 , H01L51/5262
Abstract: 本发明的目的在于提供一种发光器件，其中使得取决于观察发射的光所通过的表面的角度的发射光谱的变化减小。本发明的发光器件包括形成在衬底上的第一绝缘层、形成在第一绝缘层上的第二绝缘层以及形成在第二绝缘层上的半导体层。另外，形成栅绝缘层以覆盖第二绝缘层和半导体层。栅电极形成在栅绝缘层上。形成第一层间绝缘层以覆盖栅绝缘层和栅电极。开口形成在第一层间绝缘层、栅绝缘层和第二绝缘层中。形成第二层间绝缘层以覆盖第一绝缘层和开口。发光元件形成在开口上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1697576A
公开(公告)日：2005-11-16
申请号：CN200510070260.7
申请日：2005-05-13
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L51/5262 , H01L27/1248 , H01L27/3244 , H01L27/3248 , H01L27/3258
Abstract: 在用于制造具有发光元件的显示器件的方法中，第一基底绝缘膜、第二基底绝缘膜、半导体层、以及栅绝缘膜按所述顺序被形成在衬底上。栅电极被形成在栅绝缘膜上以便于与半导体层的至少一部分重叠，并且作为栅绝缘膜与第二基底绝缘膜中的像素部分的一部分掺杂有至少一种导电类型的杂质。通过选择性地蚀刻都掺杂有杂质的栅绝缘膜与第二基底绝缘膜而形成开口部分。第一基底绝缘膜被暴露在开口部分的底表面中。随后，绝缘膜被形成得覆盖开口部分、栅绝缘膜以及栅电极，并且发光元件被形成在绝缘膜上以便于与开口部分的至少一部分重叠。
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公开(公告)号：CN102226997B
公开(公告)日：2012-12-05
申请号：CN201110161168.7
申请日：2005-05-13
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/32 , H01L51/52 , H01L29/786
CPC classification number: H01L51/5262 , H01L27/1248 , H01L27/3244 , H01L27/3248 , H01L27/3258
Abstract: 本发明涉及一种发光器件，包括：衬底上的薄膜晶体管；薄膜晶体管上的氢化膜，其中该氢化膜具有开口；氢化膜上的电极，该电极通过氢化膜的接触孔与薄膜晶体管的源极和漏极之一电接触；形成在所述电极和氢化膜上的层间绝缘膜，其中该层间绝缘膜覆盖氢化膜的开口；形成在层间绝缘膜上的像素电极，该像素电极通过层间绝缘膜的接触孔与所述电极电接触；覆盖像素电极的外围部分的堤，其中像素电极未被所述堤覆盖的部分与氢化膜的开口重叠；和像素电极上的发光层。
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公开(公告)号：CN102226997A
公开(公告)日：2011-10-26
申请号：CN201110161168.7
申请日：2005-05-13
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/32 , H01L51/52 , H01L29/786
CPC classification number: H01L51/5262 , H01L27/1248 , H01L27/3244 , H01L27/3248 , H01L27/3258
Abstract: 本发明涉及一种发光器件，包括：衬底上的薄膜晶体管；薄膜晶体管上的氢化膜，其中该氢化膜具有开口；氢化膜上的电极，该电极通过氢化膜的接触孔与薄膜晶体管的源极和漏极之一电接触；形成在所述电极和氢化膜上的层间绝缘膜，其中该层间绝缘膜覆盖氢化膜的开口；形成在层间绝缘膜上的像素电极，该像素电极通过层间绝缘膜的接触孔与所述电极电接触；覆盖像素电极的外围部分的堤，其中像素电极未被所述堤覆盖的部分与氢化膜的开口重叠；和像素电极上的发光层。
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公开(公告)号：CN1697576B
公开(公告)日：2011-08-10
申请号：CN200510070260.7
申请日：2005-05-13
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L51/5262 , H01L27/1248 , H01L27/3244 , H01L27/3248 , H01L27/3258
Abstract: 在用于制造具有发光元件的显示器件的方法中，第一基底绝缘膜、第二基底绝缘膜、半导体层、以及栅绝缘膜按所述顺序被形成在衬底上。栅电极被形成在栅绝缘膜上以便于与半导体层的至少一部分重叠，并且作为栅绝缘膜与第二基底绝缘膜中的像素部分的一部分掺杂有至少一种导电类型的杂质。通过选择性地蚀刻都掺杂有杂质的栅绝缘膜与第二基底绝缘膜而形成开口部分。第一基底绝缘膜被暴露在开口部分的底表面中。随后，绝缘膜被形成得覆盖开口部分、栅绝缘膜以及栅电极，并且发光元件被形成在绝缘膜上以便于与开口部分的至少一部分重叠。
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公开(公告)号：CN1700825B
公开(公告)日：2010-05-12
申请号：CN200510073702.3
申请日：2005-05-20
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L27/3244 , H01L27/3248 , H01L27/3258 , H01L51/5262
Abstract: 本发明的目的在于提供一种发光器件，其中使得取决于观察发射的光所通过的表面的角度的发射光谱的变化减小。本发明的发光器件包括形成在衬底上的第一绝缘层、形成在第一绝缘层上的第二绝缘层以及形成在第二绝缘层上的半导体层。另外，形成栅绝缘层以覆盖第二绝缘层和半导体层。栅电极形成在栅绝缘层上。形成第一层间绝缘层以覆盖栅绝缘层和栅电极。开口形成在第一层间绝缘层、栅绝缘层和第二绝缘层中。形成第二层间绝缘层以覆盖第一绝缘层和开口。发光元件形成在开口上。
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