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公开(公告)号：CN105887035A
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201410805548.3
申请日：2014-12-23
Applicant: 北京师范大学
Abstract: 一种用于材料表面沉积镀膜的圆形靶阴极真空电弧等离子体磁过滤矩形引出装置，该装置由一个矩形口梯形管道和圆弧绕制的磁场线圈构成一个梯形通电螺线管。为了克服圆形阴极靶材的阴极真空电弧源所产生的圆形束斑等离子体对长条状、大面积和卷材类工件镀膜处理能力的不足，本发明提供了一种等离子体磁过滤矩形引出装置，能够将圆形束斑的离子束转化为矩形束斑的离子束。该装置不仅能够与圆截面磁过滤弯管相连构成磁过滤等离子体矩形引出装置，而且能够直接与圆形靶阴极真空电弧源连接引出矩形等离子体束。该装置适于对长条状、大面积和卷材类工件进行沉积镀膜，提高等离子体的利用效率和膜层的质量。
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公开(公告)号：CN105755443A
公开(公告)日：2016-07-13
申请号：CN201610105819.3
申请日：2016-02-26
Applicant: 北京师范大学
CPC classification number: C23C14/48 , C23C14/0605 , C23C14/18 , C23C14/325
Abstract: 本发明公开了一种提高密封继电器推动杆部件寿命的方法及设备，该方法是利用低能离子束技术在推动杆部件其中推动球表明沉积超硬耐磨且绝缘性能好的膜层，制备该膜方法包括：采用金属真空蒸汽离子源方法(MEVVA)，在玻璃表面注入一层能提高膜基结合力的金属“钉扎层”；在所述的金属“钉扎层”之上，采用磁过滤阴极真空弧沉积方法(FCVA)沉积得到用于释放内应力的第一层金属薄膜过渡层；在所述的第一层过渡层之上，采用磁过滤阴极真空弧(FCVA)沉积方法沉积得到超硬耐磨的DLC层，膜总厚度为0.1-5微米。通过实施本发明，在密封继电器推动杆部件沉积超硬DLC膜能够明显提高密封继电器推动杆部件中推动球的寿命。
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公开(公告)号：CN105220112A
公开(公告)日：2016-01-06
申请号：CN201510583996.8
申请日：2015-09-14
Applicant: 北京师范大学
IPC: C23C14/06 , C23C14/32 , H01L31/18 , H01L31/115 , H01L31/0296
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种在多晶CZT上沉积DLC膜的方法及CZT半导体探测器，其中，该在多晶CZT上沉积DLC膜的方法包括：采用磁过滤阴极真空弧沉积方法，在多晶CZT的晶体表面沉积第一层DLC膜；在所述第一层DLC膜之上，采用磁过滤阴极真空弧沉积方法沉积用于释放内应力的薄膜过渡层；在所述薄膜过渡层之上，采用磁过滤阴极真空弧沉积方法沉积第二层DLC膜。通过实施本发明，在多晶CZT上沉积DLC膜能够保护多晶CZT，减小漏电流。
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公开(公告)号：CN104372295A
公开(公告)日：2015-02-25
申请号：CN201410494856.9
申请日：2014-09-23
Applicant: 北京师范大学
Abstract: 本发明公开了一种柔性基材电路板及金属钉扎层的制备方法和设备，其中，该金属钉扎层的制备方法包括：利用金属蒸汽真空弧(MEVVA)离子源，向基底层注入第一金属元素，对所述基底层进行清洗；利用磁过滤阴极真空弧(FCVA)离子源，在清洗后的基底层表面，磁过滤沉积得到第一金属膜层；利用所述MEVVA离子源，向所述第一金属膜层表面注入第二金属元素，形成金属钉扎层。因此，采用本发明的制备方法和设备制备得到的金属钉扎层和柔性基材电路板具有很高结合力和抗剥离性。
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公开(公告)号：CN119194356A
公开(公告)日：2024-12-27
申请号：CN202411574371.0
申请日：2024-11-06
Applicant: 北京师范大学珠海校区
Abstract: 本发明公开了一种类皮肤结构的(FeNiMnCrV)Nx多层结构阻氢涂层，所述(FeNiMnCrV)Nx多层结构阻氢涂层，在基体材料表面从下至上依次分为FeNiMnCrV溅射层、(FeNiMnCrV)Nx地基层、CrN中间层、(FeNiMnCrV)Nx‑CrN循环层、(FeNiMnCrV)Nx封顶层；界面与界面之间产生氢陷阱，可以捕获大量的氢原子；不同位置处存在显著的势能差，在氢迁移期间产生粗糙的能量崎岖景观，这可极大地抑制氢迁移；并且利用氢与不同金属元素之间的电子相互作用，产生显著的局域捕获效应，限制其长程氢输运，从而阻止大部分氢原子向下继续渗透，将吸氢和阻氢相结合，将大大降低氢渗透率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118054019A
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202410214977.7
申请日：2024-02-27
Applicant: 北京师范大学
Abstract: 本发明属于表面工程技术领域，公开了一种基于离子束沉积与高压技术的复合集流体制备方法，包括以下步骤：(1)对超薄聚合物进行气体离子源清洗；(2)采用离子束沉积在聚合物表面沉积铜，得到集流体；(3)采用高压热处理去除铜内应力，使铜层变为单晶，得到复合集流体。本发明高压环境能抑制原子长程迁移、减小原子间间隙，降低铜与聚合物间高温下相互渗透速率、促进复合集流体接触层间新化学键形成，大幅提高后接金属的结合强度与致密度。铜与聚合物材料熔点增加，铜单晶转化速率与热处理效率有效提升，所得单晶铜层能提升复合集流体的导电性。
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公开(公告)号：CN115388615B
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN202210411852.4
申请日：2022-04-19
Applicant: 北京师范大学
IPC: F25J1/02
Abstract: 本发明公开一种氩液化系统，涉及探测器相关技术领域；包括密封设置的冷箱，所述冷箱侧壁通过真空管路连通有真空系统；所述冷箱顶部固定设置有制冷机，所述制冷机下方的制冷机冷头位于所述冷箱内，所述制冷机冷头一侧连接有回热换热器，所述回热换热器底部连接有氩气管，所述制冷机冷头底部连接有液氩管，所述氩气管和液氩管末端分别穿过所述冷箱顶部后连接有探测器容器，探测器容器上用于安装探测器。本发明提供的氩液化系统，制冷效果好，能够为探测器提供持续稳定的低温环境。
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公开(公告)号：CN117026165A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202310915082.1
申请日：2023-07-25
Applicant: 北京师范大学
Abstract: 本发明公开了一种采用双脉冲离子束技术制备超薄集流体的方法，其特征在于，先对超薄聚合物进行烘烤、气体离子源清洗，然后将等离子体通过磁过滤沉积和磁控溅射沉积在超薄聚合物表面得到所述超薄集流体。从放卷到收卷，超薄聚合物两面分别经历：气体离子源清洗、磁过滤沉积以及磁控溅射沉积。采用本发明方法制得的集流体表面形成的薄膜致密、平整光滑，抗腐蚀性能好,且与聚合物基体结合良好。
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公开(公告)号：CN116855888A
公开(公告)日：2023-10-10
申请号：CN202310915367.5
申请日：2023-07-25
Applicant: 北京师范大学
Abstract: 本发明提供了一种柔性高熵合金涂层及其制备方法和应用，属于高熵合金技术领域。本发明通过磁过滤阴极真空弧沉积，改变真空室的空间布局以及电势分布，提高等离子体密度，使高熵合金中元素成分可调及含量可调，制备的高熵涂层具备良好摩擦学、腐蚀学及抗氧化性能；磁过滤后沉积粒子的离化率接近为100％，没有大颗粒，形成的薄膜致密、平整光滑，抗腐蚀性能好，且与机体的结合良好；能够制备多种元素薄膜；能够控制膜厚在纳米量级得到纳米多层膜；结合对一元金属涂层、二元金属涂层、四元金属涂层和高熵涂层的设计，避免了传统技术制备的高熵涂层内应力大，很难实现柔性的问题。
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公开(公告)号：CN112126927B
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN201910548726.1
申请日：2019-06-24
Applicant: 北京师范大学
Abstract: 本发明公开了一种纳米储氢材料的制备方法，包括以下步骤：1S：对多孔铜进行超声波清洗；2S：氧气氛围下高温氧化制备氧化铜纳米线；3S：溶胶凝胶法制备氧化钛包裹氧化铜纳米线；4S：利用磁过滤技术对纳米线线进行镁沉积。该方法基于高温氧化、离子注入、溶胶凝胶法和磁过滤沉积方法能够方便吸氢放氢的超纳米复合结构。通过该方法制备的吸氢材料，具有吸氢能力强、放氢温度低以及自清洁等特点；本发明的吸氢材料在氢能源方面有着重要的应用前景。
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