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公开(公告)号：CN100404724C
公开(公告)日：2008-07-23
申请号：CN200410101298.1
申请日：2004-12-20
Applicant: 北京师范大学
Abstract: 人体植入金属材料表面离子注入处理方法。本发明属材料科学领域，其公开了一种人体植入金属材料表面处理方法。该方法采用两种或两种以上的金属元素与非金属元素同时电离、加速成混合离子束流，对植入人体的金属材料制成的人工器官(牙根、人工关节、心脏起搏器、血管支架等)进行离子注入处理。本发明方法可提高人体植入金属器官的耐腐蚀性、耐磨性、抗黏附性和抗疲劳性。其中所述金属选自：Ti.Zr.V.Nb.Ta.Cr.Mo.W.Fe.Co.Ni.Mn.Y.Zn.Sc.等两种或多种元素；其非金属选自：B.C.N.O.S.Si一种或多种元素。此工艺不改变被加工对象的外形尺寸及表面精度。本发明方法稳定可靠，方便易行，具有很好的应用性。
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公开(公告)号：CN1796594A
公开(公告)日：2006-07-05
申请号：CN200410101298.1
申请日：2004-12-20
Applicant: 北京师范大学
Abstract: 本发明公开了一种人体植入金属材料表面处理方法。该方法采用两种或两种以上的金属元素与非金属元素同时电离、加速，成混合离子束流，对植入人体的金属材料制成的人工器官(人工关节、心脏起搏器、牙根、血管支架等)进行离子注入处理。本发明方法可提高人体植入金属器官的耐腐蚀性、耐磨性、抗黏附性和抗疲劳性。其中所述金属选自：Ti.Zr.V.Nb.Cr.Mo.W.Fe.Co.Ni.Mn.Y.Zn.Sc.等一种或多种元素；其非金属选自：B.C.N.O一种或多种元素。此工艺不改变被加工对象的外形尺寸及表面精度。本发明方法稳定可靠，方便易行，具有很好的应用性。
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公开(公告)号：CN108193170B
公开(公告)日：2019-10-01
申请号：CN201810040979.3
申请日：2014-09-23
Applicant: 北京师范大学
Abstract: 本发明公开了一种柔性基材电路板及金属钉扎层的制备方法和设备，其中，该金属钉扎层的制备方法包括：利用金属蒸汽真空弧(MEVVA)离子源，向基底层注入第一金属元素，对所述基底层进行清洗；利用磁过滤阴极真空弧(FCVA)离子源，在清洗后的基底层表面，磁过滤沉积得到第一金属膜层；利用所述MEVVA离子源，向所述第一金属膜层表面注入第二金属元素，形成金属钉扎层。因此，采用本发明的制备方法和设备制备得到的金属钉扎层和柔性基材电路板具有很高结合力和抗剥离性。
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公开(公告)号：CN108193170A
公开(公告)日：2018-06-22
申请号：CN201810040979.3
申请日：2014-09-23
Applicant: 北京师范大学
Abstract: 本发明公开了一种柔性基材电路板及金属钉扎层的制备方法和设备，其中，该金属钉扎层的制备方法包括：利用金属蒸汽真空弧(MEVVA)离子源，向基底层注入第一金属元素，对所述基底层进行清洗；利用磁过滤阴极真空弧(FCVA)离子源，在清洗后的基底层表面，磁过滤沉积得到第一金属膜层；利用所述MEVVA离子源，向所述第一金属膜层表面注入第二金属元素，形成金属钉扎层。因此，采用本发明的制备方法和设备制备得到的金属钉扎层和柔性基材电路板具有很高结合力和抗剥离性。
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公开(公告)号：CN107236928A
公开(公告)日：2017-10-10
申请号：CN201710593253.8
申请日：2017-07-20
Applicant: 北京师范大学
Abstract: 本发明公开了一种柔性基材电路板及其制备方法和设备，其中，该金属钉扎层的制备方法包括：利用金属蒸汽真空弧(MEVVA)离子源，向基底层注入第一金属元素，对所述基底层进行清洗；利用磁过滤阴极真空弧(FCVA)离子源，在清洗后的基底层表面，磁过滤沉积得到第一金属膜层；利用所述MEVVA离子源，向所述第一金属膜层表面注入第二金属元素，形成金属钉扎层。因此，采用本发明的制备方法和设备制备得到的金属钉扎层和柔性基材电路板具有很高结合力和抗剥离性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105887035B
公开(公告)日：2018-06-05
申请号：CN201410805548.3
申请日：2014-12-23
Applicant: 北京师范大学
Abstract: 一种用于材料表面沉积镀膜的圆形靶阴极真空电弧等离子体磁过滤矩形引出装置，该装置由一个矩形口梯形管道和圆弧绕制的磁场线圈构成一个梯形通电螺线管。为了克服圆形阴极靶材的阴极真空电弧源所产生的圆形束斑等离子体对长条状、大面积和卷材类工件镀膜处理能力的不足，本发明提供了一种等离子体磁过滤矩形引出装置，能够将圆形束斑的离子束转化为矩形束斑的离子束。该装置不仅能够与圆截面磁过滤弯管相连构成磁过滤等离子体矩形引出装置，而且能够直接与圆形靶阴极真空电弧源连接引出矩形等离子体束。该装置适于对长条状、大面积和卷材类工件进行沉积镀膜，提高等离子体的利用效率和膜层的质量。
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公开(公告)号：CN104372295B
公开(公告)日：2018-02-16
申请号：CN201410494856.9
申请日：2014-09-23
Applicant: 北京师范大学
Abstract: 本发明公开了一种柔性基材电路板及金属钉扎层的制备方法和设备，其中，该金属钉扎层的制备方法包括：利用金属蒸汽真空弧(MEVVA)离子源，向基底层注入第一金属元素，对所述基底层进行清洗；利用磁过滤阴极真空弧(FCVA)离子源，在清洗后的基底层表面，磁过滤沉积得到第一金属膜层；利用所述MEVVA离子源，向所述第一金属膜层表面注入第二金属元素，形成金属钉扎层。因此，采用本发明的制备方法和设备制备得到的金属钉扎层和柔性基材电路板具有很高结合力和抗剥离性。
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公开(公告)号：CN105887035A
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201410805548.3
申请日：2014-12-23
Applicant: 北京师范大学
Abstract: 一种用于材料表面沉积镀膜的圆形靶阴极真空电弧等离子体磁过滤矩形引出装置，该装置由一个矩形口梯形管道和圆弧绕制的磁场线圈构成一个梯形通电螺线管。为了克服圆形阴极靶材的阴极真空电弧源所产生的圆形束斑等离子体对长条状、大面积和卷材类工件镀膜处理能力的不足，本发明提供了一种等离子体磁过滤矩形引出装置，能够将圆形束斑的离子束转化为矩形束斑的离子束。该装置不仅能够与圆截面磁过滤弯管相连构成磁过滤等离子体矩形引出装置，而且能够直接与圆形靶阴极真空电弧源连接引出矩形等离子体束。该装置适于对长条状、大面积和卷材类工件进行沉积镀膜，提高等离子体的利用效率和膜层的质量。
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公开(公告)号：CN104372295A
公开(公告)日：2015-02-25
申请号：CN201410494856.9
申请日：2014-09-23
Applicant: 北京师范大学
Abstract: 本发明公开了一种柔性基材电路板及金属钉扎层的制备方法和设备，其中，该金属钉扎层的制备方法包括：利用金属蒸汽真空弧(MEVVA)离子源，向基底层注入第一金属元素，对所述基底层进行清洗；利用磁过滤阴极真空弧(FCVA)离子源，在清洗后的基底层表面，磁过滤沉积得到第一金属膜层；利用所述MEVVA离子源，向所述第一金属膜层表面注入第二金属元素，形成金属钉扎层。因此，采用本发明的制备方法和设备制备得到的金属钉扎层和柔性基材电路板具有很高结合力和抗剥离性。
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公开(公告)号：CN201229915Y
公开(公告)日：2009-04-29
申请号：CN200820117860.3
申请日：2008-06-18
Applicant: 北京师范大学
Abstract: 一种用于金属蒸汽真空弧离子源的压夹持式的阴极结构。要点是采用压夹持式结构，固定阴极材料。在底环上分别有内压环和外压环，内压环和外压环配合面为角度相同的锥面。内压由铝制造，环上有适当距离的收缩缝。阴极材料通过内压环中心孔。当紧固外压环时，内压环通过与外压环的配合面而受到压力从而适当收缩，对阴极材料施加夹持力，压紧从而固定阴极材料在底环上。由于采用压夹持方式，不需要对阴极材料进行镙纹加工，因此，一些难于进行镙纹加工的导电固体材料也可以用于金属蒸汽真空弧离子源，从而增加金属蒸汽真空弧离子源产生的离子种类。
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