公开(公告)号：CN118054019A

公开(公告)日：2024-05-17

申请号：CN202410214977.7

申请日：2024-02-27

Applicant: 北京师范大学

Inventor： 吴嘉锟 ,  廖斌 ,  陈琳 ,  吴杰 ,  欧阳潇 ,  欧阳晓 ,  庞盼 ,  罗军 ,  张旭 ,  英敏菊 ,  杨思凡

IPC: H01M4/66 ,  C23C14/22 ,  C23C14/20 ,  C23C14/58 ,  C30B1/02 ,  C30B29/02

Abstract: 本发明属于表面工程技术领域，公开了一种基于离子束沉积与高压技术的复合集流体制备方法，包括以下步骤：(1)对超薄聚合物进行气体离子源清洗；(2)采用离子束沉积在聚合物表面沉积铜，得到集流体；(3)采用高压热处理去除铜内应力，使铜层变为单晶，得到复合集流体。本发明高压环境能抑制原子长程迁移、减小原子间间隙，降低铜与聚合物间高温下相互渗透速率、促进复合集流体接触层间新化学键形成，大幅提高后接金属的结合强度与致密度。铜与聚合物材料熔点增加，铜单晶转化速率与热处理效率有效提升，所得单晶铜层能提升复合集流体的导电性。