公开(公告)号：CN117187743A

公开(公告)日：2023-12-08

申请号：CN202311141420.7

申请日：2023-09-06

Applicant: 北京师范大学珠海校区

Inventor： 吴杰 ,  陈琳 ,  吴嘉锟 ,  欧阳潇 ,  廖斌 ,  张旭 ,  英敏菊

IPC: C23C14/02 ,  C23C14/34 ,  C23C14/08 ,  H01M4/505 ,  H01M4/525 ,  H01M4/485 ,  H01M4/04 ,  H01M10/0525

Abstract: 本发明公开了一种高熵氧化物薄膜负极材料及其制备方法和应用，采用磁过滤阴极真空弧方法在铜箔基片上一步沉积出高熵氧化物薄膜，具体包括以下步骤：将基片放在乙醇溶液中清洗；然后放入真空室抽真空；利用氩气在‑300～‑600V的负偏压条件下对基片进行溅射清洗；采用磁过滤阴极真空弧沉积高熵氧化物薄膜，在弧流为50～200A，正偏压为20～40V、负偏压为‑50～‑300V、氧气流量为5～10sccm条件下进行薄膜沉积，沉积时间为0.5～2h。本发明通过载能离子与金属靶材表面/亚表面的相互作用在室温下一步实现多种金属氧化物的精细成膜，与基于化学合成的方法相比，离子术技术能实现氧化物种类、结构和性能的宽域调控，具有更好的产业化应用前景。

公开(公告)号：CN119194356A

公开(公告)日：2024-12-27

申请号：CN202411574371.0

申请日：2024-11-06

Applicant: 北京师范大学珠海校区

Inventor： 吴嘉锟 ,  刘洋彬 ,  廖斌 ,  欧阳潇 ,  陈琳 ,  吴杰 ,  曹红帅 ,  张少华 ,  欧阳晓平

IPC: C23C14/06 ,  C23C14/16 ,  C23C14/35 ,  F16L58/08 ,  F16L58/04

Abstract: 本发明公开了一种类皮肤结构的(FeNiMnCrV)Nx多层结构阻氢涂层，所述(FeNiMnCrV)Nx多层结构阻氢涂层，在基体材料表面从下至上依次分为FeNiMnCrV溅射层、(FeNiMnCrV)Nx地基层、CrN中间层、(FeNiMnCrV)Nx‑CrN循环层、(FeNiMnCrV)Nx封顶层；界面与界面之间产生氢陷阱，可以捕获大量的氢原子；不同位置处存在显著的势能差，在氢迁移期间产生粗糙的能量崎岖景观，这可极大地抑制氢迁移；并且利用氢与不同金属元素之间的电子相互作用，产生显著的局域捕获效应，限制其长程氢输运，从而阻止大部分氢原子向下继续渗透，将吸氢和阻氢相结合，将大大降低氢渗透率。

公开(公告)号：CN119194355A

公开(公告)日：2024-12-27

申请号：CN202411573589.4

申请日：2024-11-06

Applicant: 北京师范大学珠海校区

Inventor： 吴杰 ,  刘洋彬 ,  廖斌 ,  吴嘉锟 ,  欧阳潇 ,  陈琳 ,  曹红帅 ,  张少华 ,  欧阳晓平

IPC: C23C14/06 ,  C23C14/16 ,  C23C14/35 ,  C23C14/02 ,  F16L58/08 ,  F16L58/04

Abstract: 本发明公开了一种(FeNiMnCrV)Nx阻氢渗透涂层及其制备方法，通过多弧磁过滤阴极真空电弧系统，在真空环境下，将FeNiMn合金靶材、纯铬靶材、纯钒靶材于基体材料表面进行刻蚀获得FeNiMnCrV溅射层，随后，通入N2，继续采用FeNiMn合金靶材、纯铬靶材、纯钒靶材于基体材料表面进行沉积即获得(FeNiMnCrV)Nx阻氢渗透涂层，本发明通过控制氮的含量可有效地调控涂层的晶体结构、择优取向及晶粒尺寸大小，从而获得膜基结合力高、涂层的致密度高及涂层表面缺陷少和表面粗糙度低的(FeNiMnCrV)Nx阻氢涂层。