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公开(公告)号：CN1242254C
公开(公告)日：2006-02-15
申请号：CN200310109268.0
申请日：2003-12-11
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所 , 上海蓝宝光电材料有限公司
IPC: G01N21/64
Abstract: 一种检测GaN基材料局域光学厚度均匀性的方法，该方法采用显微荧光光谱测量，将测得数据进行处理获得振荡干涉谱，再对干涉谱进行干涉峰位线性拟合，进而得到材料的光学厚度，然后用常规的统计方法就可直接得到厚度不均匀性的分布特征。该方法可为材料生长工艺优化研究提供丰富的信息，特别对严重损害器件质量的局域非均匀性检测方面具有明显的意义。
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公开(公告)号：CN1226639C
公开(公告)日：2005-11-09
申请号：CN200310108346.5
申请日：2003-10-31
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种滤光片式分光元件，它是通过设计一系列透射峰位连续的超窄带通滤光片，并将其集成在一起形成滤光片式的分光元件。它包括：二片衬底，二片衬底的一表面各镀有完全相同的无序型膜系，在二无序型膜系之间的四周边缘粘有高分子聚合物材料制成的微米小球胶，使其真空密封固定成一体，中间形成一真空层。其中一片衬底的无序型膜系是镀在深浅渐变的凹槽列阵上的。本发明的分光元件结构简单、体积小，分出的光束单色性好。如果加上入射狭缝和出射狭缝就可以构成一个完整的单色仪，非常有利于与其它系统的组合，构成各种光谱测量系统。
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公开(公告)号：CN1215342C
公开(公告)日：2005-08-17
申请号：CN03116787.X
申请日：2003-05-08
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种薄膜气体传感器，包括：二片相同材料的衬底，其中一片衬底的一表面有一凹槽，带有凹槽的表面镀有无序型膜系。另一片衬底的二表面为平面，其任一平面镀有无序型膜系，在二无序型膜系之间的二侧边缘粘有特种微米小球粘胶，使其固接成一体，中间为样品室。凹槽内外的高度差分别对应二个不同的带通峰位，将其中的一个带通峰位设计至待检气体的特征吸收峰，另一个带通峰位设计在特征吸收峰附近的非吸收区作为参考峰位，利用气体吸收引起的透射峰强度的相对变化来实现气体含量的检测。本发明的薄膜气体传感器的最大优点是可以针对任何一种已知特征吸收峰的气体进行设计，使得响应具有唯一性，同时该传感器还具有灵敏度高、响应快、选择性好、重复性好、寿命长等优点，大大弥补了传统气体传感器各种性能不能兼顾的缺点。
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公开(公告)号：CN1619848A
公开(公告)日：2005-05-25
申请号：CN200410084792.1
申请日：2004-12-01
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所 , 上海蓝宝光电材料有限公司
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明提供一种能够增强外量子效率的发光二极管。本发明由衬底、发光层及金属反射层组成。衬底为抛物线构成的实心碗状结构，上表面的中心位置为抛物线的焦点，下表面镀有金属反射层，发光层位于衬底上表面的中心位置。本发明不仅能够将传统的平面衬底发光二极管中不能发射出来的光子发射出来，提高发光二极管的外量子效率，增强其发光强度；还可以发射出大量平行光线，使光可以远距离传输。因此，本发明在大屏幕彩色显示、多媒体显示、光通信以及探照灯、飞机指示灯、汽车照明灯、交通信号灯等领域得到广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN1614451A
公开(公告)日：2005-05-11
申请号：CN200410067892.3
申请日：2004-11-05
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种集成窄带滤光片，包括：基片，在基片上依次有相互牢固结合的下层膜系，厚度不等的谐振腔层列阵和上层膜系。本发明的集成窄带滤光片是基于F－P干涉原理，通过半导体刻蚀工艺来获取不同谐振腔层的厚度，达到控制窄带滤光片的带通峰位，从而实现不同透射波长窄带滤光片在同一块基片上的集成。这种滤光片可适用于各个波段窄带滤光片列阵的制备。其优点是：工艺简单，只需设计一个膜系、通过镀膜和刻蚀即可完成集成窄带滤光片的制备，所制备的滤光片各单元的半峰宽很窄，其相对半峰宽都小于0.36％，可以起到很好的波长选择作用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1560970A
公开(公告)日：2005-01-05
申请号：CN200410016590.3
申请日：2004-02-26
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种量子阱太赫兹多波段集成相干光源芯片及制备方法，它是通过分子束外延技术在衬底上生长一个双势阱的单量子阱结构，使双势阱内势能结构为阶梯形且阶梯倾斜；再通过脉冲激光辐照技术对量子阱的不同区域进行不同时间的辐照，以改变不同区域的能带结构，从而改变其发光频率，得到一个高发光强度的不同发光频率的区域集成在一起的量子阱芯片。并且各区域在同一电压下工作，使得芯片的结构非常简单。
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公开(公告)号：CN1442886A
公开(公告)日：2003-09-17
申请号：CN03116408.0
申请日：2003-04-15
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所 , 上海尼赛拉电子元件有限公司
IPC: H01L21/265
Abstract: 本发明公开了一种碲镉汞材料在离子注入形成P－N结过程中对材料产生损伤的修复方法。该方法只需在常规的碲镉汞材料离子注入形成P－N结的工艺后再用较小剂量、较低束流密度的离子再次注入该区。再注入的离子可以起到非平衡动态后处理的作用，使注入离子形成的P－N结性能有较明显改善，从而提高了光伏型红外探测器的性能。
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公开(公告)号：CN1383002A
公开(公告)日：2002-12-04
申请号：CN02111812.4
申请日：2002-05-23
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种采用金属光子晶体结构的可见光波段高偏振度偏振光束分离器。包括:在衬底上构成二维阵列结构的介质棒,所说的二维阵列结构可以是正方格子或六角格子等,所说的介质棒是由金属材料构成的,介质棒之间嵌有SiO2。本发明提供的偏振器结构不同于传统的偏振器,它可以通过只改变金属棒的半径和晶格常数R/a的比,预先设计工作波段,并且可以得到高的偏振度和透射率。
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公开(公告)号：CN1219788A
公开(公告)日：1999-06-16
申请号：CN98121959.4
申请日：1998-10-22
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01S3/00 , G02B3/00 , H01L29/765
CPC classification number: G01J5/02 , G01J5/0205 , G01J5/0235 , G01J5/024 , G01J5/04 , G01J5/045 , G01J5/08 , G01J5/0803 , G01J5/0806 , G01J5/0831 , G01J5/084 , G01J5/0893 , G02B5/1828 , G02B26/0808 , H04N5/7416
Abstract: 本发明提供了一种无分立象元光学读出的量子阱红外焦平面芯片的设计。它可以把在芯片上的红外图像直接转换成可见光图象,从而把红外探测技术转换到可见光探测技术,使对红外目标成像的芯片在空间分辨上达到可见光成像的水平。还介绍了该芯片的结构。包括量子阱材料具体结构设计、掺杂条件、芯片的电极设计、偏置电压条件及与可见光探测系统的相互结合。
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公开(公告)号：CN1176381A
公开(公告)日：1998-03-18
申请号：CN96116505.7
申请日：1996-09-12
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: G01N21/17
Abstract: 本发明提供了一种在超高真空条件下非接触式的原位AlxGa1－xAs组分检测技术,它把分子束外延系统的超高真空条件,与调制光谱系统有机地结合起来,形成了一个测量AlxGa1－xAs薄膜Al组分的准确有效的方法,本发明介绍了该系统的结构,包括光路结构与分子束外延系统的结合,及测量控制系统与数据采集系统,在硬件及软件上形成一整套完善的系统,尤其适宜于对超薄层及对有多层复杂结构的AlxGa1－xAs生长过程中在位组分检测。
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