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公开(公告)号：CN101425552B
公开(公告)日：2010-08-11
申请号：CN200810194786.X
申请日：2008-10-20
Applicant: 淮阴师范学院 , 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/18 , H01L21/04 , H01L21/426
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及离子注入制备高性能碲镉汞p-n结的方法。该方法采用同一块碲镉汞薄膜为基底；制作多块掩膜板；并蒸镀ZnS薄膜作为离子注入的阻挡层；在阻挡层上光刻出相应的离子注入区进行注入；再完成p-n结的成结工艺。其中，离子注入的阻挡层是通过多次叠加蒸镀获得的不同厚度ZnS薄膜阻挡层；离子注入的剂量为优化后的同一离子剂量、同一注入能量值。本发明在同一基底材料上获得叠加蒸镀具有不同厚度阻挡层的系列试验单元，一次性地以优化后的离子注入剂量对光刻出注入区进行离子注入的工艺改进，制备高性能碲镉汞p-n结，为光伏型红外探测器提供更方便快捷的优化工艺参数试验研究，试验成本低、且节省时间和精力；该方法同样可推广应用于对其它基底材料体系的离子注入阻挡层厚度的优化研究。
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公开(公告)号：CN1191460C
公开(公告)日：2005-03-02
申请号：CN02137263.2
申请日：2002-09-29
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种关于检测自由电子激光光强密度的设备及方法，该设备包括：自由电子激光(FEL)、KBr分束片、能量辐射计及处理能量辐射计输出信号的计算机。该设备是用于测量窄禁带半导体材料的透射率，该方法是基于窄禁带半导体材料的透射率相对于FEL入射光强密度的固定关系来标定被测FEL光强密度。本发明的最大优点是：整个测量过程大大简化，避免了光斑面积和脉冲半宽度测量所带来的不精确性，使获得的测量结果更精确。另外，由于本发明采用了透射特性十分稳定窄禁带半导体材料，如InSb或HgCdTe，因此用该方法测量的FEL的光强密度重复性好。
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公开(公告)号：CN1405550A
公开(公告)日：2003-03-26
申请号：CN02137758.8
申请日：2002-10-31
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明书提供了一种通过测量多个角度反射谱来同时获得薄膜等效折射率和厚度的设备和方法。该设备简单，测量方便。该方法是根据入射光在空气－薄膜－衬底的界面处两次反射会发生干涉，其干涉现象会从反射谱上表现出来。因此只要测得两个不同入射角θ1和θ2含有干涉信息的反射谱R(θ1，ω)和R(θ2，ω)，采用薄膜反射率公式同时拟合这两个反射谱，得到相应的光程差Δ1和Δ2，根据折射定律，联立两个方程就可以得出薄膜的等效折射率n及物理厚度d。与传统方法不同的是该方法可以同时、方便、无损地测出薄膜的等效折射率和厚度，甚至可以用于镀膜过程的实时监控与在线检测。
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公开(公告)号：CN1290238C
公开(公告)日：2006-12-13
申请号：CN200410016590.3
申请日：2004-02-26
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种量子阱太赫兹多波段集成相干光源芯片及制备方法，它是通过分子束外延技术在衬底上生长一个双势阱的单量子阱结构，使双势阱内势能结构为阶梯形且阶梯倾斜；再通过脉冲激光辐照技术对量子阱的不同区域进行不同时间的辐照，以改变不同区域的能带结构，从而改变其发光频率，得到一个高发光强度的不同发光频率的区域集成在一起的量子阱芯片。并且各区域在同一电压下工作，使得芯片的结构非常简单。
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公开(公告)号：CN1553169A
公开(公告)日：2004-12-08
申请号：CN200310109268.0
申请日：2003-12-11
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所 , 上海蓝宝光电材料有限公司
IPC: G01N21/64
Abstract: 一种检测GaN基材料局域光学厚度均匀性的方法，该方法采用显微荧光光谱测量，将测得数据进行处理获得振荡干涉谱，再对干涉谱进行干涉峰位线性拟合，进而得到材料的光学厚度，然后用常规的统计方法就可直接得到厚度不均匀性的分布特征。该方法可为材料生长工艺优化研究提供丰富的信息，特别对严重损害器件质量的局域非均匀性检测方面具有明显的意义。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1547033A
公开(公告)日：2004-11-17
申请号：CN200310109249.8
申请日：2003-12-11
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所 , 上海蓝宝光电材料有限公司
Abstract: 一种光学读出的氮化镓基单量子阱超声波传感器，包括：辅助光源、氮化镓基单量子阱、窄带滤光片和Si光电管。它是利用GaN基量子阱材料作为敏感元，并且把超声波引起的敏感介质的压电场的变化转换成辐射光谱的变化，然后由光电管采集读出。通过对比有、无超声波的辐射光谱的强度来分析超声回波的强度，从而完成超声波探测的物性分析。本说明的优点是：将压电信号所引起的量子阱发射光谱作为读出信号，从而避免了直接读取对压电信号的影响，这对于提高超声波传感器的精度是及其有利的。另外敏感元采用了量子阱新型材料，这种材料的特点是体积轻巧，便于制成微型超声波探头，有利于在特殊环境下的超声波检测。
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公开(公告)号：CN1123932C
公开(公告)日：2003-10-08
申请号：CN01112709.0
申请日：2001-04-25
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明提供了一种多量子阱红外焦平面光伏探测器的光敏元芯片，包括在GaAs衬底上依次生成的下电极层、多量子阱半导体激活层、上电极层、金属上电极。上电极层由可产生固定电荷的Bi2Ti2O7薄膜材料制成，从而形成了由金属层、氧化膜层和半导体激活层组成的MOS结构。该结构在红外光的辐照下，可以在量子阱区域形成比已有的光伏探测器更强的光伏信号和比光导探测器更小的直流暗电流。该专利还介绍了量子阱的具体结构设计、掺杂条件、偏置电压条件等。
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公开(公告)号：CN1289892C
公开(公告)日：2006-12-13
申请号：CN200310109247.9
申请日：2003-12-11
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 一种多量子阱红外探测材料的结构层厚获取方法，该方法采用常规的透射光谱测量，将测量数据与双层近似模型拟合，获取多量子阱红外探测材料中上电极层和多量子阱区实际的厚度参数，从而为后续的器件制备工艺提供必要的实际材料结构参数；同时还可获得多量子阱区中势垒层中A1组分参数。该方法也可为材料生长过程的参数修正提供参考依据。
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公开(公告)号：CN1225802C
公开(公告)日：2005-11-02
申请号：CN03129508.8
申请日：2003-06-26
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种提高InAs/GaAs量子点半导体材料发光效率的方法，其特征在于本发明提出的离子注入方法区别于传统的离子注入技术中注入离子最终停留区域的选择。传统的离子注入技术应用中为了尽可能地减小因离子注入导致的缺陷增殖数量，通常将注入离子的最终停留区域选择在衬底上，避免体现发光功能材料区域的缺陷增殖数量的急剧上升。本发明提出了直接将注入离子停留在量子点区域，同时选择了有效的质子注入和注入工艺条件，结合相应的快速热退火工艺，使得最终离子注入技术得以成功地提高量子点材料的发光效率。
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公开(公告)号：CN1595233A
公开(公告)日：2005-03-16
申请号：CN200410025343.X
申请日：2004-06-22
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种窄带通滤光片式的太赫兹量子阱相干光源芯片，它是利用分子束外延技术在衬底上生长一个单量子阱，再利用衬底剥离技术分别在其上下两面镀膜形成无序型薄膜，使量子阱成为窄带通滤光片的谐振腔层，整个芯片结构为窄带通滤光片式。这种结构可以使量子阱只吸收频率范围较窄的飞秒激光，避免了因飞秒激光频率展宽而引起的THz发光强度降低。作为发光部分的量子阱正好处于窄带通滤光片的谐振腔层，飞秒激光在该结构中多次来回反射，极大地增强量子阱对飞秒激光的吸收，从而提高其THz发光强度。
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