公开(公告)号：CN1176381A

公开(公告)日：1998-03-18

申请号：CN96116505.7

申请日：1996-09-12

Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所

Inventor： 陆卫 ,  刘兴权 ,  穆耀明 ,  杜捷 ,  查访星 ,  乔怡敏 ,  史国良 ,  严立平 ,  欧海疆 ,  万明芳 ,  陈效双 ,  吴小平 ,  沈学础

IPC: G01N21/17

Abstract: 本发明提供了一种在超高真空条件下非接触式的原位AlxGa1－xAs组分检测技术,它把分子束外延系统的超高真空条件,与调制光谱系统有机地结合起来,形成了一个测量AlxGa1－xAs薄膜Al组分的准确有效的方法,本发明介绍了该系统的结构,包括光路结构与分子束外延系统的结合,及测量控制系统与数据采集系统,在硬件及软件上形成一整套完善的系统,尤其适宜于对超薄层及对有多层复杂结构的AlxGa1－xAs生长过程中在位组分检测。

公开(公告)号：CN1088190C

公开(公告)日：2002-07-24

申请号：CN96116505.7

申请日：1996-09-12

Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所

Inventor： 陆卫 ,  刘兴权 ,  穆耀明 ,  杜捷 ,  查访星 ,  乔怡敏 ,  史国良 ,  严立平 ,  欧海疆 ,  万明芳 ,  陈效双 ,  吴小平 ,  沈学础

IPC: G01N21/17

Abstract: 本发明提供了一种在超高真空条件下非接触式的原位AlxGa1-xAs组分检测技术，它把分子束外延系统的超高真空条件，与调制光谱系统有机地结合起来，形成了一个测量AlxGa1-xAs薄膜Al组分的准确有效的方法，本发明介绍了该系统的结构，包括光路结构与分子束外延系统的结合，及测量控制系统与数据采集系统，在硬件及软件上形成一整套完善的系统，尤其适宜于对超薄层及对有多层复杂结构的AlxGa1-xAs生长过程中在位组分检测。