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公开(公告)号：CN1225826C
公开(公告)日：2005-11-02
申请号：CN03129509.6
申请日：2003-06-26
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种半导体太赫兹相干光源器件，它是利用耦合量子阱结构将量子阱激光器输出的激光转换成太赫兹辐射源。器件包括：激发功能块和发光功能块二部分。其特征是：激发功能块选用工艺上已非常成熟的GaAs/AlGaAs量子阱激光器，发光功能块为GaAs/InGaAs耦合量子阱结构。二大功能块通过分子束外延集成为一体。本发明的器件的最大优点是：由于激发部分和发光部分是通过薄膜技术集成为一体，因此，激发部分的出射激光将被有效地耦合到发光部分，这样发光效率实际上是内量子效率，大大提高了激发光的效率。而且它的制备工艺十分简单且成熟。器件达到了小型化，使用方便的目的。
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公开(公告)号：CN1471207A
公开(公告)日：2004-01-28
申请号：CN03129509.6
申请日：2003-06-26
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种半导体太赫兹相干光源器件，它是利用耦合量子阱结构将量子阱激光器输出的激光转换成太赫兹辐射源。器件包括：激发功能块和发光功能块二部分。其特征是：激发功能块选用工艺上已非常成熟的GaAs/AlGaAs量子阱激光器，发光功能块为GaAs/InGaAs耦合量子阱结构。二大功能块通过分子束外延集成为一体。本发明的器件的最大优点是：由于激发部分和发光部分是通过薄膜技术集成为一体，因此，激发部分的出射激光将被有效地耦合到发光部分，这样发光效率实际上是内量子效率，大大提高了激发光的效率。而且它的制备工艺十分简单且成熟。器件达到了小型化，使用方便的目的。
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公开(公告)号：CN1445530A
公开(公告)日：2003-10-01
申请号：CN03116787.X
申请日：2003-05-08
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: G01N21/59
Abstract: 本发明公开了一种薄膜气体传感器，包括：二片相同材料的衬底，其中一片衬底的一表面有一凹槽，带有凹槽的表面镀有无序型膜系。另一片衬底的二表面为平面，其任一平面镀有无序型膜系，在二无序型膜系之间的二侧边缘粘有特种微米小球粘胶，使其固接成一体，中间为样品室。凹槽内外的高度差分别对应二个不同的带通峰位，将其中的一个带通峰位设计至待检气体的特征吸收峰，另一个带通峰位设计在特征吸收峰附近的非吸收区作为参考峰位，利用气体吸收引起的透射峰强度的相对变化来实现气体含量的检测。本发明的薄膜气体传感器的最大优点是可以针对任何一种已知特征吸收峰的气体进行设计，使得响应具有唯一性，同时该传感器还具有灵敏度高、响应快、选择性好、重复性好、寿命长等优点，大大弥补了传统气体传感器各种性能不能兼顾的缺点。
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公开(公告)号：CN1289902C
公开(公告)日：2006-12-13
申请号：CN200410018487.2
申请日：2004-05-20
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种用于检测流体中微量物质的检测器，该检测器包括：样品室、带通滤光片和二个红外探测器。样品室是基于F-P干涉原理设计的，它相当于可以起谐振作用的双通道滤光片。其中一个通道设计位为被检测流体样品的特征吸收峰位，另一个通道设计为被检测流体样品的非吸收峰位，也叫参考峰位，根据两个透射峰相对强度的变化就可以测出被检测样品的含量，这种结构对被检测样品的响应具有唯一性，并且检测灵敏度高。
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公开(公告)号：CN1202560C
公开(公告)日：2005-05-18
申请号：CN03116408.0
申请日：2003-04-15
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所 , 上海尼赛拉电子元件有限公司
IPC: H01L21/265
Abstract: 本发明公开了一种碲镉汞材料在离子注入形成P-N结过程中对材料产生损伤的修复方法。该方法只需在常规的碲镉汞材料离子注入形成P-N结的工艺后再用较小剂量、较低束流密度的离子再次注入该区。再注入的离子可以起到非平衡动态后处理的作用，使注入离子形成的P-N结性能有较明显改善，从而提高了光伏型红外探测器的性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1580741A
公开(公告)日：2005-02-16
申请号：CN200410018487.2
申请日：2004-05-20
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: G01N21/27
Abstract: 本发明公开了一种用于检测流体中微量物质的检测器，该检测器包括：样品室、带通滤光片和二个红外探测器。样品室是基于F－P干涉原理设计的，它相当于可以起谐振作用的双通道滤光片。其中一个通道设计位为被检测流体样品的特征吸收峰位，另一个通道设计为被检测流体样品的非吸收峰位，也叫参考峰位，根据两个透射峰相对强度的变化就可以测出被检测样品的含量，这种结构对被检测样品的响应具有唯一性，并且检测灵敏度高。
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公开(公告)号：CN1189763C
公开(公告)日：2005-02-16
申请号：CN02157695.5
申请日：2002-12-24
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所 , 上海德福光电技术有限公司
Abstract: 本发明提供了一种双层无序型超窄带通光学薄膜滤光片，包括：二片镀有相同的无序型膜系片子，在二无序型膜系之间的四周边缘粘有特种微米小球胶，使其真空密封固定成一体，中间形成一真空层，其厚度可以通过对微米小球加压调节，使滤光片的透射峰位调节到设计所需的位置，弥补了镀膜过程中因厚度涨落引起的透射峰位偏移。该结构既可以提高这类滤光片的成品率，又可以降低制备这类滤光片的工艺要求，有利于制备高质量的超窄带通光学薄膜滤光片。
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公开(公告)号：CN1491895A
公开(公告)日：2004-04-28
申请号：CN03150864.2
申请日：2003-09-09
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: C01G9/02
Abstract: 本发明公开了一种纳米氧化锌材料的制备方法，该方法为表面修饰前驱体法，即在碳酸氢氨和氯化锌组成的前驱体中加入微量的阴离子表面活性剂十二烷基硫酸钠(C12H25NaO4S)修饰，可以得到疏松的线状前驱体，然后再对线状前驱体煅烧，便可得到分散性好、而且线性分布均匀的纳米氧化锌材料，比现有的其它制备纳米氧化锌材料的方法都简单、易操作而且价廉，适合于工业化生产。
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公开(公告)号：CN1424593A
公开(公告)日：2003-06-18
申请号：CN02157695.5
申请日：2002-12-24
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所 , 上海德福光电技术有限公司
Abstract: 本发明提供了一种双层无序型超窄带通光学薄膜滤光片，包括：二片镀有相同的无序型膜系片子，在二无序型膜系之间的四周边缘粘有特种微米小球胶，使其真空密封固定成一体，中间形成一真空层，其厚度可以通过对微米小球加压调节，使滤光片的透射峰位调节到设计所需的位置，弥补了镀膜过程中因厚度涨落引起的透射峰位偏移。该结构既可以提高这类滤光片的成品率，又可以降低制备这类滤光片的工艺要求，有利于制备高质量的超窄带通光学薄膜滤光片。
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公开(公告)号：CN1226639C
公开(公告)日：2005-11-09
申请号：CN200310108346.5
申请日：2003-10-31
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种滤光片式分光元件，它是通过设计一系列透射峰位连续的超窄带通滤光片，并将其集成在一起形成滤光片式的分光元件。它包括：二片衬底，二片衬底的一表面各镀有完全相同的无序型膜系，在二无序型膜系之间的四周边缘粘有高分子聚合物材料制成的微米小球胶，使其真空密封固定成一体，中间形成一真空层。其中一片衬底的无序型膜系是镀在深浅渐变的凹槽列阵上的。本发明的分光元件结构简单、体积小，分出的光束单色性好。如果加上入射狭缝和出射狭缝就可以构成一个完整的单色仪，非常有利于与其它系统的组合，构成各种光谱测量系统。
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