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公开(公告)号：CN1290238C
公开(公告)日：2006-12-13
申请号：CN200410016590.3
申请日：2004-02-26
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种量子阱太赫兹多波段集成相干光源芯片及制备方法，它是通过分子束外延技术在衬底上生长一个双势阱的单量子阱结构，使双势阱内势能结构为阶梯形且阶梯倾斜；再通过脉冲激光辐照技术对量子阱的不同区域进行不同时间的辐照，以改变不同区域的能带结构，从而改变其发光频率，得到一个高发光强度的不同发光频率的区域集成在一起的量子阱芯片。并且各区域在同一电压下工作，使得芯片的结构非常简单。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1560970A
公开(公告)日：2005-01-05
申请号：CN200410016590.3
申请日：2004-02-26
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种量子阱太赫兹多波段集成相干光源芯片及制备方法，它是通过分子束外延技术在衬底上生长一个双势阱的单量子阱结构，使双势阱内势能结构为阶梯形且阶梯倾斜；再通过脉冲激光辐照技术对量子阱的不同区域进行不同时间的辐照，以改变不同区域的能带结构，从而改变其发光频率，得到一个高发光强度的不同发光频率的区域集成在一起的量子阱芯片。并且各区域在同一电压下工作，使得芯片的结构非常简单。
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公开(公告)号：CN1297837C
公开(公告)日：2007-01-31
申请号：CN200410025343.X
申请日：2004-06-22
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种窄带通滤光片式的太赫兹量子阱相干光源芯片，它是利用分子束外延技术在衬底上生长一个单量子阱，再利用衬底剥离技术分别在其上下两面镀膜形成无序型薄膜，使量子阱成为窄带通滤光片的谐振腔层，整个芯片结构为窄带通滤光片式。这种结构可以使量子阱只吸收频率范围较窄的飞秒激光，避免了因飞秒激光频率展宽而引起的THz发光强度降低。作为发光部分的量子阱正好处于窄带通滤光片的谐振腔层，飞秒激光在该结构中多次来回反射，极大地增强量子阱对飞秒激光的吸收，从而提高其THz发光强度。
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公开(公告)号：CN1773729A
公开(公告)日：2006-05-17
申请号：CN200510029982.8
申请日：2005-09-23
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/101
Abstract: 本发明公开了一种自放大红外探测器，它由InGaAs/AlGaAs多量子阱红外探测器以及AlAs\GaAs\AlAs共振隧穿二极管与InAs量子点组成的探测信号的自放大部分组成。本发明的优点是：巧妙地采用了量子点的量子限制效应和共振隧穿二极管电子的隧道效应，将二者有效结合作为红外量子阱探测器的自放大单元，并且与红外量子阱探测器可以集成在同一芯片上，是一种放大与探测已经完全集成的体系。
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公开(公告)号：CN100392870C
公开(公告)日：2008-06-04
申请号：CN200510029982.8
申请日：2005-09-23
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/101
Abstract: 本发明公开了一种自放大红外探测器，它由InGaAs/AlGaAs多量子阱红外探测器以及AlAs/GaAs/AlAs共振隧穿二极管与InAs量子点组成的探测信号的自放大部分组成。本发明的优点是：巧妙地采用了量子点的量子限制效应和共振隧穿二极管电子的隧道效应，将二者有效结合作为红外量子阱探测器的自放大单元，并且与红外量子阱探测器可以集成在同一芯片上，是一种放大与探测已经完全集成的体系。
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公开(公告)号：CN1595233A
公开(公告)日：2005-03-16
申请号：CN200410025343.X
申请日：2004-06-22
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种窄带通滤光片式的太赫兹量子阱相干光源芯片，它是利用分子束外延技术在衬底上生长一个单量子阱，再利用衬底剥离技术分别在其上下两面镀膜形成无序型薄膜，使量子阱成为窄带通滤光片的谐振腔层，整个芯片结构为窄带通滤光片式。这种结构可以使量子阱只吸收频率范围较窄的飞秒激光，避免了因飞秒激光频率展宽而引起的THz发光强度降低。作为发光部分的量子阱正好处于窄带通滤光片的谐振腔层，飞秒激光在该结构中多次来回反射，极大地增强量子阱对飞秒激光的吸收，从而提高其THz发光强度。
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