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公开(公告)号：CN103117338A
公开(公告)日：2013-05-22
申请号：CN201310067790.0
申请日：2013-03-04
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L33/00
Abstract: 一种低损伤GaN基LED芯片的制作方法，包括如下步骤：步骤1：取一半导体衬底；步骤2：采用金属有机化学气相沉积的方法，在半导体衬底上依次生长低温GaN缓冲层、不掺杂GaN层、N-GaN层、多量子阱发光层和P-GaN层，形成GaN外延片；步骤3：采用PECVD的方法，在GaN外延片上沉积电流阻挡层；步骤4：在电流阻挡层上面的一侧向下刻蚀，刻蚀深度到达N-GaN层，在N-GaN层的一侧形成台面；步骤5：对电流阻挡层进行光刻，使电流阻挡层的面积小于P-GaN层的面积；步骤6：在刻蚀后的GaN外延片的上表面蒸镀ITO薄膜；步骤7：光刻腐蚀掉P-GaN层和电流阻挡层以外的ITO薄膜；步骤8：在ITO薄膜上与电流阻挡层的位置对应处制作P电极；在N-GaN层的一侧的台面上制作N电极，完成制备。
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公开(公告)号：CN103107250A
公开(公告)日：2013-05-15
申请号：CN201310045572.7
申请日：2013-02-05
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种晶圆级发光二极管阵列结构的制备方法，包括以下步骤：步骤1：取一外延片；步骤2：在外延片上制备发光二极管单元模组，形成发光二极管阵列，该发光二极管单元模组包括多个发光二极管；步骤3：在发光二极管单元模组中的发光二极管上涂覆荧光粉，通过发光二极管激发荧光粉产生不同波长的光达到对该发光二极管的输出光色进行调整；步骤4：取一基板；步骤5：将制备有发光二极管阵列的外延片依次固定在基板上，并与基板形成电性连接，完成结构的制备。本方法可整合发光二极管的制备工艺和芯片封装工艺，具有简化工艺路径，降低工艺成本。可以通过工艺对发光二极管的尺寸和间距进行精确控制。
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公开(公告)号：CN102694088A
公开(公告)日：2012-09-26
申请号：CN201210184727.0
申请日：2012-06-06
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种用于GaN基LED的ITO纳米碗阵列的粗化方法，包括如下步骤：1)在LED的电流扩展层的表面排列一单层紧密排列的自组装聚苯乙烯球；2)在自组装聚苯乙烯球的间隙填充二氧化硅凝胶；3)加热，将聚苯乙烯球气化，形成二氧化硅纳米碗阵列，该二氧化硅纳米碗阵列覆盖于电流扩展层的表面；4)采用ICP干法刻蚀，把纳米碗阵列转移到电流扩展层上；5)在BOE或HF溶液中处理，将电流扩展层表面残留的二氧化硅凝胶去除干净，形成电流扩展层的纳米碗阵列。本发明可以提高发光二极管出光效率，得到较佳的发光强度。
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公开(公告)号：CN102637789A
公开(公告)日：2012-08-15
申请号：CN201210126306.2
申请日：2012-04-26
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明提供一种晶圆级LED管芯整体集成封装装置，包括：一模具，包括下模具和上模具，该下模具的表面开有模穴，该上模具内为一真空腔室，其下面开有多个吸气孔；一真空泵，其通过管路与上模具内的真空腔室连接。本发明具有批量化、产业化的优点，且成本低廉。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102569567A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201210075711.6
申请日：2012-03-21
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L33/00
Abstract: 一种氮化物LED外延结构的生长方法，包括以下步骤：步骤1：采用MOCVD技术，在MOCVD反应室里将衬底进行热处理后，降温；步骤2：在衬底生长一层氮化物成核层；步骤3：退火，使衬底表面形成成核层的结晶；步骤4：在结晶的氮化物成核层上生长非故意掺杂氮化镓层；步骤5：在非故意掺杂氮化镓上生长氮化镓应力控制层；步骤6：在氮化镓应力控制层上生长依次生长N型氮化镓层、有源层、P型氮化镓层，得到完整LED外延结构。本发明可以提高发光二极管外延质量，调制外延层中因为晶格失配带来的应力，并有效的改善发光二极管的漏电和抗静电性能。
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公开(公告)号：CN205385020U
公开(公告)日：2016-07-13
申请号：CN201521126964.7
申请日：2015-12-29
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L25/075 , H01L33/48
Abstract: 本实用新型公开了一种可实现自然光谱的LED光源，该LED光源包括：封装基板、电路层、第一光源分区和第二光源分区，其中：所述封装基板的表面铺设有电路层；所述封装基板的表面设有第一光源分区和第二光源分区；所述第一光源分区将第二光源分区包含在内，第一光源分区与第二光源分区之间的区域用于放置多个白光LED芯片；所述第二光源分区位于第一光源分区的中央，用于放置多颗补光LED芯片，所述补光LED芯片发出的光谱填补所述白光LED芯片发出的光谱与自然光谱相比缺失的部分。本实用新型光源显色指数高，使用寿命长，舒适度高，适合应用在家用照明以及对光源有特殊要求的场合。
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公开(公告)号：CN203798537U
公开(公告)日：2014-08-27
申请号：CN201420096830.4
申请日：2014-03-05
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G01M11/02
Abstract: 本实用新型提供了一种LED光源阵列投影测试装置，该LED光源阵列投影测试装置包括：扩束元件，位于被测试LED光源阵列的光路后端；投影元件，位于扩束元件的光路后端；以及投影面，位于投影元件的光路后端；其中，被测试LED光源阵列发出的光束经由扩束元件进行扩束放大后，由投影元件投影至投影面，被测试LED阵列中的单颗LED光源与投影面上的位置具有对应关系。本实用新型LED光源阵列投影测试装置仅使用透镜和反射镜即可将光源点阵模块通过类似投影的方式呈现在任意平面上，目测即可快速找到故障点，装置结构简单，测试过程方便快捷、成本较低。
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公开(公告)号：CN206003823U
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：CN201620993146.5
申请日：2016-08-30
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本实用新型提供一种提高散热性能的高功率LED光源模组，包括：一基板，其上面的中间加工有圆形或方形的凹槽；一中间基板，其镶嵌在基板上的圆形或方形凹槽中并与基板的表面齐平；一上基板，其上开有两个通孔；一下电极，其制作在上基板背面，与中间基板连接；一上电极，其制作在上基板上，该上电极和下电极通过上基板上开的通孔连接；一LED芯片阵列，其制作在上电极上。本实用新型实现了高功率LED光源模组的有效散热，而且体积小、重量轻，提高了高功率LED光源模组的光效、寿命和可靠性。采用金刚石铜复合材料降低了成本，在LED阵列区域下方采用金刚石铜散热，周边其他区域仍是铜，可以进一步降低成本。
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公开(公告)号：CN203193983U
公开(公告)日：2013-09-11
申请号：CN201320196818.6
申请日：2013-04-18
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H05B37/02
CPC classification number: Y02B20/42
Abstract: 本实用新型公开了一种基于高压线性恒流电源的高压LED模组，包括安装基板和多个高压LED器件，其中，所述安装基板包括绝缘层、电路线路层，所述电路线路层设置在所述绝缘层上，所述的绝缘层设置在所述的安装基板上；所述多个高压LED器件分成若干高压LED器件组，排布在所述电路线路层上；每个所述高压LED器件组中的高压LED器件通过电路线路层进行互连，所述每个高压LED器件组在交流供电的每个周期内分段点亮且点亮时间不同，其特征在于，点亮时间较长的高压LED器件工作电流密度小，而点亮时间较短的高压LED器件工作电流密度大。
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