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公开(公告)号：CN1434500A
公开(公告)日：2003-08-06
申请号：CN03115644.4
申请日：2003-03-04
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L21/66
Abstract: 本发明公开了一种碲镉汞材料p－n结结深的测量方法，该方法包括样品的腐蚀，导电类型的测量和台阶高度的测量。其步骤是：利用腐蚀液对碲镉汞样品逐次腐蚀，逐层剥离，每腐蚀一次便进行一次导电类型的测量，导电类型的测量采用温差电动势法。它是根据p型半导体的温差电动势的方向与n型的相反的原理来判断腐蚀是否到p－n结的位置，然后利用台阶仪测量p－n结的结深。本发明的优点是：无需多次制备电极，测量方法简单，测试结果准确。
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公开(公告)号：CN209929317U
公开(公告)日：2020-01-10
申请号：CN201920708752.1
申请日：2019-05-17
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/0216 , H01L31/0296 , H01L31/0352 , H01L31/101 , H01L31/11
Abstract: 本专利公开了一种同时模式双波段碲镉汞探测器，通过减小碲镉汞长波层厚度可使器件制备过程中刻蚀深度变小，因为刻蚀后碲镉汞长波层侧壁有一定坡度，因此减小刻蚀深度可以缩小像元中心距。减小碲镉汞长波层厚度会导致光吸收变少，在钝化层上生长金属层有利于反射电磁波从而提高碲镉汞长波层的光吸收，在减小碲镉汞长波层厚度的同时保证了良好的光吸收。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN204088348U
公开(公告)日：2015-01-07
申请号：CN201420310542.4
申请日：2014-06-12
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/103 , H01L31/0352
Abstract: 本实用新型公开了一种硅基碲镉汞长波光电二极管芯片，其结构自下而上依次为：Si衬底，与Si衬底牢固结合的CdTe缓冲层，在CdTe缓冲层上的微台面异质结光电二极管。本实用新型的优点是：相比于传统结构的硅基碲镉汞长波光电二极管芯片，本实用新型的硅基碲镉汞长波光电二极管芯片采用n-on-P+或p-on-N+结构；能够抑制界面复合，提高器件性能；在不使用滤光片的情况下获得窄带响应光谱，提高长波段的探测率；保证大面阵红外探测器象元串联电阻的一致性。
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公开(公告)号：CN206410789U
公开(公告)日：2017-08-15
申请号：CN201720061385.1
申请日：2017-01-19
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: G01J5/02
Abstract: 本专利公开了一种上端面开窗的液氮杜瓦，由内、外圆柱形金属层组成真空密封腔，在内圆柱金属层顺序安装冷头，接线柱、液氮入口管和与支撑结构组成内部低温主体热传导单元，在外圆柱金属层侧面、顶面上顺序安装接插件，排气管以及窗口形成整体杜瓦结构。该结构特点在于窗口位于杜瓦上端面，内部低温主体热传导单元采用了锥形圆片状的导热结构，在保持良好的热传导性能情况下，极大地减小了冷头、杜瓦的重量，增加了所储存液氮体积；该结构优点在于振动小，重量轻，能与市场上绝大部分落射型光学测量设备组合，实现低温条件下制冷型焦平面探测器生产过程中材料，光敏元阵列芯片性能的稳定测量表征。
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公开(公告)号：CN206282822U
公开(公告)日：2017-06-27
申请号：CN201621281669.3
申请日：2016-11-25
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L21/027
Abstract: 本专利公开了一种可自动控制成形终点的碲镉汞刻蚀掩膜。掩膜的生长方法采用磁控溅射生长硫化锌牺牲层以及二氧化硅掩膜层，掩膜的成形采用电感耦合等离子体技术。通过加入牺牲层，掩膜刻蚀会自动于牺牲层停止，从而可以方便地控制掩膜刻蚀的终点。掩膜的去除方法采用浓盐酸浸泡，通过去除牺牲层，可以将掩膜整体完全去除。该掩膜使得干法刻蚀技术可以被用于二氧化硅掩膜的成形，能够解决现有的湿法腐蚀掩膜工艺面临的尺寸均匀性差，侧壁倾斜，工艺窗口小等缺点。
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公开(公告)号：CN212539415U
公开(公告)日：2021-02-12
申请号：CN202022011969.2
申请日：2020-09-15
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: G01J3/28
Abstract: 本专利公开了一种基于超表面的红外彩色探测器，通过在红外探测器上方放置一个用超表面制作的阶梯光栅阵列，使红外光在透过超表面阵列后发生衍射，在不同方向角上分成短、中、长波红外光，然后照射到能够探测不同波段的红外探测器上，将红外探测器上接收到的信号定义为彩色RGB信号，最后合成彩色图像。该探测器具有透光率高、分色性能好、探测效率高、利用红外波段生成彩色图像的优点。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN210862935U
公开(公告)日：2020-06-26
申请号：CN201921931092.X
申请日：2019-11-11
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: G01J5/02
Abstract: 本专利公开了一种可调控红外焦平面探测器应力芯片装置，所述的红外焦平面探测器应力芯片的调控方法所采用的装置包括：拉杆、拉杆支撑、底座、压条和垫片。所述的装置对于应力芯片调控的方式简单、易于测量，同时该装置搭建容易、可拆卸，而且可以重复使用。将已制备好的红外焦平面探测器芯片用DW‑3低温环氧胶粘贴在压条上，在自由端对其施加向下或者向上的外力，芯片上的光敏元分成四个区域，通过对芯片上光敏元的四个区域进行测试来得到应力芯片光电性能参数，可以测得电阻率的变化。通过这种方法可以直接调控芯片的载流子迁移率，改变其电导率，从而改善红外焦平面探测器的光电响应，最终提高器件的性能。
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公开(公告)号：CN201749851U
公开(公告)日：2011-02-16
申请号：CN201020203495.5
申请日：2010-05-21
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L27/144
Abstract: 本专利公开了一种浸没式微凸镜列阵的红外焦平面探测器，它采用在前视光场方向上原位集成红外镜面窗口的浸没式微凸镜列阵的红外焦平面探测器的结构方案。浸没式微凸镜列阵的红外焦平面探测器不仅具有微凸镜列阵型探测器能抑制串音和提高响应率的优点，而且还能通过将微透镜列阵与前视光场耦合界面迁移到红外镜面窗口位置，以减小受衍射极限限制的光敏元尺寸。这解决了微凸镜列阵型红外焦平面探测器受红外衍射极限严重限制的缺点。同时，折射率合适的低温环氧胶、二氧化硅和硫化锌等多种材料，都能方便地制作浸没式微凸镜列阵的红外焦平面探测器的红外镜面窗口。因而本专利具有结构合理和可制作性好的特点。
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公开(公告)号：CN208904029U
公开(公告)日：2019-05-24
申请号：CN201821335563.6
申请日：2018-08-20
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/0224 , H01L31/107
Abstract: 专利公开了一种可调制表面能带的碲镉汞雪崩二极管探测器，通过在pn结耗尽区钝化层上方增加电极可达到调制钝化层与碲镉汞界面处pn结能带的作用，使钝化层与碲镉汞界面处pn结趋于平带状态从而抑制表面产生-复合、表面隧穿等表面漏电流。该探测器具有可调制pn结区表面能带使其趋于平带状态，抑制表面漏电流从而使二极管工作在反向大偏压下以盖革模式工作的优点，有利于解决常规结构的碲镉汞雪崩二极管器件在反向偏压大于雪崩击穿电压时，会因表面存在较大的漏电流，致使光电二极管发生热电击穿，限制其只能满足以线性模式进行信号探测的问题。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN204516778U
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：CN201520185676.2
申请日：2015-03-31
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/0224
Abstract: 本实用新型公开一种台面型红外探测器引出电极的结构，在台面顶部引出电极一，在台面底部引出电极二，两电极的顶部处于一个水平高度。该结构的优点在于制备工艺简单，能够提高台面型红外探测器引出电极的可靠性。
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