公开(公告)号：CN110120354A

公开(公告)日：2019-08-13

申请号：CN201910371347.X

申请日：2019-05-06

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 敖利波 ,  史波 ,  曾丹 ,  刘勇强 ,  陈兆同

IPC: H01L21/56 ,  H01L23/31 ,  H01L25/065

Abstract: 本发明公开了一种智能功率模块的封装方法及智能功率模块。其中，该方法包括：在智能功率模块完成第一次树脂层封装后，在第一树脂层的外表面进行导电膏体印刷，其中，上述智能功率模块中的功率芯片内置于上述第一树脂层；通过对经导电膏体印刷后的智能功率模块进行第二次树脂层封装，得到封装成型的智能功率模块，其中，上述智能功率模块的驱动芯片内置于第二树脂层。本发明解决了传统的智能功率模块采用引线键合的方式电性连接导致杂散电感偏高，电流承载能力不足的技术问题。

公开(公告)号：CN109406979A

公开(公告)日：2019-03-01

申请号：CN201811129534.9

申请日：2018-09-27

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 刘勇强 ,  史波 ,  敖利波

IPC: G01R31/26

Abstract: 本发明公开了一种预估器件可靠性的方法及装置，该方法包括获取待测试器件的测试温度集合，其中测试温度集合包括多个测试温度，根据多个测试温度，对待测试器件增加电压，预估待测试器件的可靠性。该技术方案预先设定待测试器件的测试温度集合，并根据测试温度集合中的多个测试温度，对待测试器件增加电压，预估待测试器件在多个测试温度下的可靠性，提前检测出功率器件中的不良品，以提高可靠性测试的效率。

公开(公告)号：CN112768356B

公开(公告)日：2024-01-23

申请号：CN201911074969.2

申请日：2019-11-05

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 刘勇强 ,  曾丹 ,  敖利波 ,  肖婷 ,  史波

IPC: H01L21/331

Abstract: 本发明公开了一种沟槽栅IGBT制作方法，包括以下步骤：在有源区形成主结P+区以及在终端区形成多个P+耐压环，在有源区制备多个源区沟槽，并在源区沟槽内制备栅极氧化层，在多个源区沟槽内部的栅极氧化层上以及有源区和终端区的栅极氧化层上制备厚度高达 的多晶硅，在多个源区沟槽之间以及在主结P+区与环绕所述主结P+区的沟槽之间制备P阱区、N+区和N+截止环，然后形成介质层，并进行接触孔刻蚀填充，再形成金属层，最后制备钝化层。本发明由于采用了较厚的多晶硅，故在减薄多晶硅工序后仍保留了 厚的多晶硅，在进行N型离子注入的时候无需再使用光刻版为掩膜，从而减少了一张光刻版降低了制造成本。

公开(公告)号：CN112234030B

公开(公告)日：2023-07-21

申请号：CN201910635287.8

申请日：2019-07-15

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 陈道坤 ,  敖利波 ,  史波 ,  曾丹 ,  曹俊

IPC: H01L21/8252 ,  H01L21/48 ,  H01L23/498 ,  H01L27/02 ,  H01L27/088 ,  H02M7/00

Abstract: 本发明涉及芯片技术领域，公开了一种三相逆变功率芯片及其制备方法，该制备方法包括在衬底上形成有源区和位于有源区之外的隔离区，在每个有源区中形成晶体管的源极、漏极和栅极，在隔离区形成第一焊盘、第二焊盘、第三焊盘和第四焊盘，将芯片的源极、漏极和栅极均延伸至与之对应的第一焊盘、第二焊盘、第三焊盘或第四焊盘，并将晶体管的源极、漏极和栅极和与之对应的第一焊盘、第二焊盘、第三焊盘或第四焊盘电性连接。采用本发明提供的三相逆变功率芯片的制备方法制备的三相逆变功率芯片，提高了集成度且减小了芯片间的寄生电感，从而提高了电路的工作效率。

公开(公告)号：CN111354695B

公开(公告)日：2022-11-15

申请号：CN202010166039.6

申请日：2020-03-11

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 ,  珠海零边界集成电路有限公司

Inventor： 林志龙 ,  敖利波 ,  史波 ,  曾丹

IPC: H01L23/373 ,  H01L23/31 ,  H01L23/00 ,  H01L21/56

Abstract: 本发明提出了一种封装结构及其制造方法，封装结构包括导热底片、芯片、引脚以及塑封材料层，芯片固定在导热底片上，芯片与引脚形成电气连接，封装结构还包括导热网，导热网包裹芯片，并且导热网嵌装在塑封材料层内。本发明提供的封装结构，由于在塑封材料层中嵌入了导热网，提高了封装结构的散热性能，有效解决了现有的封装结构中，由于塑封料散热不好，导致芯片周围热量无法及时散出的问题；有利于注塑材料受热均匀，减少其膨胀系数，从而有效解决了现有封装结构中由于注塑受热不均匀，容易挣脱引线的问题；另外，当发生意外爆炸时，由于使用导热网包裹芯片，不会使芯片弹飞外壳，从而提高了封装结构的安全性。

公开(公告)号：CN112768503B

公开(公告)日：2022-08-19

申请号：CN201911002701.8

申请日：2019-10-21

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 ,  珠海零边界集成电路有限公司

Inventor： 肖婷 ,  史波 ,  敖利波 ,  曾丹 ,  刘勇强

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/739 ,  H01L49/02

Abstract: 本公开提供一种IGBT芯片、其制造方法及功率模块。本公开的IGBT芯片包括：衬底层、设置于所述衬底层正面的若干IGBT元胞、设置于所述衬底层背面的集电极层，所述集电极层中设置有刻蚀槽；还包括热敏电阻，其设置于所述刻蚀槽内；还包括第一背面金属层，其设置于所述热敏电阻上，以与所述热敏电阻形成电连接。本公开在IGBT芯片的背面制程的同时完成热敏电阻的制造，将热敏电阻集成在IGBT芯片背面上，与IGBT芯片的集电极层位于同一平面，然后将热敏电阻背面金属层与集电极层背面金属层通过隔离槽隔开并单独引出热敏电阻引线，连接到外部控制电路上，这样就可以测试出IGBT芯片的真实温度，更好地保护IGBT芯片和保证功率模块的工作运行。

公开(公告)号：CN112768413B

公开(公告)日：2022-08-16

申请号：CN201911002045.1

申请日：2019-10-21

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 薛勇 ,  史波 ,  敖利波 ,  曾丹

IPC: H01L23/13 ,  H01L21/56

Abstract: 本发明提供了一种封装基板及半导体芯片封装结构，涉及半导体封装技术领域。其中封装基板包括：基板本体，所述基板本体包括靠近注塑口的第一端及靠近注塑排气口的第二端；所述第一端设置有允许塑封料缓冲的第一避让结构。本申请中第一避让结构的设置，使得从注塑口一经注入的塑封料胶体不会直接冲击在基板本体处被阻挡而改变流向，而是能够在第一避让结构处得到一个缓冲，随后更均匀的流向基板本体的两侧封装面，改善塑封料在基板本体上下流量不一致的问题，使得塑封料更均匀的流向两侧封装面；从而保证封装产品的外观。

公开(公告)号：CN113394204B

公开(公告)日：2022-07-15

申请号：CN202010166471.5

申请日：2020-03-11

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 ,  珠海零边界集成电路有限公司

Inventor： 苏梨梨 ,  曹俊 ,  敖利波 ,  史波 ,  马浩华

IPC: H01L25/16 ,  H01L23/31 ,  H01L21/50

Abstract: 本发明涉及一种功率半导体器件及功率半导体器件的制造方法，该功率半导体器件包括：塑封壳体，在塑封壳体上设有栅极引脚、集电极引脚、发射极引脚、正极引脚、负极引脚、片选端引脚及控制端引脚；封装在塑封壳体内的IGBT集成电路，其与栅极引脚、集电极引脚和发射极引脚相连；封装在塑封壳体内的DigiPOT集成电路，其与正极引脚、负极引脚、片选端引脚及控制端引脚相连，该DigiPOT集成电路通过固有的输入端和输出端接入在IGBT集成电路的栅极结构层内，并作为能够调节阻值的栅极电阻。该功率半导体器件不仅解决了栅极电阻不可调节的问题，还保证了其具有更广的适用范围和更好的通用性。

公开(公告)号：CN112397388B

公开(公告)日：2022-01-28

申请号：CN201910760385.4

申请日：2019-08-16

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 刘勇强 ,  曾丹 ,  肖婷 ,  敖利波 ,  史波

IPC: H01L21/329 ,  H01L29/861

Abstract: 本发明涉及一种二极管及其制备方法。该二极管的制备方法包括以下步骤：提供表面形成有外延层的衬底，所述外延层的表面包括主结区和包围所述主结区的非主结区；在所述非主结区的表面形成隔离层，并形成与所述主结区位置对应的主结槽；对所述主结槽的底面进行扩铂处理；在所述扩铂处理后的所述主结槽的底面形成电阻层，得到中间器件；其中，所述电阻层在所述主结区的投影面积小于所述主结区的面积；在所述中间器件的正面形成与所述主结区连接并与所述电阻层绝缘设置的阳极，和位于所述电阻层的表面且与所述阳极绝缘设置的电阻电极；在所述中间器件的背面形成阴极。利用该制备方法以解决主结区扩铂不完全，且电阻层电阻值难以控制的问题。

公开(公告)号：CN112310226B

公开(公告)日：2022-01-28

申请号：CN201910691503.0

申请日：2019-07-29

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 刘勇强 ,  曾丹 ,  敖利波 ,  肖婷 ,  史波

IPC: H01L29/861 ,  H01L29/06 ,  H01L21/329

Abstract: 本发明提供一种快恢复二极管，涉及二极管领域。该快恢复二极管，包括：衬底层；N型外延层，位于所述衬底层表面；P型注入区，位于所述衬底层表面，且设置于所述N型外延层的侧部；扩散区，位于所述N型外延层的顶部区域，与P型注入区分隔设置。利用该快恢复二极管能够解决现有技术中采用扩铂工艺降低快恢复二极管反向恢复时间时容易导致其正向导通压降高的问题，通过改变快恢复二极管的结构达到降低快恢复二极管反向恢复时间的目的。