公开(公告)号：CN103165787A

公开(公告)日：2013-06-19

申请号：CN201210535484.0

申请日：2012-12-12

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 杉山直治 ,  佐藤泰辅 ,  财满康太郎 ,  田岛纯平 ,  彦坂年辉 ,  原田佳幸 ,  吉田学史 ,  布上真也

IPC: H01L33/44

CPC classification number: H01L33/32 ,  H01L33/06 ,  H01L33/12

Abstract: 根据一实施例，一种半导体发光装置包括：包含氮化物半导体晶体并在(0001)表面中具有拉伸应力的第一导电类型第一半导体层；包含氮化物半导体晶体并在(0001)表面中具有拉伸应力的第二导电类型第二半导体层；设置在所述第一半导体层与所述第二半导体层之间的发光层，其含有氮化物半导体晶体，并具有大于所述第一半导体层的晶格常数的平均晶格常数；以及设置在所述第一半导体层的与发光层相反的一侧上并向所述第一半导体层施加压应力的第一应力施加层。

公开(公告)号：CN103165778A

公开(公告)日：2013-06-19

申请号：CN201210525705.6

申请日：2012-12-07

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 佐藤泰辅 ,  财满康太郎 ,  田岛纯平 ,  杉山直治 ,  布上真也

IPC: H01L33/24 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/12 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/0095 ,  H01L33/22 ,  H01L33/24

Abstract: 本发明公开了一种用于制造半导体发光元件的方法。根据一个实施例，公开了一种用于制造半导体发光元件的方法。所述方法可以包括将结构体的堆叠主体接合到衬底主体。所述结构体包括生长衬底和设置在所述生长衬底上的所述堆叠主体。所述堆叠主体包括第一氮化物半导体膜、设置在所述第一氮化物半导体膜上的发光膜和设置在所述发光膜上的第二氮化物半导体膜。所述方法可以包括去除所述生长衬底。所述方法可以包括形成多个堆叠体。所述方法可以包括在第一氮化物半导体层的表面中形成凹凸部。所述方法可以包括形成多个半导体发光元件。

公开(公告)号：CN102790155A

公开(公告)日：2012-11-21

申请号：CN201210048487.1

申请日：2012-02-28

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 盐田伦也 ,  洪洪 ,  黄钟日 ,  佐藤泰辅 ,  杉山直治 ,  布上真也

IPC: H01L33/32 ,  H01L33/02 ,  H01L33/04

CPC classification number: H01L33/007 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02658 ,  H01L33/04 ,  H01L33/12 ,  H01L33/32

Abstract: 本发明涉及氮化物半导体器件、氮化物半导体晶片以及制造氮化物半导体层的方法。根据一个实施例，一种氮化物半导体器件包括：基础层，其形成在含Al的氮化物半导体层上，该含Al的氮化物半导体层形成在硅衬底上，基础层包含GaN；以及功能层，其被设置在基础层上，功能层包括第一半导体层，第一半导体层的杂质浓度高于基础层的杂质浓度，且第一半导体层包含第一导电类型的GaN。含Al的氮化物半导体层包括多层结构体，多层结构体包括第一层和多个第二层，第一层被设置在第二层之间。第一层和第二层包含氮化物半导体。第一层的Al组成比低于第二层的Al组成比。基础层的厚度大于第一层的厚度且小于第一半导体层的厚度。

公开(公告)号：CN102790147A

公开(公告)日：2012-11-21

申请号：CN201210017269.1

申请日：2012-01-19

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 盐田伦也 ,  洪洪 ,  黄钟日 ,  佐藤泰辅 ,  杉山直治 ,  布上真也

IPC: H01L33/02 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/32 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02584 ,  H01L29/2003 ,  H01L33/007 ,  H01L33/12

Abstract: 本发明涉及氮化物半导体器件、氮化物半导体晶片以及用于制造氮化物半导体层的方法。根据一个实施例，一种氮化物半导体器件包括：层叠基础层和功能层。在AlN缓冲层上形成所述层叠基础层，所述AlN缓冲层在硅衬底上形成。所述层叠基础层包括交替层叠的AlN基础层和GaN基础层。所述功能层包括低浓度部件和在所述低浓度部件上提供的高浓度部件。在多个GaN基础层中最靠近硅衬底的衬底侧GaN基础层包括：第一和第二部分，以及在所述第一和所述第二部分之间提供的第三部分。所述第三部分具有不小于5×1018cm-3的Si浓度并且具有比所述第一和所述第二部分的厚度的总和小的厚度。

公开(公告)号：CN102399557A

公开(公告)日：2012-04-04

申请号：CN201110266293.4

申请日：2011-09-09

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 冈田葵 ,  福田由美 ,  松田直寿 ,  三石巌 ,  布上真也 ,  惠子·阿尔博萨德 ,  加藤雅礼

IPC: C09K11/80 ,  C09K11/64 ,  H01L33/50

CPC classification number: C09K11/7734 ,  C09K11/0883 ,  C09K11/7728 ,  F21K9/64 ,  H01L33/502 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2924/181 ,  Y02B20/181 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及一种红光发射荧光物质及使用其的光发射器件。特别地，本发明的实施方案提供了由下式(1)所表征的红光发射荧光物质：(M1-xECx)aM1bAlOcNd(1)。在式(1)中，M是选自IA族元素、IIA族元素、IIIA族元素、IIIB族元素、稀土元素和IVA族元素的元素；EC是选自Eu、Ce、Mn、Tb、Yb、Dy、Sm、Tm、Pr、Nd、Pm、Ho、Er、Cr、Sn、Cu、Zn、As、Ag、Cd、Sb、Au、Hg、Tl、Pb、Bi和Fe的元素；M1不同于M并且选自四价元素；并且x、a、b、c和d分别满足条件：0＜x＜0.2、0.55＜a＜0.80、2.10＜b＜3.90、0＜c≤0.25和4＜d＜5。当由在250-500nm波长范围内的光激励时，该物质发射在620-670nm波长范围内具有峰值的光。

公开(公告)号：CN102194986A

公开(公告)日：2011-09-21

申请号：CN201010275105.X

申请日：2010-09-06

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 后藤田徹 ,  名古肇 ,  冈俊行 ,  财满康太郎 ,  布上真也

IPC: H01L33/54

CPC classification number: H01L33/0079 ,  H01L33/22 ,  H01L33/44 ,  H01L33/60 ,  H01L2224/11 ,  H01L2933/0041 ,  H01L2933/005

Abstract: 本发明涉及半导体发光器件以及半导体发光器件的制造方法。一种半导体发光器件具有支撑衬底、发光元件和底部填充材料。所述发光元件包括在所述支撑衬底上通过凸起而接触的基于氮化物的III-V族化合物半导体层。所述底部填充材料被设置在所述支撑衬底与所述发光元件之间，所述底部填充材料包括肋部，所述肋部被设置在所述发光元件的端面的外侧以围绕所述发光元件的所述端面。

公开(公告)号：CN102104107A

公开(公告)日：2011-06-22

申请号：CN201010274434.2

申请日：2010-09-07

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 彦坂年辉 ,  佐藤高洋 ,  三石巌 ,  布上真也

IPC: H01L33/48 ,  H01L33/50 ,  H01L33/64

CPC classification number: H01L33/50 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L33/44 ,  H01L33/504 ,  H01L33/58 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/49107 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及发光器件。根据一个实施例，一种发光器件包括用于发射第一光的半导体发光元件、安装构件、第一和第二波长转换层以及透明层。所述第一波长转换层被设置在所述元件与所述安装构件之间且与所述安装构件接触。所述第一波长转换层吸收所述第一光并发射第二光，所述第二光的波长大于所述第一光的波长。所述半导体发光元件被设置在所述第二波长转换层与所述第一波长转换层之间。所述第二波长转换层吸收所述第一光并发射第三光，所述第三光的波长大于所述第一光的波长。所述透明层被设置在所述元件与所述第二波长转换层之间。所述透明层对所述第一、第二和第三光透明。

公开(公告)号：CN100587986C

公开(公告)日：2010-02-03

申请号：CN200810004026.8

申请日：2008-01-16

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 服部靖 ,  斋藤真司 ,  布上真也 ,  波多腰玄一 ,  橘浩一 ,  信田直美 ,  三石严

IPC: H01L33/00 ,  H01S5/00

CPC classification number: H01L33/507 ,  H01L33/44 ,  H01L33/60 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  Y10S362/80 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种发光器件，包括发射激发光的发光元件和荧光元件。所述荧光元件包括面向发光元件的透射激发光的半透明膜；包括磷光体的发光膜，用来吸收透射穿过半透明膜的激发光、并发射波长不同于所述激发光的可见光；以及布置在其上布置有半透明膜的发光膜相反一侧上的反射膜，用来将透射穿过发光膜的激发光反射向发光膜。

公开(公告)号：CN100557834C

公开(公告)日：2009-11-04

申请号：CN200710128603.X

申请日：2007-07-04

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 服部靖 ,  布上真也 ,  齐藤真司 ,  波多腰玄一

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/20 ,  H01L33/382 ,  H01L33/46 ,  H01L33/60 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/8592 ,  H01L2924/00014

Abstract: 一种半导体发光元件，包括：半导体衬底，其具有第一表面和朝向第一表面的相反侧的第二表面，该半导体衬底具有形成在第一表面中的凹进部分，并且该凹进部分具有V形横截面；形成在凹进部分的内表面上的反射层；形成在反射层上的第一电极；形成在第二表面上发光层，和形成在发光层上的第二电极。

公开(公告)号：CN100517782C

公开(公告)日：2009-07-22

申请号：CN200610093141.8

申请日：2006-06-22

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 服部靖 ,  斋藤真司 ,  布上真也 ,  山本雅裕 ,  信田直美 ,  金子桂 ,  波多腰玄一

IPC: H01L33/00 ,  F21V7/00

CPC classification number: H01L33/507 ,  H01L33/505 ,  H01L33/60 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2924/3025 ,  H01S5/005 ,  H01S5/02248 ,  H01S5/0228 ,  H01S5/183 ,  H01S5/32341 ,  H01S5/327 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体发光装置，包括：半导体发光元件，发射紫外范围和可见范围内的光束；以及荧光元件，吸收来自所述半导体发光元件的所述光束，并在光出射方向上输出可见光束，所述光出射方向不同于发光方向。在所述半导体发光装置内吸收由所述发光元件发射的所述光束。