公开(公告)号：CN111182767B

公开(公告)日：2022-03-04

申请号：CN201911426098.6

申请日：2019-12-31

Applicant: 季华实验室

Inventor： 黄星星 ,  徐平 ,  胡琅 ,  侯立涛 ,  吴猛 ,  冯杰 ,  胡强

IPC: H05K7/20

Abstract: 本发明公开了一种散热器，该散热器包括壳体、传动机构以及散热基板，壳体形成有进液口、出液口及连通进液口和出液口的冷却剂通道，传动机构设于壳体内，用于在动作时带动进液口的冷却剂沿冷却剂通道向出液口流动，散热基板供发热元件安装，散热基板贴靠安装于壳体位于进液口和出液口之间的外壁上。本发明的散热器改进了散热结构，提高了散热能力，满足了高热流密度元件散热要求，并实现了散热器低负载下的节能降耗。

公开(公告)号：CN113774348A

公开(公告)日：2021-12-10

申请号：CN202111107898.9

申请日：2021-09-22

Applicant: 季华实验室

Inventor： 杨振怀 ,  胡琅 ,  胡强 ,  郭远军 ,  卫红 ,  郭可升 ,  肖永能 ,  王鹏 ,  王功伟

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/08 ,  H01B12/06

Abstract: 本申请涉及超导材料领域，公开了一种具有非晶氧化钒薄膜的高温超导体及其制备方法和高温超导线圈，包括以下步骤：以高温超导体为基底，将高温超导体放入高能脉冲磁控溅射设备的腔体内，以金属钒为靶材；腔体抽真空，不加热基底；通入氩气，调整气压，设置高能脉冲电源功率、脉冲频率、脉宽；通入氧气，在高温超导体表面沉积薄膜；通入氮气卸去真空，得到所述具有非晶氧化钒薄膜的高温超导体。本申请的所述具有非晶氧化钒薄膜的高温超导体的制备方法，利用高能脉冲磁控溅射技术具有高离化率的特点，实现了在室温不加热的条件下在高温超导体表面沉积具有电阻可调性能的非晶氧化钒薄膜，所述非晶氧化钒薄膜用于高温超导材料的失超保护。

公开(公告)号：CN113529031A

公开(公告)日：2021-10-22

申请号：CN202010286376.9

申请日：2020-04-13

Applicant: 季华实验室

Inventor： 胡琅 ,  徐平 ,  侯立涛 ,  冯杰 ,  胡强 ,  吴猛

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/06

Abstract: 本发明公开一种类金刚石薄膜及制备方法，其中，类金刚石薄膜包括基材层、过渡层和类金刚石层，过渡层贴设于基材层的一侧，类金刚石层贴设于过渡层远离基材层的一侧，类金刚石层内掺杂有氮原子，以调节类金刚石薄膜内sp2碳键和sp3碳键的相对含量。本发明技术方案改变了类金刚石薄膜的表面电阻，使其满足抗静电的应用需求。

公开(公告)号：CN111074215B

公开(公告)日：2021-07-02

申请号：CN201911382889.3

申请日：2019-12-27

Applicant: 季华实验室

Inventor： 胡琅 ,  胡强 ,  侯立涛 ,  冯杰 ,  徐平 ,  方威 ,  黄星星 ,  黄丽玲

IPC: C23C14/32

Abstract: 本发明提供了一种新型阴极电弧的颗粒过滤器，包括管体，以及套设在管体外的螺线管或多个磁场线圈；还包括设置在管体内的挡环机构；所述挡环机构包括多个沿管体轴线方向排布的挡环，挡环与管体的轴线垂直，挡环具有供阴极电弧穿过的内孔，从前到后，挡环的内孔直径先逐渐减小后逐渐增大。该颗粒过滤器对宏观粒子的过滤能力强。

公开(公告)号：CN112151351A

公开(公告)日：2020-12-29

申请号：CN202011332509.8

申请日：2020-11-24

Applicant: 季华实验室

Inventor： 陈浩 ,  胡琅 ,  姚龙 ,  马聪伟

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明公开了一种抑制电磁干扰及漏波的结构、射频电源及等离子刻蚀设备，通过在射频电源壳体的所有内壁上采用金属化的蜂窝状网络凹腔阵列，当干扰信号入射到蜂窝凹腔结构时，会对干扰信号功率产生衰减，并会产生多重反射及散射，从而抑制射频电源对外部的电磁干扰扰动及漏波危害，满足射频电源壳体对电磁干扰及漏波屏蔽的要求。

公开(公告)号：CN112087159A

公开(公告)日：2020-12-15

申请号：CN202011279291.4

申请日：2020-11-16

Applicant: 季华实验室

Inventor： 陈浩 ,  胡琅 ,  姚龙 ,  马聪伟

IPC: H02M9/00 ,  H03K3/57 ,  G01R29/08

Abstract: 本发明公开了一种用于射频电源的漏波检测电路、方法及射频电源，在天线接收到外界的漏波能量后，通过传输线输入到内部电路，依次进行滤波、放大、整流、检波处理，检波后的功率值在比较控制器中进行比较，若功率值高于阈值，则判定泄露电磁波较高，对设备及人体可能造成伤害，随后通过调整占空比对功率进行控制并进行显性警告，以解决射频电源的漏波辐射对人体造成的安全隐患的问题。

公开(公告)号：CN111969732A

公开(公告)日：2020-11-20

申请号：CN202010751494.2

申请日：2020-07-30

Applicant: 季华实验室

Inventor： 陈浩 ,  胡琅 ,  李晓峰 ,  尤晶

IPC: H02J50/20 ,  H02J50/40 ,  H02J50/00

Abstract: 本发明公开了一种无线能量切换接收装置、方法及系统，所述无线能量切换接收装置包括第一天线、第二天线和切换模块；所述第一天线和第二天线均与切换模块连接，所述切换模块用于在接收到第一信号时切换至第一通路，由第一天线接收电磁波；以及在接收到第二信号时切换至第二通路，由第二天线接收电磁波。本发明实施例通过根据不同的控制信号切换至相应的接收通路，并且由不同的天线进行电磁波接收，使得同一无线能量接收装置可适应不同的接收场合，灵活根据能量传输场景选择相应的接收天线，提高了无线能量接收装置的兼容性和实用性。

公开(公告)号：CN111884607A

公开(公告)日：2020-11-03

申请号：CN202010597111.0

申请日：2020-06-28

Applicant: 季华实验室

Inventor： 李晓峰 ,  胡琅 ,  胡强 ,  徐平 ,  侯立涛 ,  黄丽玲 ,  何斌 ,  黎天韵 ,  郭远军

IPC: H03F3/217 ,  H03F1/32

Abstract: 本发明公开全桥D类放大电路、级联功率模块及大功率射频电源。该全桥D类放大电路包括：左侧半桥，包括左上MOS管和左下MOS管，其具有居中点，其两端分别与电源节点和地节点耦合；右侧半桥，包括右上MOS管和右下MOS管，其具有居中点，其两端分别与电源节点和地节点耦合；变压器，所述变压器的原边的两端分别耦合于所述左侧半桥的居中点和右侧半桥的居中点。该电路使得从电源节点与地节点之间引入的电能被转换为方波电压波形后经变压器的副边输出，其中，所述方波电压波形具有预先设定的射频频率。该全桥D类放大电路的反向电压低，效率高，可靠性高。

公开(公告)号：CN111162743A

公开(公告)日：2020-05-15

申请号：CN201911382855.4

申请日：2019-12-27

Applicant: 季华实验室

Inventor： 冯杰 ,  徐平 ,  胡琅 ,  胡强 ,  侯立涛 ,  郭远军 ,  李晓峰 ,  黄丽玲 ,  黄星星

IPC: H03F3/68 ,  H03F3/45 ,  H03F1/02 ,  H03F1/32

Abstract: 本申请提供一种误差放大器及开关电源，所述误差放大器包括：一偏置电路；一第一级放大电路，其与所述偏置电路连接以获取第一偏置电流，其两个输入端输入差分信号，其输出端输出误差电压信号；一第二级放大电路，其包括第四PMOS管、第七PMOS管以及第一电容、第七NMOS管，所述第七PMOS管的栅极与偏置电路连接以获取预设偏置电压使得所述第七PMOS管处于线性区，第七PMOS管的源极与所述第一级放大电路的输出端连接以获取所述误差电压信号，第七PMOS管的漏极与所述第一电容的一端连接，所述第一电容的另一端与所述第七NMOS管的漏极以及所述第四MOS管的漏极连接于第一公共节点并以第一公共节点作为所述第二级放大电路的输出端；保证了系统稳定性且降低了功耗。