公开(公告)号：CN113774348B

公开(公告)日：2023-06-02

申请号：CN202111107898.9

申请日：2021-09-22

Applicant: 季华实验室

Inventor： 杨振怀 ,  胡琅 ,  胡强 ,  郭远军 ,  卫红 ,  郭可升 ,  肖永能 ,  王鹏 ,  王功伟

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/08 ,  H01B12/06

Abstract: 本申请涉及超导材料领域，公开了一种具有非晶氧化钒薄膜的高温超导体及其制备方法和高温超导线圈，包括以下步骤：以高温超导体为基底，将高温超导体放入高能脉冲磁控溅射设备的腔体内，以金属钒为靶材；腔体抽真空，不加热基底；通入氩气，调整气压，设置高能脉冲电源功率、脉冲频率、脉宽；通入氧气，在高温超导体表面沉积薄膜；通入氮气卸去真空，得到所述具有非晶氧化钒薄膜的高温超导体。本申请的所述具有非晶氧化钒薄膜的高温超导体的制备方法，利用高能脉冲磁控溅射技术具有高离化率的特点，实现了在室温不加热的条件下在高温超导体表面沉积具有电阻可调性能的非晶氧化钒薄膜，所述非晶氧化钒薄膜用于高温超导材料的失超保护。

公开(公告)号：CN113774348A

公开(公告)日：2021-12-10

申请号：CN202111107898.9

申请日：2021-09-22

Applicant: 季华实验室

Inventor： 杨振怀 ,  胡琅 ,  胡强 ,  郭远军 ,  卫红 ,  郭可升 ,  肖永能 ,  王鹏 ,  王功伟

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/08 ,  H01B12/06

Abstract: 本申请涉及超导材料领域，公开了一种具有非晶氧化钒薄膜的高温超导体及其制备方法和高温超导线圈，包括以下步骤：以高温超导体为基底，将高温超导体放入高能脉冲磁控溅射设备的腔体内，以金属钒为靶材；腔体抽真空，不加热基底；通入氩气，调整气压，设置高能脉冲电源功率、脉冲频率、脉宽；通入氧气，在高温超导体表面沉积薄膜；通入氮气卸去真空，得到所述具有非晶氧化钒薄膜的高温超导体。本申请的所述具有非晶氧化钒薄膜的高温超导体的制备方法，利用高能脉冲磁控溅射技术具有高离化率的特点，实现了在室温不加热的条件下在高温超导体表面沉积具有电阻可调性能的非晶氧化钒薄膜，所述非晶氧化钒薄膜用于高温超导材料的失超保护。