公开(公告)号：CN102509734A

公开(公告)日：2012-06-20

申请号：CN201110348900.1

申请日：2011-11-08

Applicant: 复旦大学

Inventor： 卢红亮 ,  耿阳 ,  孙清清 ,  王鹏飞 ,  张卫

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/94 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明属于半导体技术领域，具体为一种利用原子层淀积(ALD)制备锗基MOS电容的方法。本发明步骤为：首先在Ge基衬底上进行快速热氧化处理，形成GeO2；然后在其上淀积高介电常数的HfO2作为栅介质，再制作电极，形成Ge基MOS电容。本发明采用快速热氧化处理方法在Ge基衬底表面形成一层高质量的GeO2，可防止Ge的扩散，减小缺陷电荷和界面态密度，改善界面特性；所淀积的HfO2介质层，厚度可精确控制性，保形性能优异，界面控制能力强，均匀性好。本发明可大大提高Ge基MOS电容的电学特性，从而提高Ge基MOS晶体管的性能。

公开(公告)号：CN204406311U

公开(公告)日：2015-06-17

申请号：CN201520014914.3

申请日：2015-01-10

Applicant: 复旦大学

Inventor： 陈志辉 ,  白子龙 ,  江安全 ,  孟建伟 ,  卢红亮 ,  张卫

IPC: G06F1/20

CPC classification number: Y02D10/16

Abstract: 本实用新型属于微电子技术领域,具体为一种超高速芯片的快速散热装置。快速散热装置包括依次加装在超高速芯片上的肋片散热器、温控开关、半导体制冷片及风冷散热器；本实用新型把自然对流散热、半导体制冷片散热及风冷散热方式相互结合。当超高速芯片工作于低频状态时，芯片散热量较小，肋片散热器依靠自然对流散热即可满足芯片散热要求；当高速芯片工作于高频状态时，芯片散热量急剧增大，温控开关开启半导体制冷片及风冷散热器，迅速冷却超高速芯片。本实用新型解决了目前以及未来超高速芯片难以、快速散热的技术障碍，同时具有高效、经济、节能、简单方便优点。

公开(公告)号：CN214477469U

公开(公告)日：2021-10-22

申请号：CN202120773269.9

申请日：2021-04-15

Applicant: 复旦大学

Inventor： 刘宇航 ,  马宏平 ,  卢红亮

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/24 ,  H01L29/267

Abstract: 本实用新型提供一种具有二维电子气结构的氧化镓基电子器件，所述氧化镓基电子器件包括衬底及位于衬底上的二维电子气结构，所述二维电子气结构包括氧化镓材料层及位于氧化镓材料层上的第二材料层，所述氧化镓材料层包括晶态的氧化镓，所述第二材料层为不同于氧化镓材料层的二元金属氧化物层，所述氧化镓材料层及第二材料层之间形成二维电子气层。本实用新型采用氧化镓材料层和其他二元金属氧化物材料层形成二维电子气结构，可以大幅度提升器件的单位二维电子气密度，提高单位电流密度，提升器件耐压值，且器件的制备工艺可以极大简化，制造成本可以极大降低。

公开(公告)号：CN214705935U

公开(公告)日：2021-11-12

申请号：CN202120773315.5

申请日：2021-04-15

Applicant: 复旦大学

Inventor： 刘宇航 ,  马宏平 ,  卢红亮

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/267

Abstract: 本实用新型提供一种基于氧化镓二维电子气的薄膜场效应晶体管。包括衬底、异质结构、栅介质层、源电极、漏电极及栅电极；异质结构包括位于衬底表面的氧化镓层和位于氧化镓层表面的氧化锌层，氧化镓层和氧化锌层的界面处形成二维电子气；栅介质层位于氧化锌层的表面，栅电极位于栅介质层的表面；源电极和漏电极位于氧化镓层的表面，且与氧化镓层欧姆接触。本实用新型利用在原子层沉积氧化锌的过程中对氧化镓层的氧化还原反应所产生的氧空位，在氧化锌/氧化镓异质结界面处形成导电沟道，通过栅极电压对氧空位浓度的调节，实现对场效应晶体管的开关控制，从而为低导通电阻增强型氧化镓二维电子气的耐压电子器件提供新的解决方案。