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公开(公告)号：CN117554718A
公开(公告)日：2024-02-13
申请号：CN202311414466.1
申请日：2023-10-27
Applicant: 北京微电子技术研究所 , 北京时代民芯科技有限公司
Abstract: 一种基于最小二乘法的单粒子威布尔曲线生成方法，包括：进行重离子试验，获取电路入射离子信息与单粒子翻转截面信息；通过单粒子翻转截面信息，预估幅值参数A的值；根据入射离子信息及单粒子翻转截面，通过规划求解计算阈值参数Xc的值；利用最小二乘法计算单粒子威布尔曲线参数中的形状参数d以及比例参数k；对单粒子威布尔曲线进行拟合，如果曲线不收敛，则返回修调幅值参数A，直至曲线收敛。本发明从多种层面上最大程度地提高了拟合效果，提高了单粒子威布尔拟合曲线的准确性。
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公开(公告)号：CN117150773A
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN202311117577.6
申请日：2023-08-31
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: G06F30/20 , G01T1/02 , G06F119/02
Abstract: 本发明公开了一种电子总剂量换算方法，使用仿真手段对丙氨酸‑ESR的电子总剂量曲线进行校正。首先获得60Co源的标准源数据，接着对电子源和60Co源进行仿真建模，以期在不进行实验的前提下获得总的吸收剂量值；其次是对不同源计算获得的剂量值进行归一化处理，用于准确评估电子源与Co源的差异，能够准确地校正电子总剂量的丙氨酸反应曲线。
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公开(公告)号：CN116885011A
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN202310798197.7
申请日：2023-06-30
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: H01L29/808 , H01L21/337 , H01L29/16
Abstract: 本发明一种抗单粒子烧毁的高压沟槽型SiC JFET器件结构和制备方法，所述新型抗单粒子烧毁的沟槽型SiC JFET结构的元胞包括：漏极金属电极、N+衬底区、N‑漂移区、栅极金属电极、栅极沟槽底部和侧壁离子注入形成的P型掺杂区、电流扩展层、N+源区以及与源区相连的源极金属电极。其中，P型掺杂区整体与栅极相连，其内部由不同掺杂浓度的P型区域构成，重掺杂区域位于栅极沟槽拐角处。该结构改善了器件内部的电场分布，可有效缓解重离子入射引发的器件内部局部高温情况，具有较强的抗单粒子烧毁能力。同时，该结构可于漂移区额外添加缓冲层，进一步提高器件的抗单粒子烧毁能力。
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公开(公告)号：CN112234954B
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202011018917.6
申请日：2020-09-24
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: H03K3/02
Abstract: 本发明一种节点反馈的单粒子翻转加固触发器电路结构，包括：第一反相器电路、延时电路、C单元结构、第一时钟控制输入电路、第二时钟控制输入电路、第三时钟控制输入电路、第四时钟控制输入电路、主锁存器电路、从锁存器电路、第二反相器电路、第三反相器电路、第四反相器电路和第五反相器电路。反相器电路用于反相输入数据信号D、产生时钟信号CLKN、CLKNN以及输出Q；延时电路用于延时瞬态脉冲；C单元结构用于滤波；时钟控制输入结构用于控制信号在主从锁存器中的传播；主从锁存器电路用于保证电路在受到单粒子辐射时信号保持正确的状态。本发明设计的电路结构，针对单粒子翻转，加固效果好，敏感节点划分容易，版图布局易实现。
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公开(公告)号：CN116594829A
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN202210953152.8
申请日：2022-08-10
Applicant: 河海大学 , 北京微电子技术研究所
IPC: G06F11/26 , G06F11/22 , G06F11/263 , G06N3/0464
Abstract: 本发明公开了一种面向FPGA的单粒子翻转仿真系统及仿真方法，所述系统包括故障注入控制系统，用于对故障模型进行选择，发送障注入指令控制故障注入系统进行故障注入，接收来自待测FPGA硬件的输出并将其与预先获取的待测电路在无故障情况下的输出数据进行对比，以判断待测FPGA硬件是否出现故障；故障注入系统，与所述故障注入控制单元相连接，用于对故障注入控制单元发送的故障注入指令进行解析，翻转指定地址上的配置寄存器的逻辑值，本发明解决了基于仿真的故障注入技术可能缺乏故障模型和系统模型的准确性的问题；解决了传统故障注入系统只能进行单一模式故障注入的问题，能够更加真实的模拟出辐射环境中的单粒子效应。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116524982A
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN202310317754.9
申请日：2023-03-27
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
Abstract: 一种集成电路片内存储器单粒子翻转评估方法及系统，包括：在对集成电路进行高能离子辐照的条件下，按照指定顺序对集成电路内部存储器的每个地址进行数据写入，再读出该地址的数据，将每个地址的写入数据与从该地址的读出数据进行比较；如果读出数据与写入数据的值不一致，则输出标识信号；对所述标识信号进行采集计数并显示所述标识信号。本发明可以对集成电路内部存储器全部地址空间进行测试，满足单粒子翻转测试要求。
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公开(公告)号：CN116203381A
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202211058825.X
申请日：2022-08-30
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: G01R31/28
Abstract: 本发明公开了一种基于时间交织的高频信号单粒子瞬态检测方法，包括：在未辐照情况下，对待测电路输出进行时间交织高速采集，得到采样值D(t)，并计算得到对应时刻不含噪声的理想去噪值I(t)和噪声值Z(t)；对待测电路进行辐照试验，对待测电路输出的高频信号进行时间交织高速采集，得到采样值D′(t)；根据采样值D′(t)和对应时刻的噪声值Z(t)，计算得到对应时刻不含噪声的实际去噪值V(t)；根据V(t)与对应时刻的理想去噪值I(t)比较结果，确定对应时刻的单粒子瞬态的幅值和脉宽值；直到辐照试验结束，得到待测电路在重离子下的单粒子瞬态错误特征分布图。本发明有效提高了板级测试单粒子瞬态信号的脉宽精度和幅值精度，提高了测试的准确性。
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公开(公告)号：CN116131811A
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN202211485591.7
申请日：2022-11-24
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种FDSOI工艺的双电源冗余纠错瞬时剂量率辐射加固触发器，采用了电路和版图结合的设计加固方法。针对瞬时剂量率辐射导致电源电压发生扰动的问题，设计了双电源冗余纠错电路结构，可以将瞬时剂量率辐射导致的脉冲信号过滤；版图加固设计中将冗余电源设计为最短长度和最大宽度走线，可减小冗余电源电压的扰动。本发明通过双电源冗余纠错结构抑制了电源电压扰动造成的逻辑错误，提高了触发器单元的抗瞬时剂量率辐射能力，同时冗余电源非全局使用，加固代价小。
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公开(公告)号：CN114297097B
公开(公告)日：2023-04-14
申请号：CN202111452275.5
申请日：2021-12-01
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
Abstract: 一种众核可定义分布式共享存储结构，包括内部数据总线系统、路由单元、处理器核、网络接口单元和存储器模块；横向双向数据线和纵向双向数据线的交叉点放置路由单元；处理器核通过网络接口单元与路由单元连接，路由单元和网络接口单元之间通过处理器核存储访问总线连接；存储器模块直接与路由单元连接。网络接口单元内部集成路由表，它直接根据处理器核发出的存储访问地址查询到目的物理坐标位置，此目的坐标位置添加到数据包的包头后，数据包能够在目的坐标的指引下，通过路由单元，到达要访问的存储器模块。本发明能够克服目前众核处理器存储系统地址空间固定、不支持乒乓操作、存储器模块间无法灵活组合的缺点。
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公开(公告)号：CN115116536A
公开(公告)日：2022-09-27
申请号：CN202210604542.4
申请日：2022-05-30
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种磁阻式随机存取存储器的总剂量效应评估方法及系统，本发明测试模式包括静态测试、动态读测试、动态写测试和不加电对比测试；通过分析不同测试模式下磁阻式随机存取存储器的总剂量辐射特性，能够有效评估总剂量效应。本发明评估方法对掌握磁阻式随机存取存储器总剂量辐射效应致错机理有重要意义，为磁阻式随机存取存储器总剂量辐射效应评估方案的制定提供重要支撑。
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