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公开(公告)号：CN117081559A
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN202311026502.7
申请日：2023-08-15
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: H03K17/687 , H03K19/003
Abstract: 本发明一种具有冷备份功能的低导通电阻高平坦度CMOS开关电路，该CMOS开关电路包括CMOS开关模块、衬底电位控制模块和开关控制模块，该开关电路通过对各模块的电路设计，具有在电源断开后输出为高阻，不存在输入端口对电源、地或后级电路的漏电通路；本发明CMOS开关电路的开关管采用衬底电压跟随输入电压的结构，减小了开关管|VBS|的电压，使开关管阈值电压降低，CMOS开关导通时，通道导通电阻小且导通电阻平坦度高；本发明在CMOS开关的基础上增加断电防护功能，在电源电压断开时，输入电压无到电源、地和输出的通路，不会对系统的其他电路和器件造成损伤，提高了系统的可靠性。
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公开(公告)号：CN114938223A
公开(公告)日：2022-08-23
申请号：CN202210730665.2
申请日：2022-06-24
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: H03K17/687
Abstract: 本发明提供了一种应用于半桥型氮化镓栅极驱动器的自适应死区控制电路，包括高侧死区控制电路和低侧死区控制电路；高侧死区控制电路通过检测母线电压和高侧地之间电压降的变化情况产生开启信号，与高侧输入信号进行逻辑处理后出输给高侧驱动模块；低侧死区控制电路通过检测开关节点和低侧地之间电压降的变化情况产生开启信号，与低侧输入信号进行逻辑处理后出输给低侧驱动模块。本发明根据栅极驱动器于不同负载条件下工作，半桥开关节点处电压上升下降的时间不同来调节高侧控制信号在开关节点电压到达母线电位后再升高，低侧控制信号在开关节点电压到达地低侧电位后再升高，进而调节高侧和低侧功率管的开启时间，在实现零电压开启的基础上尽量减小反向导通时间以达到减小反向导通损耗、提升驱动电路效率的目的。
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公开(公告)号：CN117150773A
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN202311117577.6
申请日：2023-08-31
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: G06F30/20 , G01T1/02 , G06F119/02
Abstract: 本发明公开了一种电子总剂量换算方法，使用仿真手段对丙氨酸‑ESR的电子总剂量曲线进行校正。首先获得60Co源的标准源数据，接着对电子源和60Co源进行仿真建模，以期在不进行实验的前提下获得总的吸收剂量值；其次是对不同源计算获得的剂量值进行归一化处理，用于准确评估电子源与Co源的差异，能够准确地校正电子总剂量的丙氨酸反应曲线。
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公开(公告)号：CN116937946A
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN202310506138.8
申请日：2023-05-06
Applicant: 北京微电子技术研究所 , 北京时代民芯科技有限公司
IPC: H02M1/088 , H02M1/32 , H02M3/07 , H03K17/687
Abstract: 本发明属于集成电路领域，具体涉及了一种用于半桥型氮化镓栅极驱动器的高侧供电电路和供电方法，旨在解决现有的供电电路稳定性不足的问题。本发明包括：依次连接的自举钳位稳压电路和HS负偏压能力提升电路；自举钳位稳压电路包括：低压电平位移电路、驱动电路、开关PMOS管、高压自举二极管DBST1和线性稳压器；HS负偏压能力提升电路包括：自举电容CBST、三通道集成自举子电路、高压电平位移电路、RS触发器和高侧输出驱动电路。本发明使高侧电源HB与高侧地HS之间的压差保持为恒定的5V，实现对GaN器件栅极的钳位保护，通过三通道集成电路避免电平位移电路的电源随HS变负而下降，提升电平位移电路的抗HS负偏压能力。
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公开(公告)号：CN114938223B
公开(公告)日：2023-10-03
申请号：CN202210730665.2
申请日：2022-06-24
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: H03K17/687
Abstract: 本发明提供了一种应用于半桥型氮化镓栅极驱动器的自适应死区控制电路，包括高侧死区控制电路和低侧死区控制电路；高侧死区控制电路通过检测母线电压和高侧地之间电压降的变化情况产生开启信号，与高侧输入信号进行逻辑处理后出输给高侧驱动模块；低侧死区控制电路通过检测开关节点和低侧地之间电压降的变化情况产生开启信号，与低侧输入信号进行逻辑处理后出输给低侧驱动模块。本发明根据栅极驱动器于不同负载条件下工作，半桥开关节点处电压上升下降的时间不同来调节高侧控制信号在开关节点电压到达母线电位后再升高，低侧控制信号在开关节点电压到达地低侧电位后再升高，进而调节高侧和低侧功率管的开启时间，在实现零电压开启的基础上尽量减小反向导通时间以达到减小反向导通损耗、提升驱动电路效率的目的。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112701669A
公开(公告)日：2021-04-23
申请号：CN202011534002.0
申请日：2020-12-22
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种利用公共放电通路提高抗静电网络电荷泄放能力的电路。其特点在于：本专利设计一种新型的ESD网络，针对电路中不适合借助电源通路进行ESD电荷泄放的端口，建立除电源通路外的公共放电通路，利用各通路的ESD保护器件钳位电压的不同，使该类端口电荷泄放借助公共放电通路完成。只需加强公共放电通路的电荷泄放能力，每个端口的电荷泄放能力均得到加强。本专利设计的ESD网络尤其适用于上述端口数量较多的模拟电路，旨在解决该类端口因到电源或地通路电荷泄放压力大导致的ESD能力无法得到保障的难题，同时降低电路成本。
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公开(公告)号：CN117097315A
公开(公告)日：2023-11-21
申请号：CN202311026504.6
申请日：2023-08-15
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: H03K17/687 , H03K19/003
Abstract: 本发明涉及一种具有冷备份功能的CMOS开关电路，该开关电路包括CMOS开关模块、掉电后电源与电路截止模块、掉电后开关控制模块，CMOS开关采用衬底电压跟随输入电压的设计，减小了衬偏效应，降低阈值电压变化对CMOS开关管导通电阻的影响；本发明的CMOS开关加入了冷备份设计，在电源掉电后，输入信号通过电路与电源、地的通路被截断，实现电源、地的电压为0，提高了系统的可靠性；此外，本发明具有冷备份功能的CMOS开关电路，具有在电源断开后输出为高阻，不存在输入信号通过端口对电源、地或后级电路的漏电通路。
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公开(公告)号：CN115912278A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202211160059.8
申请日：2022-09-22
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
Abstract: 本申请涉及欠压保护电路领域，具体公开了一种欠压保护电路，包括分压电路部分和放大电路部分；分压电路部分包括：第一电阻、第二电阻和第一NMOS管，第一电阻的第一端与电源端口电连接，第一电阻的第二端与第二电阻的第一端电连接，第二电阻的第二端与第一NMOS管的漏极电连接，第一NMOS管的栅极与电源端口电连接，第一NMOS管的源极与地电连接且与第一NMOS管的衬底电连接；放大电路部分用于放大电源电压的变化情况。本申请解决了模拟集成电路在使用的过程中由于欠压造成的电路损坏问题。
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公开(公告)号：CN119651488A
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202411153072.X
申请日：2024-08-21
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种高精度欠压保护电路，包括配置电路和比较电路，配置电路用于捕捉芯片输入与输出电压差值的变化情况，通过设置补偿电流来控制欠压阈值；比较电路用于检测并放大芯片输入与输出电压差值。欠压保护电路通过检测输入电压与输出电压差值，与设置的欠压阈值作比较实现对电路的控制功能，在输入电压与输出电压在正常范围波动时，欠压保护电路输出为低电平；当输入电压与输出电压的差值大于欠压阈值时，认为发生负载过载或输出短接地故障，欠压保护电路输出为高电平，控制电路关断，解决了模拟集成电路在使用的过程中由于欠压造成的电路损坏问题。
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公开(公告)号：CN119253533A
公开(公告)日：2025-01-03
申请号：CN202411153070.0
申请日：2024-08-21
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司
IPC: H02H5/04
Abstract: 本发明公开了一种低功耗过温保护电路，包括正温度系数电压产生电路和比较器电路。正温度系数电压产生电路部分用于产生与工作环境温度成正比的电压，比较器电路部分用于检测前级电路产生的电压，当电路温度升高，电压超过设定值，比较器电路输出低电平，后级电路关断，实现过温保护功能，当电路温度重新降低，比较器电路输出恢复正常，后级电路正常工作。本发明结构简单，成本低廉，可广泛应用于总线收发器、驱动器、控制器、保护IC等模拟集成电路。
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