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公开(公告)号：CN115961253A
公开(公告)日：2023-04-14
申请号：CN202111185471.0
申请日：2021-10-12
Abstract: 本发明提供一种金属基底的制备方法，包括：在蓝宝石基底上通过磁控溅射制备金属基底，进行所述磁控溅射时所述蓝宝石基底进行自转，所述自转的转速为30～50转/分钟。还公开该方法制备的金属基底。本发明的金属基底的制备方法，通过磁控溅射这一物理气相沉积制备，在蓝宝石基底上溅射过程中，保持蓝宝石以一定转速自转，可以提高溅射制备的金属基底与蓝宝石的附着力，从而减少或避免退火过程中金属挥发产生孔洞。更进一步，通过选择特定的磁控溅射功率，进一步提高金属基底与蓝宝石的附着力，从而防止退火时产生孔洞。
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公开(公告)号：CN113023718B
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN201911343879.9
申请日：2019-12-24
Applicant: 北京大学
IPC: C01B32/194 , C01B21/064
Abstract: 本发明公开了一种洁净转移制备高质量悬空二维材料支撑膜的方法。该方法利用有机小分子对石墨烯表面进行修饰，使石墨烯薄膜能够克服液体表面张力的影响，从而在液面上保持完整。并且液面上的石墨烯能够有效和多孔基底贴合，从而实现了高完整度(>90％)悬空石墨烯支撑膜的制备。该方法无需引入任何高分子，所得悬空石墨烯薄膜表面洁净，洁净度和机械剥离的石墨烯相当，并可实现洁净悬空石墨烯支撑膜的批量制备。此外，悬空石墨烯层数可控，可制备单层、双层、少层(2～5层)悬空石墨烯支撑膜。该悬空石墨烯支撑膜可直接作为透射电镜载网，用于冷冻电镜制样和单颗粒的高分辨结构解析以及纳米颗粒、单原子的高分辨成像。
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公开(公告)号：CN114956062A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202110213872.6
申请日：2021-02-25
IPC: C01B32/194
Abstract: 本发明公开一种单晶晶圆石墨烯薄膜的转移方法，包括：在直接生长于生长基底上的单晶晶圆石墨烯薄膜表面依次形成萜类小分子层、辅助支撑层并贴合热释放胶带，得到复合层；采用鼓泡剥离法将生长基底分离；待复合层干燥后，将其贴合到目标衬底；以及除去复合层中的热释放胶带和各胶层。本发明的单晶晶圆石墨烯薄膜的转移方法，通过构筑“热释放胶带/辅助支撑层辅助支撑层/萜类小分子层/单晶晶圆石墨烯薄膜/生长基底”的分层结构，基于鼓泡剥离法可以在数分钟之内与生长基底剥离，可以避免鼓泡过程对晶圆石墨烯薄膜的损坏；并且鼓泡剥离法不会损伤生长基底，生长基底可重复使用，可大幅降低生产成本。本发明的转移方法兼容石墨烯的层层转移。
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公开(公告)号：CN114836828A
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN202110138724.2
申请日：2021-02-01
Abstract: 本申请提供一种大畴区石墨烯单晶的制备方法，其包括如下步骤：1)在微量氧化气氛对蓝宝石/金属基底进行退火；2)按照生长气体比例梯度增加的方式提供生长气体，在所述蓝宝石/金属基底上生长得到所述大畴区石墨烯单晶。本发明采用在单晶金属/蓝宝石晶圆基底上利用“外延+取向一致拼接”的方法制备单晶石墨烯薄膜，并且通过“微氧钝化退火+梯度供气”的方式，克服了在拼接过程中会出现的一定程度的转角或者缺陷，使得制得的单晶石墨烯薄膜更加完美，大大提高了所得石墨烯膜的品质，并且所得的石墨烯呈单晶形式，且所得石墨烯单晶畴区尺寸大，畴区尺寸数倍于常规方法得到的石墨烯单晶。
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公开(公告)号：CN114141812A
公开(公告)日：2022-03-04
申请号：CN202111255383.3
申请日：2021-10-27
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种基于Bi2O2Se的超高精度温度‑辐射热传感器及信号去耦合方法。本发明采用高迁移率半导体Bi2O2Se作为有效层制备了基于Bi2O2Se的场效应晶体管式器件，实现了高灵敏度、高分辨率的多模态温度‑辐射热传感器，其制备工艺与现有CMOS工艺完全兼容，可以实现大规模集成。利用该多模态温度‑辐射热传感器对于温度信号和光信号的响应频率不同，本发明还提出了一种随机共振去耦合的方法用于多模态传感输出信号的区分，较传统滤波算法更为准确，能够实现光热信号的高精度采集与解析。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112442729B
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN201910816010.5
申请日：2019-08-30
Abstract: 本申请提供一种制备大面积单晶铜箔的方法。本申请提供的方法包括：‑提供多晶铜箔；‑提供材质为石墨或六方氮化硼的载具；‑将所述多晶铜箔置于所述载具上；‑对所述载具上的所述多晶铜箔在一定温度梯度下进行退火，得到所述单晶铜箔。由于石墨和六方氮化硼等载具具有优良的润滑性，高温下铜和石墨或六方氮化硼的相互作用较弱，采用这种材质的载具可以大大减小退火过程中载具与其上方铜箔之间的相互作用，减小高温下载具对铜箔产生的外应力，因此不仅保证了良好的单晶化效果，而且可以维持铜箔本身形貌的规则平整。
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公开(公告)号：CN113802107A
公开(公告)日：2021-12-17
申请号：CN202010546760.8
申请日：2020-06-16
IPC: C23C16/26 , C23C16/509 , C01B32/186
Abstract: 本发明提供一种利用PECVD制备石墨烯的装置及方法，装置包括沉积炉、等离子体源、第一极板和第二极板，第一极板设置于沉积炉内，第一极板连接于等离子体源的发射端；第二极板设置于沉积炉内，第二极板与第一极板相对设置，且在沉积炉的第一区域具有重叠部分，第二极板连接于等离子体源的接地端。相比现有技术中的电感耦合的方式，由于第一极板和第二极板之间以电容耦合方式激发等离子体，使等离子的分布更均匀，生长在基底上的石墨烯更加均匀，提高了石墨烯薄膜的质量。通过相对设置的极板产生等离子体的方式，使两个极板间产生的辉光区域的面积相比现有技术线圈产生的辉光区域的面积更大，进而本实施例的装置能够生长出大尺寸的石墨烯。
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公开(公告)号：CN112746262A
公开(公告)日：2021-05-04
申请号：CN201911035935.2
申请日：2019-10-29
IPC: C23C16/26 , C23C16/505 , C23C16/54 , C01B32/186
Abstract: 本公开提供一种石墨烯复合金属箔及其双面生长方法和装置，该装置包括化学气相沉积炉、放卷轴和收卷轴，其中化学气相沉积炉包括依次连接的等离子体辉光区和加热生长区；放卷轴和收卷轴分别位于化学气相沉积炉的两侧，通过放卷轴和收卷轴的转动，以带动金属箔进出化学气相沉积炉并在其上沉积生长石墨烯；其中等离子体辉光区内设有包括平板的支架，平板的上下区域均包括中空区域，金属箔平直通过平板表面并悬空于加热生长区，使金属箔双面生长石墨烯。该装置通过特殊的支架设计，可以在金属箔材基底上一次制备得到双面生长的垂直结构石墨烯，生长温度低，垂直结构石墨烯结构和总厚度可控性高，金属种类和材质适应性广，适用于工业化大规模生产。
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公开(公告)号：CN110205603B
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：CN201910618248.7
申请日：2019-07-10
IPC: C23C16/26 , C23C16/455 , C23C16/02
Abstract: 本发明提供多层石墨烯及其制备方法，包括步骤如下：提供一铜箔；将铜箔贴合于基底上；退火处理贴合基底后的铜箔；于退火处理后的铜箔表面进行化学气相沉积生长石墨烯，得多层石墨烯；其中，铜箔与基底之间具有间隔，且间隔小于10μm。该方法通过预先对铜箔进行处理，使铜箔在进行化学气相沉积时，能够在其上下表面构造出不同的气流层，实现对碳源的持续性催化，最终获得高质量的多层石墨烯。此外，本发明的方法还不受尺寸限制，可实现多层石墨烯的放大生产，具有良好的工业化前景。
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