公开(公告)号：CN104485278A

公开(公告)日：2015-04-01

申请号：CN201410770410.4

申请日：2014-12-12

Applicant: 深圳市华星光电技术有限公司

Inventor： 薛景峰 ,  陈归 ,  郝思坤 ,  张鑫

IPC: H01L21/22

CPC classification number: H01L27/1288 ,  G03F1/50 ,  G03F7/20 ,  G03F7/2002 ,  G03F7/32 ,  H01L21/223 ,  H01L21/2652 ,  H01L21/266 ,  H01L27/127 ,  H01L29/66492 ,  H01L29/6675 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78675 ,  H01L29/78678 ,  H01L21/22 ,  H01L21/67011 ,  H01L21/77 ,  H01L27/1214 ,  H01L2021/775

Abstract: 本发明公开了一种阵列基板的掺杂方法及掺杂设备，其方法包括提供定义有待重掺杂区、待轻掺杂区以及待掺杂沟道区的基板；通过光刻工艺在基板上形成光阻层，该光阻层对应待重掺杂区形成第一光阻部，对应待轻掺杂区形成第二光阻部，对应待掺杂沟道区形成第三光阻部，第一光阻部比第二光阻部薄，第二光阻部比第三光阻部薄；经光阻层对待重掺杂区、待轻掺杂区以及待掺杂沟道区进行一次掺杂，以一次形成分别与待重掺杂区、待轻掺杂区以及待掺杂沟道区对应的重掺杂区、轻掺杂区和沟道区。通过上述方式，本发明能够实现对基板的沟道区、重掺杂区以及轻掺杂区的一次掺杂，简化工艺，降低成本。

公开(公告)号：CN104465509A

公开(公告)日：2015-03-25

申请号：CN201310429409.0

申请日：2013-09-18

Applicant: 昆山国显光电有限公司

Inventor： 向长江 ,  邱勇

IPC: H01L21/77 ,  H01L27/32

CPC classification number: H01L21/77 ,  H01L27/3244 ,  H01L2021/775

Abstract: 本发明提供一种OLED显示器件阵列基板制备方法，通过2次掩膜和3离子掺杂工艺实现沟道区域、源极区、漏极区、LDD区、以及电容器下极板等不同功能区的掺杂，制备步骤少、工艺简单；三次掺杂步骤均在间隔有栅极绝缘层的条件下实施，可以施加相同的加速电压，节省了工艺成本，提高了工艺的稳定性和器件的良品率；而且，加速电压相同，掺杂工艺完成后不需要进行快速热处理工艺，简化了工艺步骤；半导体层图案化之前，先进行了整个半导体层的掺杂工艺，形成TFT之后，增加了TFT沟道区域的载流子迁移率，赋予阈值电压（Vth）较小的漂移值，成功补偿了TFT的空间不均性和不稳定性，使得可以通过控制通入每个像素单元的电流大小准确控制像素的明暗程度（灰阶）。

公开(公告)号：CN104409418A

公开(公告)日：2015-03-11

申请号：CN201410641424.6

申请日：2014-11-13

Applicant: 京东方科技集团股份有限公司

Inventor： 胡合合

IPC: H01L21/82 ,  H01L27/02

CPC classification number: H01L27/1288 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/32133 ,  H01L21/32139 ,  H01L21/82 ,  H01L27/02 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1248 ,  H01L29/42356 ,  H01L21/77 ,  H01L27/1214 ,  H01L2021/775

Abstract: 本发明提供一种薄膜晶体管阵列基板及其制备方法、显示装置，该制备方法包括：在基板上形成栅电极、公共电极、栅绝缘层、有源层和源漏金属层的图形；以及，在形成有栅电极、公共电极、栅绝缘层、有源层和源漏金属层的图形的基板上，通过一次构图工艺形成像素电极和钝化层的图形。本发明中，通过一次构图工艺便可形成像素电极和钝化层的图形，从而减少了薄膜晶体管阵列基板的制备过程中的mask数量，降低了生产成本。

公开(公告)号：CN104409413A

公开(公告)日：2015-03-11

申请号：CN201410643661.6

申请日：2014-11-06

Applicant: 京东方科技集团股份有限公司

Inventor： 王珂 ,  刘圣烈

IPC: H01L21/77 ,  H01L21/027

CPC classification number: H01L27/1288 ,  G02F1/13439 ,  G02F1/136286 ,  G02F1/1368 ,  G02F2001/136295 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L27/127 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869 ,  H01L21/77 ,  H01L2021/775

Abstract: 本发明提供一种阵列基板制备方法，属于液晶显示技术领域，其可解决现有的液晶显示的阵列基板制备工艺复杂的问题。本发明的阵列基板制备方法包括：S1、在基底上依次形成半导体材料层和第一光刻胶层，通过光刻工艺形成包括有源区的图形，至少在有源区用于在薄膜晶体管导通时导电的区域上剩余有第一光刻胶层；S2、在完成前述步骤的基底上形成第一材料层，通过光刻工艺用第一材料层形成包括第一结构的图形。本发明特别适于制备使用金属氧化物薄膜晶体管的阵列基板。

公开(公告)号：CN104409362A

公开(公告)日：2015-03-11

申请号：CN201410641116.3

申请日：2014-11-13

Applicant: 京东方科技集团股份有限公司

Inventor： 刘圣烈 ,  宋泳锡 ,  金熙哲 ,  崔承镇

IPC: H01L21/34 ,  H01L21/477 ,  H01L29/786 ,  H01L27/02 ,  H01L21/82

CPC classification number: H01L29/66969 ,  H01L21/44 ,  H01L21/477 ,  H01L21/82 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1259 ,  H01L29/45 ,  H01L29/458 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/786 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78666 ,  H01L29/78669 ,  H01L29/7869 ,  H01L21/77 ,  H01L2021/775

Abstract: 本发明公开了一种薄膜晶体管和阵列基板的制作方法及相应装置，在薄膜晶体管的制作工艺中，在形成薄膜晶体管中有源层、源极和漏极的图形之后，对衬底基板进行退火处理，以使在有源层与源极和漏极的欧姆接触处的源极和漏极的离子热扩散至有源层，进而使有源层中具有源极和漏极的离子从而改变了有源层的组分，降低了有源层与源极和漏极的欧姆接触处的电阻，为薄膜晶体管的均匀性与可靠性提供了保障。并且，退火处理相对于等离子体处理实施相对简单，不会增加整个薄膜晶体管的制作工艺的复杂度，有利于保证薄膜晶体管的生产效率。

公开(公告)号：CN104409347A

公开(公告)日：2015-03-11

申请号：CN201410594803.4

申请日：2014-10-28

Applicant: 重庆京东方光电科技有限公司 ,  京东方科技集团股份有限公司

Inventor： 王武 ,  邱海军 ,  尚飞 ,  王国磊

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/027 ,  H01L21/77

CPC classification number: H01L29/66742 ,  H01L21/77 ,  H01L2021/775

Abstract: 本发明公开了一种薄膜晶体管的制备方法和阵列基板的制备方法，可以使得薄膜晶体管的沟道不受曝光机分辨率的限制，提高阵列基板的开口率。上述薄膜晶体管的制备方法中：该薄膜晶体管中的第一电极层和第二电极层的制备步骤包括：在衬底基板上沉积金属形成第一金属层；在第一金属层上涂覆光刻胶形成第一光刻胶层；采用光刻工艺在衬底基板上形成第一电极层；在衬底基板上沉积金属形成第二金属层；在第二金属层上涂覆光刻胶形成第二光刻胶层；对第二光刻胶层进行曝光、显影处理，去掉除覆盖在第二电极对应的图案所在区域以外的第二光刻胶层；对第二金属层进行刻蚀，形成第二电极层以及第二电极层与第一电极层之间的沟道；剥离剩余的第二光刻胶层。

公开(公告)号：CN103887234A

公开(公告)日：2014-06-25

申请号：CN201210560105.3

申请日：2012-12-20

Applicant: 北京京东方光电科技有限公司

Inventor： 郭建

IPC: H01L21/77 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L27/1248 ,  H01L27/1288 ,  H01L2021/775

Abstract: 本发明公开了一种薄膜晶体管TFT阵列基板，包括：衬底基板、形成于所述衬底基板上的TFT、栅线、数据线以及像素电极，其中，所述TFT阵列基板上除TFT区域以外的区域上，除所述栅线、数据线以及像素电极以外的结构的材料均为有机树脂。本发明还公开一种薄膜晶体管TFT阵列基板的制造方法，采用本发明能减少透过光线的损失，整体提高TFT阵列基板的透过率。

公开(公告)号：CN103828061A

公开(公告)日：2014-05-28

申请号：CN201280045437.6

申请日：2012-09-24

Applicant: 应用材料公司

Inventor： Q·王 ,  W·王 ,  Y·J·崔 ,  S-M·赵 ,  Y·崔 ,  朴范洙 ,  崔寿永

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/205 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L21/31 ,  C23C16/24 ,  C23C16/345 ,  C23C16/401 ,  C23C16/505 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02425 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02664 ,  H01L21/02675 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/786 ,  H01L29/7869 ,  H01L2021/775

Abstract: 本揭露书的实施例大体上提供了于薄膜晶体管器件中形成含硅层的方法。硅可用于在低温多晶硅薄膜晶体管中形成主动通道，或可用作为栅极介电层、钝化层或甚至蚀刻停止层中的一种元素。含硅层通过气相沉积工艺沉积，借着气相沉积工艺而随着硅前体提供惰性气体，如氩气。该惰性气体用于驱除弱的、悬浮的硅-氢键或硅-硅键，因此保留强的硅-硅键或硅-氧键，以形成实质上不含氢的含硅层。

公开(公告)号：CN105514034B

公开(公告)日：2018-11-23

申请号：CN201610020660.5

申请日：2016-01-13

Applicant: 深圳市华星光电技术有限公司

Inventor： 徐向阳

IPC: H01L21/77 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L27/1262 ,  G02F1/136227 ,  G02F1/136286 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L2021/775

Abstract: 本发明提供一种TFT基板的制作方法，首先在基板上制作像素电极、数据线和源/漏极，然后再制作沟道保护层和氧化物半导体层；或者首先在基板上制作一层缓冲层，避免氧化物半导体层跟基板直接接触影响TFT特性，然后在源/漏极制作完成后直接制作氧化物半导体层，省去一层蚀刻阻挡层，从而可避免制作源/漏极的蚀刻制程对氧化物半导体层造成的损伤；并通过在制作公共电极的同时制作覆盖于栅极表面的保护层，以保护栅极不被腐蚀，进而可省去一层绝缘保护层的制作；从而有效简化了制程，提高了TFT基板的信赖性。

公开(公告)号：CN107976844A

公开(公告)日：2018-05-01

申请号：CN201710910374.0

申请日：2017-09-29

Applicant: 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 ,  鸿海精密工业股份有限公司

Inventor： 陈奕维 ,  郑新安 ,  昌文宗 ,  田浩廷 ,  陆一民

IPC: G02F1/1337 ,  G02F1/1339 ,  G02F1/1333 ,  G02F1/1362

CPC classification number: G02F1/1339 ,  G02F1/133512 ,  G02F1/133514 ,  G02F1/1337 ,  G02F1/13394 ,  G02F1/1343 ,  G02F2001/13398 ,  G06F3/0412 ,  H01L2021/775

Abstract: 一种液晶显示面板，其包括薄膜晶体管阵列基板、液晶层以及光学间隙子，所述光学间隙子位于液晶层中，所述薄膜晶体管阵列基板包括像素电极层及配向层，所述配向层设置于所述薄膜晶体管阵列基板与所述液晶层相邻的一侧，所述像素电极层设置于所述配向层远离所述液晶层一侧，所述配向层包括接触部，所述光学间隙子的底端与所述接触部抵持，所述薄膜晶体管阵列基板还包括与所述接触部相邻的阻挡部，阻挡部为相对于所述接触部朝向彩色滤光基板形成的凸起，以限制光学间隙子在薄膜晶体管阵列基板上的相对位移。