公开(公告)号：CN103828061B

公开(公告)日：2018-02-13

申请号：CN201280045437.6

申请日：2012-09-24

Applicant: 应用材料公司

Inventor： Q·王 ,  W·王 ,  Y·J·崔 ,  S-M·赵 ,  Y·崔 ,  朴范洙 ,  崔寿永

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/205 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L21/31 ,  C23C16/24 ,  C23C16/345 ,  C23C16/401 ,  C23C16/505 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02425 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02664 ,  H01L21/02675 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/786 ,  H01L29/7869 ,  H01L2021/775

Abstract: 本揭露书的实施例大体上提供了于薄膜晶体管器件中形成含硅层的方法。硅可用于在低温多晶硅薄膜晶体管中形成主动通道，或可用作为栅极介电层、钝化层或甚至蚀刻停止层中的一种元素。含硅层通过气相沉积工艺沉积，借着气相沉积工艺而随着硅前体提供惰性气体，如氩气。该惰性气体用于驱除弱的、悬浮的硅‑氢键或硅‑硅键，因此保留强的硅‑硅键或硅‑氧键，以形成实质上不含氢的含硅层。

公开(公告)号：CN103828061A

公开(公告)日：2014-05-28

申请号：CN201280045437.6

申请日：2012-09-24

Applicant: 应用材料公司

Inventor： Q·王 ,  W·王 ,  Y·J·崔 ,  S-M·赵 ,  Y·崔 ,  朴范洙 ,  崔寿永

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/205 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L21/31 ,  C23C16/24 ,  C23C16/345 ,  C23C16/401 ,  C23C16/505 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02425 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02664 ,  H01L21/02675 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/786 ,  H01L29/7869 ,  H01L2021/775

Abstract: 本揭露书的实施例大体上提供了于薄膜晶体管器件中形成含硅层的方法。硅可用于在低温多晶硅薄膜晶体管中形成主动通道，或可用作为栅极介电层、钝化层或甚至蚀刻停止层中的一种元素。含硅层通过气相沉积工艺沉积，借着气相沉积工艺而随着硅前体提供惰性气体，如氩气。该惰性气体用于驱除弱的、悬浮的硅-氢键或硅-硅键，因此保留强的硅-硅键或硅-氧键，以形成实质上不含氢的含硅层。

公开(公告)号：CN103379945A

公开(公告)日：2013-10-30

申请号：CN201380000449.1

申请日：2013-03-19

Applicant: 应用材料公司

Inventor： Q·王 ,  崔寿永 ,  R·L·蒂纳 ,  J·M·怀特 ,  古田学 ,  朴范洙

IPC: A99Z99/00

CPC classification number: C23C14/042 ,  C23C16/042

Abstract: 在此叙述一种用以处理基板的装置。一种用于控制基板上的沉积的装置可包括腔室、基板支撑件、以及遮蔽框，腔室包括遮蔽框支撑件，基板支撑件包括基板支撑表面，遮蔽框具有遮蔽框主体及可分离式唇部，遮蔽框主体包括第一支撑面以及相对于第一面的第二支撑面，可分离式唇部与遮蔽框主体连接。可分离式唇部可包括支撑连接件、第一唇部表面、第二唇部表面、第一边缘、以及第二边缘，第一唇部表面面对基板，第二唇部表面相对于第一唇部表面，第一边缘设置在第一支撑面上方，第二边缘相对于第一边缘以接触基板。

公开(公告)号：CN103379945B

公开(公告)日：2016-10-12

申请号：CN201380000449.1

申请日：2013-03-19

Applicant: 应用材料公司

Inventor： Q·王 ,  崔寿永 ,  R·L·蒂纳 ,  J·M·怀特 ,  古田学 ,  朴范洙

IPC: C23C16/04 ,  C23C14/04 ,  H01L21/67

CPC classification number: C23C14/042 ,  C23C16/042

Abstract: 在此叙述一种用以处理基板的装置。一种用于控制基板上的沉积的装置可包括腔室、基板支撑件、以及遮蔽框，腔室包括遮蔽框支撑件，基板支撑件包括基板支撑表面，遮蔽框具有遮蔽框主体及可分离式唇部，遮蔽框主体包括第一支撑面以及相对于第一面的第二支撑面，可分离式唇部与遮蔽框主体连接。可分离式唇部可包括支撑连接件、第一唇部表面、第二唇部表面、第一边缘、以及第二边缘，第一唇部表面面对基板，第二唇部表面相对于第一唇部表面，第一边缘设置在第一支撑面上方，第二边缘相对于第一边缘以接触基板。