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公开(公告)号：CN101859772A
公开(公告)日：2010-10-13
申请号：CN201010197847.5
申请日：2010-06-10
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L27/092 , H01L29/78 , H01L29/02
Abstract: 本发明涉及半导体器件结构，一种具有复合应变沟道的互补金属氧化物半导体CMOS器件，它具有由两类晶格常数不同的材料交错排列构成的应变沟道，产生张应力或压应力。其中NMOSFET的沟道区由N型第一类材料和第二类材料A交错排列形成张应力沟道，PMOSFET的沟道区由P型第一类材料和第二类材料B交错排列形成压应力沟道。该复合沟道结构可以直接在沟道中产生应力，可提高载流子迁移率和器件电流驱动能力。本发明工艺简单，不但适用于90纳米工艺以下的小尺寸器件，还适用于0.13微米工艺以上的较大尺寸器件。
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公开(公告)号：CN100373621C
公开(公告)日：2008-03-05
申请号：CN200410040926.X
申请日：2004-10-28
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L27/092
Abstract: 本发明提供的一种纵向环栅非均匀掺杂锗硅沟道CMOS器件，其特征是它包括：n-SiGe隔离层(10)、渐变n+→n-掺杂SiGe层(11)、δ型分布p+掺杂SiGe层(12)、渐变n+→n-掺杂SiGe层(13)；n-SiGe隔离层(10)、渐变n+→n-掺杂SiGe层(11)、δ型分布p+掺杂SiGe层(12)和渐变n+→n-掺杂SiGe层(13)层组成圆柱形沟道区；p+型SiGe漏区(14)、Si盖帽层(15)。它是利用自建场和锗硅沟道来加速源端注入电子(空穴)速度并提高其电流密度，从而提高器件和电路速度。它具有较高的电子(空穴)迁移率，并可以抑制短沟道效应和漏感应势垒下降效应；从而获得高速、高性能、高集成度的新型器件。
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公开(公告)号：CN115857607B
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202211455579.1
申请日：2022-11-21
Applicant: 重庆邮电大学 , 电子科技大学重庆微电子产业技术研究院
IPC: G05F1/567
Abstract: 本发明涉及一种低功耗全MOS的自偏置电流基准源，属于基准源技术领域。该基准源电路中的电路元件全部采用MOS管，其中使用了工作在深线性区的NMOS管取代了传统电流基准源电路中的电阻，同时令PMOS管的尺寸均一致。本发明具有结构简单、五启动电路、温度系数小、功耗低等优点。
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公开(公告)号：CN119298912A
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN202411828656.2
申请日：2024-12-12
Applicant: 电子科技大学
IPC: H03M1/46
Abstract: 本发明属于数字模拟混合集成电路领域，具体涉及一种基于流水线结构的并行放大量化ADC。本发明采用闭环级间放大器作为级间放大器，级间放大器相应的次级量化子ADC采用并行放大量化子ADC，构成整个流水线ADC的架构，其次级量化时序以并行放大量化子ADC中的CTADC执行低功耗、低精度的量化任务，而高精度的量化任务由DTADC完成。本发明中次级量化时序改变了通常在级间放大器完全建立后的离散时间量化，增加一部分的连续时间量化，让放大和量化并行进行，大大提高了速度，兼顾功耗和精度；并且本发明还可以级联f级的级间放大器和次级并行放大量化子ADC，构成f+2级的流水线结构，以达成更高的性能诉求。
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公开(公告)号：CN118868927A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202411071785.1
申请日：2024-08-06
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于模拟集成电路技术和人工智能交叉领域，具体为一种基于RRAM的可重构神经网络模数转换器。本发明将RRAM sub‑ADC作为流水线单级转换器，减小量化器对RRAM的精度要求，提升架构实用性，实现sub‑ADC的非线性量化功能；通过控制中间级流水线模块的级数，实现模数转换器量化精度的可重构特性；并进一步提供了通过基于硅基半导体的电容阵列、减法器以及残差放大器，降低模型训练算法的难度，提升收敛性，并辅以首级流水线模块中基于神经网络的sub‑ADC，实现了神经网络和硅基电路的融合。本发明为模数转换器的可重构以及非线性量化兼备提供了一种新思路。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118017980B
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202410425536.1
申请日：2024-04-10
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于模拟集成电路领域，具体为一种基于时钟边沿重新排列的波形失真矫正电路。本发明基于对时钟边沿提取并重新排列的思想，利用两个失真信号Injp和Injn上升沿之间或者下降沿之间的间隔时间为二分之一周期的特点，分别通过上升沿/下降沿提取及反向电路，对二者的上升沿/下降沿进行提取并反向，用这个上升沿/下降沿生成一个新的下降沿/上升沿；并分别另行通过上升沿/下降沿提取电路得到二者的上升沿/下降沿；再将这两组信号进行交叉组合得到输出波形信号Out_P和Out_N，从而使得输出Out_P、Out_N的上升沿和下降沿分别与这两个输入信号的上升沿或下降沿对齐。本发明有效解决了现有技术引入附加抖动的问题，兼具低复杂度、高速、低噪声的功效。
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公开(公告)号：CN116084892B
公开(公告)日：2024-04-23
申请号：CN202310120220.7
申请日：2023-02-14
Applicant: 电子科技大学
IPC: E21B43/116 , E21B43/119 , E21B47/00 , G06F30/27 , G06Q50/02
Abstract: 本发明涉及地质工程的井下射孔领域，具体涉及一种基于模糊神经网络的自动射孔系统。本发明通过引入人工智能技术，根据射孔器的工作场景与模糊神经网络结合，依据实时探测的CCL信号序列通过模糊神经网络进行自动化的精准接箍点判定。首先在现有CCL信号序列数据库的基础上，利用梯度下降算法训练模糊神经网络，得到网络参数并存入系统的智能识别单元；然后以结构简单，训练方便，正确率高的智能识别单元为核心的自动射孔系统，实现了不依靠人工经验，自动识别CCL信号序列，判断射孔器当前位置，根据目标位置坐标进行自动射孔作业的功能。该自动射孔系统解决了传统射孔作业中工作人员负担重，可靠性不足的问题。
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公开(公告)号：CN117478069A
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202311555430.5
申请日：2023-11-21
Applicant: 电子科技大学
IPC: H03B5/06 , H03B5/04 , H03K19/094 , H03K19/20
Abstract: 本发明属于模拟集成电路领域，具体为一种无需启动电路的RC振荡器。本发明利用施密特触发器作为RC振荡器中的比较器，利用施密特触发器的迟滞效应和正反馈特性降低回踢噪声的影响；同时在施密特触发器中添加复位端口，从而在电路启动时解除RS触发器输入端同时为低电平的工作状态；并通过延时控制模块将RS触发器的两输出信号经过延时后分别作用在两施密特触发器的复位端，确保施密特触发器的复位信号不会在输入信号变化之前提早对输出结果进行控制，避免了时序错误。本发明有效解决了现有RC振荡器需要启动电路和噪声较高的问题。
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公开(公告)号：CN117176150A
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN202311123552.7
申请日：2023-09-01
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于模拟集成电路技术领域，具体为一种动态SAR ADC电容阵列结构。本发明将最高位电容和终端电容外的电容设置为分裂电容，其中次高位电容均匀分裂，其余分裂电容不均匀分裂。在量化过程中只对分裂电容中的一个电容进行上切或下切(不均匀分裂的电容，将较小电容进行上切或者下切)，另一个电容下极板仍保持接共模电压Vcm；在CDAC建立完成之后两个电容下极板均被浮空，通过在量化过程中不断浮空高位电容下极板的方式，连续减少下极板进行有源切换的电容的个数，下极板已经被浮空的电容两端的电压差不发生变化，电容不再抽取或泄放电荷，于是不再贡献动态功耗，在不影响其功能和性能的前提下，ADC的切换功耗显著降低。
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公开(公告)号：CN116961665A
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202310758217.8
申请日：2023-06-26
Applicant: 电子科技大学
IPC: H03M1/46
Abstract: 本发明属于模数混合集成电路技术领域，具体为一种采用双比较器的高速SAR ADC。本发明在SAR ADC的转换过程中，通过两个比较器交替工作对电容阵列上极板电压进行比较；在完成比较之后，开关控制逻辑直接根据比较结果进行开关切换，使得SAR Logic中对比较器比较结果的锁存操作与电容下极板开关切换操作并行进行。本发明可以保证SAR ADC在量化每一位时，有且仅有一个开关控制模块接受比较器的比较结果，保证开关切换的正确性；并且SAR Logic中的移位存储操作与开关切换操作并行进行，从而使得SAR ADC的环路延时仅为比较器的比较时间tcomparator、开关切换时间tsw和电容阵列建立时间tcdac，大大提高了SAR ADC的工作速度。
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