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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115437447A
公开(公告)日：2022-12-06
申请号：CN202211318367.9
申请日：2022-10-26
Applicant: 电子科技大学
IPC: G05F1/567
Abstract: 本发明属于模拟集成电路领域，涉及集成电路中的温度传感器，具体为一种带低温漏电补偿的MOS管温度传感器。本发明利用亚阈值区工作的MOS管进行感温，减小电路的功耗；并通过设定第一MOS管M1和第二MOS管M2类型一致，且M1的宽长比远大于M2的宽长比，从而保证输出电流的量级，实现低温补偿模块补偿MOS管的低温漏电，提高了低温下的感温线性度，从而拓宽了MOS管温度传感器的感温范围。本发明电路的结构简单，降低了面积，工作温度范围大，有利于集成在芯片的功能模块内部。
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公开(公告)号：CN115437447B
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN202211318367.9
申请日：2022-10-26
Applicant: 电子科技大学
IPC: G05F1/567
Abstract: 本发明属于模拟集成电路领域，涉及集成电路中的温度传感器，具体为一种带低温漏电补偿的MOS管温度传感器。本发明利用亚阈值区工作的MOS管进行感温，减小电路的功耗；并通过设定第一MOS管M1和第二MOS管M2类型一致，且M1的宽长比远大于M2的宽长比，从而保证输出电流的量级，实现低温补偿模块补偿MOS管的低温漏电，提高了低温下的感温线性度，从而拓宽了MOS管温度传感器的感温范围。本发明电路的结构简单，降低了面积，工作温度范围大，有利于集成在芯片的功能模块内部。
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公开(公告)号：CN117478069A
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202311555430.5
申请日：2023-11-21
Applicant: 电子科技大学
IPC: H03B5/06 , H03B5/04 , H03K19/094 , H03K19/20
Abstract: 本发明属于模拟集成电路领域，具体为一种无需启动电路的RC振荡器。本发明利用施密特触发器作为RC振荡器中的比较器，利用施密特触发器的迟滞效应和正反馈特性降低回踢噪声的影响；同时在施密特触发器中添加复位端口，从而在电路启动时解除RS触发器输入端同时为低电平的工作状态；并通过延时控制模块将RS触发器的两输出信号经过延时后分别作用在两施密特触发器的复位端，确保施密特触发器的复位信号不会在输入信号变化之前提早对输出结果进行控制，避免了时序错误。本发明有效解决了现有RC振荡器需要启动电路和噪声较高的问题。
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公开(公告)号：CN117804622A
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202410002763.3
申请日：2024-01-02
Applicant: 电子科技大学
IPC: G01K7/00
Abstract: 本发明属于模拟集成电路领域，涉及集成电路中的温度传感器，具体为一种基于MOS管栅极泄漏电流的温度传感器。本发明利用MOS管的栅极泄露电流，使该电流流经工作在亚阈区的MOS管，从而产生CTAT电压。由于栅极泄露电流极小，因此保证了感温前端极低的功耗。由于将输出信号建立了与阈值电压之间的线性关系，而阈值电压在较宽的温度范围内，与温度有着强线性关系，因此在电路结构简单的同时，也保证了较宽的感温范围和较高的温度线性度。同时，本发明可扩展性较高，可根据性能需求，在不同的应用场景下采用不同的量化模块以满足相应的需求，有利于集成在芯片内部实现高精度感温。
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公开(公告)号：CN117589318A
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN202311555413.1
申请日：2023-11-21
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于模拟集成电路领域，涉及集成电路中的温度传感器，具体为一种基于RC振荡器的温度传感器。本发明利用具有正温特性和零温特性的电阻分别构成的RC振荡器输出两组具有一定温度特性的频率信号FN和FS，并将二者作比值得到温度线性度高的频率比值信号FS/FN，实现宽温度范围内的高精度感温；同时，由于FN和FS的频率表达式中都具有包含电源电压VDD的项，因此在作比值的过程中可以约掉，从而抵消部分电源电压波动的影响，使得该温度传感器具有较强的电源波动抑制能力；只需外部电源电压VDD的接入，而由自身产生参考基准频率和逻辑控制信号，扩大了传感器的应用范围。本发明电路结构简单的同时，在宽感温范围内实现了高精度的测量。
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