-
公开(公告)号：CN117912815A
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202410301180.0
申请日：2024-03-15
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明公开了一种变压器、射频功放电路及射频电源，属于射频技术领域，包括第一电路板和第二电路板，第一电路板与第二电路板之间设置有至少一组第一原边绕组，每组第一原边绕组包括两个铜管，每个铜管均作为独立的通道连接在第一电路板与第二电路板之间且每个铜管的外侧均套设有磁环；每组第一原边绕组中均绕制有对应的第一副边绕组，第一副边绕组包括导线，导线交替穿过对应的两个铜管形成的通道并绕设在对应的两个铜管上。本发明的变压器能够实现阻抗变换和双端转单端信号传输，满足推挽结构的射频功放电路的阻抗匹配要求，同时整体体积小，有利于减少射频功放电路的电路板尺寸，进而达到缩小射频电源尺寸的目的。
-
公开(公告)号：CN117535624B
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202410037451.6
申请日：2024-01-10
Applicant: 季华实验室
IPC: C23C14/08 , C23C14/32 , C22C27/02 , G01J5/0875
Abstract: 本申请涉及激光防护技术，公开了具有氧化钒薄膜的红外窗口及制备方法和应用，包括以下步骤：以红外窗口为基底，放入过滤阴极真空电弧沉积设备的真空腔体中，以钒‑钆合金为金属靶，在基底上沉积氧化钒薄膜。本申请的具有氧化钒薄膜的红外窗口的制备方法，利用高离化率的过滤阴极真空电弧工艺制备氧化钒薄膜，通过工艺参数的调整并掺杂合适的元素，使沉积得到的氧化钒薄膜具有超细的晶粒和较低的表面粗糙度，对激光的响应时间在皮秒量级。
-
公开(公告)号：CN117535624A
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN202410037451.6
申请日：2024-01-10
Applicant: 季华实验室
IPC: C23C14/08 , C23C14/32 , C22C27/02 , G01J5/0875
Abstract: 本申请涉及激光防护技术，公开了具有氧化钒薄膜的红外窗口及制备方法和应用，包括以下步骤：以红外窗口为基底，放入过滤阴极真空电弧沉积设备的真空腔体中，以钒‑钆合金为金属靶，在基底上沉积氧化钒薄膜。本申请的具有氧化钒薄膜的红外窗口的制备方法，利用高离化率的过滤阴极真空电弧工艺制备氧化钒薄膜，通过工艺参数的调整并掺杂合适的元素，使沉积得到的氧化钒薄膜具有超细的晶粒和较低的表面粗糙度，对激光的响应时间在皮秒量级。
-
公开(公告)号：CN111614152B
公开(公告)日：2023-12-19
申请号：CN201910131750.5
申请日：2019-02-22
Applicant: 季华实验室
IPC: H02J9/06
Abstract: 本发明公开了一种在线更换式无间断输出电源，其包括有主板以及插接于主板的多个电源模块，多个电源模块的输出功率之和作为无间断输出电源的总输出功率，主板包括有：报警系统；实时反馈和诊断系统，用于实时监测多个电源模块的工作参数数据，并且当电源模块的任一工作参数达到预设报警值时，通过报警系统发出报警提示；模块切换系统，用于根据实时反馈和诊断系统的监测结果控制电源模块的功率输出状态，并且当电源模块的任一工作参数达到预设报警值时，控制该电源模块停止功率输出，同时调整其他电源模块的输出功率，以令其他电源模块的输出功率之和保持在总输出功率。本发明实现了在线更换电源模块以及无间断功率输出。
-
公开(公告)号：CN115821218A
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202211662102.0
申请日：2022-12-23
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种镀膜设备及镀膜方法,通过磁过滤器对由等离子体发生器生成的靶材等离子体射流进行呈电中性的粒子团簇的过滤处理后，由偏转通道的第一电极板吸附带负电的电子，通过正对偏转通道出口的第三电极板吸附由于惯性而撞向第三电极板的带负电的粒子团簇，并由位于偏转通道出口上方的一侧的第四电极板使带正电的离子转向并加速射入镀膜室以对被镀工件进行镀膜，由于沉积在被镀工件的表面上均是带正电的离子（避免了粒子团簇对镀膜的影响），从而提高镀膜质量。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115239712A
公开(公告)日：2022-10-25
申请号：CN202211152005.7
申请日：2022-09-21
Applicant: 季华实验室
IPC: G06T7/00 , G06N3/04 , G06V10/764 , G06V10/774 , G06V10/82
Abstract: 本申请属于图像识别技术领域，公开了一种电路板表面缺陷检测方法、装置、电子设备及存储介质，获取待检测的电路板图像；把所述电路板图像输入预先训练好的CNN‑Transformer融合模型，得到所述CNN‑Transformer融合模型输出的缺陷识别结果；由于CNN‑Transformer融合模型兼顾了模型性能和推理速度，且不增加额外的时间复杂度和空间复杂度，从而识别结果准确率较高且检测效率较高。
-
公开(公告)号：CN114662424B
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN202210548370.3
申请日：2022-05-20
Applicant: 季华实验室
IPC: G06F30/28 , G06F111/10 , G06F113/08 , G06F119/14
Abstract: 本发明涉及数据模拟分析技术领域，具体公开了一种薄膜沉积模拟方法、装置、电子设备及存储介质，其中，方法包括以下步骤：设定代表薄膜凝固情况的第一相场参量及代表输入蒸汽局部密度的第二相场参量；根据第一相场参量和第二相场参量建立用于模拟物理气相沉积的弹道沉积相场模型；根据第一相场参量耦合弹道沉积相场模型和固态薄膜的杨氏模量，以使弹道沉积相场模型与力学平衡方程耦合而建立薄膜沉积模型；根据薄膜沉积模型进行薄膜沉积模拟；该方法实现薄膜沉积过程的预测模拟，且能根据模拟结果反映薄膜沉积形态和应力分布特点。
-
公开(公告)号：CN114720048A
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202210648150.8
申请日：2022-06-09
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请涉及半导体领域，具体而言，涉及一种电容薄膜真空计及NEG薄膜制备方法，一种电容薄膜真空计包括：壳体，具有一容置腔；电容膜片，将容置腔分隔为测量室和参考腔；连接口，与测量室连通；固定电极，设在参考腔中并与电容膜片平行，形成电容器；还包括：NEG薄膜，NEG薄膜镀在参考腔的内壁，用于吸收参考腔内部的残余气体。通过在参考腔的内壁镀一层NEG薄膜，提高NEG薄膜的吸气效率，能够很好地保持参考腔的真空度，从而提高电容薄膜真空计的测量精度。通过NEG薄膜制备方法对参考腔的内壁进行NEG薄膜镀膜，从而获得镀有NEG薄膜的参考腔。
-
公开(公告)号：CN114662424A
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN202210548370.3
申请日：2022-05-20
Applicant: 季华实验室
IPC: G06F30/28 , G06F111/10 , G06F113/08 , G06F119/14
Abstract: 本发明涉及数据模拟分析技术领域，具体公开了一种薄膜沉积模拟方法、装置、电子设备及存储介质，其中，方法包括以下步骤：设定代表薄膜凝固情况的第一相场参量及代表输入蒸汽局部密度的第二相场参量；根据第一相场参量和第二相场参量建立用于模拟物理气相沉积的弹道沉积相场模型；根据第一相场参量耦合弹道沉积相场模型和固态薄膜的杨氏模量，以使弹道沉积相场模型与力学平衡方程耦合而建立薄膜沉积模型；根据薄膜沉积模型进行薄膜沉积模拟；该方法实现薄膜沉积过程的预测模拟，且能根据模拟结果反映薄膜沉积形态和应力分布特点。
-
公开(公告)号：CN114354994A
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN202210044159.8
申请日：2022-01-14
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明涉及微波电源保护领域，具体为一种微波电源测试平台的水冷保护结构，包括冷水机和微波电源测试平台，冷水机通过水管连接形成主水路；每一个微波电源测试平台包括一台微波电源且根据对应的微波电源的输出功率安装有独立的冷却水保护系统；冷却水保护系统用于确保各个微波电源测试平台能够单独从主水路中获取冷却水；每一微波电源出水口与冷水机第一进水口之间设置有第一测量计；第一测量计用于测量冷却水的流量和温度。本发明通过对各个微波电源测试平台设置能够从主水路中独立取水的冷却水保护系统，同时监测冷却水回流的情况，有利于确保测试过程的安全性，同时提高测试平台的稳定性。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
109
records
(took 0.057 seconds)
