公开(公告)号：CN103915327B

公开(公告)日：2016-04-20

申请号：CN201410078022.X

申请日：2014-03-05

Applicant: 复旦大学

Inventor： 周鹏 ,  沈彦 ,  魏红强 ,  沈于兰 ,  杨松波

IPC: H01L21/285 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明属于碳基集成电路制造技术领域，具体涉及一种利用岛状石墨烯片在石墨烯上生长高K介质的方法。本发明在一块面积大的单层石墨烯上生长许许多多小圆斑的岛状石墨烯单层，利用两石墨烯台阶处存在着悬挂键，作为成核位点，采用原子层沉积方法在石墨烯上淀积高K介质。由于存在很多的岛状石墨烯片，能提供足够的成核位点，可以形成连续的高K介质薄膜。该方法简单方便可靠，对石墨烯造成影响小，可以作为在石墨烯上形成高K介质一种基本方法。

公开(公告)号：CN101740717B

公开(公告)日：2014-09-03

申请号：CN200910145691.3

申请日：2009-05-15

Applicant: 复旦大学

Inventor： 林殷茵 ,  吕杭炳 ,  王明 ,  周鹏

IPC: H01L45/00 ,  H01L27/24 ,  H01L21/82

Abstract: 本发明属于金属氧化物不挥发存储器技术领域，涉及一种CuxO基电阻型存储器及其制备方法，该CuxO基电阻型存储器包括上电极、铜下电极、以及设置在上电极和铜下电极之间的CuxO基存储介质，所述CuxO基存储介质是通过对覆盖在铜下电极上的CuSi化合物缓冲层氧化处理形成，其中，1＜x≤2。该发明提供的电阻型存储器能避免存储介质之下产生空洞，从而保证器件的良率以及可靠性，同时具有相对低功耗的特点。

公开(公告)号：CN103928305A

公开(公告)日：2014-07-16

申请号：CN201410157129.3

申请日：2014-04-19

Applicant: 复旦大学

Inventor： 周鹏 ,  杨松波 ,  沈于兰

IPC: H01L21/205 ,  C01B31/04

CPC classification number: H01L21/02414 ,  C01B32/186 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/02527 ,  H01L21/0262

Abstract: 本发明属于碳基集成电路制造技术领域，具体为一种通过控制衬底上的石墨烯成核位点生长石墨烯的方法。本发明是在一块铜或二氧化硅衬底上，通过控制衬底上石墨烯成核位点来生长各种形状的连续的石墨烯，其中利用一块设计好形状的掩模板，用物理气相沉积的方法在衬底上淀积上很小点状的铜作为石墨烯成核位点，通过控制成核位点让石墨烯生长成特定形状的连续的石墨烯。该方法简单方便可靠，可以作为低压化学气相沉积生长石墨烯的一种基本方法。

公开(公告)号：CN103915327A

公开(公告)日：2014-07-09

申请号：CN201410078022.X

申请日：2014-03-05

Applicant: 复旦大学

Inventor： 周鹏 ,  沈彦 ,  魏红强 ,  沈于兰 ,  杨松波

IPC: H01L21/285 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/0228 ,  H01L21/02304

Abstract: 本发明属于碳基集成电路制造技术领域，具体涉及一种利用岛状石墨烯片在石墨烯上生长高K介质的方法。本发明在一块面积大的单层石墨烯上生长许许多多小圆斑的岛状石墨烯单层，利用两石墨烯台阶处存在着悬挂键，作为成核位点，采用原子层沉积方法在石墨烯上淀积高K介质。由于存在很多的岛状石墨烯片，能提供足够的成核位点，可以形成连续的高K介质薄膜。该方法简单方便可靠，对石墨烯造成影响小，可以作为在石墨烯上形成高K介质一种基本方法。

公开(公告)号：CN103915319A

公开(公告)日：2014-07-09

申请号：CN201410157128.9

申请日：2014-04-19

Applicant: 复旦大学

Inventor： 周鹏 ,  杨松波 ,  沈于兰

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01L21/0242 ,  H01L21/02527 ,  H01L21/02598 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/0405

Abstract: 本发明属于碳基集成电路制造技术领域，具体涉及一种转移CVD石墨烯制备石墨烯器件的方法。在一块衬底上（如二氧化硅衬底），利用一块设计好形状的掩模板，采用物理气相沉积的方法在衬底上淀积一层薄铜，之后再在衬底上淀积制备器件所需的金属电极金；利用低压化学气相沉积的方法在电极之间生长石墨烯，不需旋涂PMMA，直接刻蚀铜，去除完铜后进行清洗，即可制备得石墨烯器件。本发明方法简单方便可靠，不需旋涂PMMA，减少对石墨烯的玷污和损伤，改善石墨烯器件电极接触电阻。该方法是转移的CVD石墨烯制备石墨烯器件的一种基本方法。

公开(公告)号：CN103474340A

公开(公告)日：2013-12-25

申请号：CN201310449100.8

申请日：2013-09-28

Applicant: 复旦大学

Inventor： 孙清清 ,  郑珊 ,  王鹏飞 ,  张卫 ,  周鹏

IPC: H01L21/285 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明属于半导体集成电路技术领域，具体涉及一种利用双层绝缘层释放金属和半导体接触时费米能级钉扎的方法。本发明在金属和半导体之间插入一超薄的双层绝缘层，利用绝缘层和半导体之间形成的电偶极子以及两层绝缘层之间形成的电偶极子来拉低由于金属和半导体接触时费米能级钉扎所形成的高的肖特基势垒高度，方法简单有效，而且能够有效地释放费米能级钉扎，减小肖特基势垒高度，减小金属与半导体的接触电阻，实现欧姆接触。

公开(公告)号：CN101894907B

公开(公告)日：2013-11-27

申请号：CN200910051873.4

申请日：2009-05-21

Applicant: 复旦大学

Inventor： 林殷茵 ,  吕杭炳 ,  周鹏 ,  王明

IPC: H01L45/00 ,  G11C11/56 ,  H01L21/8238

Abstract: 一种CuxO基电阻型存储器制备方法，属于集成电路制造技术领域。通过在CuSi化合物缓冲层上氧化形成CuxO基存储介质后，再对CuxO基存储介质进行硅化处理，能够在CuxO基存储介质中的掺入的更多Si元素，实现Si元素在CuxO基存储介质中整体分布相对更均匀，特别是在CuxO基存储介质上表层也形成了Si元素掺杂，从而提高该电阻型存储器的Ron和数据保持特性。采用该方法制备的CuxO电阻型存储器具有低功耗、长数据保持特性的优点。

公开(公告)号：CN101393769B

公开(公告)日：2013-10-16

申请号：CN200810201662.X

申请日：2008-10-23

Applicant: 复旦大学

Inventor： 林殷茵 ,  万海军 ,  尹明 ,  周鹏 ,  宋雅丽

IPC: G11C11/21 ,  G11C5/14

Abstract: 本发明涉及电阻存储器的激活操作方法，属于电阻存储器领域，用于具有激活电压的电阻存储器从初始高阻态向低阻态转换，在所述电阻存储器上，施加使存储介质上的偏置电压低于所述激活电压的脉宽为tf的宽脉冲电信号，其脉宽tf大于电阻存储器均能从初始高阻态向低阻态转变所需时间的上限值tc，以确保阵列中所有电阻存储器均能从高阻值转变为低阻值。本发明提供的激活操作方法具有低电压操作的特点，可以使电阻存储器的驱动电路中不需要电荷泵电路来产生额外的高压，并能避免因激活操作的电压过高而引起存储介质击穿、失去存储性能等问题。

公开(公告)号：CN102841324A

公开(公告)日：2012-12-26

申请号：CN201210324718.7

申请日：2012-09-05

Applicant: 复旦大学

Inventor： 吴俊 ,  张卫 ,  王鹏飞 ,  孙清清 ,  周鹏

IPC: G01R33/09

Abstract: 本发明属于磁场探测技术领域，具体涉及一种各向异性磁阻器件的电路结构。本发明用特定的电路结构来制造各向异性磁阻器件，使得各向异性磁阻器件的整体体积减小并且使所测磁场集中在较小的区域内，从而使各向异性磁阻器件能够更加灵活地运用于其他器件中，以达到器件小型化、集约化的目的。

公开(公告)号：CN102709177A

公开(公告)日：2012-10-03

申请号：CN201210195407.5

申请日：2012-06-14

Applicant: 复旦大学

Inventor： 周鹏 ,  沈于兰 ,  孙清清 ,  王鹏飞 ,  张卫

IPC: H01L21/316

Abstract: 本发明属于碳基集成电路制造技术领域，具体涉及一种利用罗丹明作为缓冲层的石墨烯上高k介质原子层沉积方法。本发明方法在石墨烯表面覆盖罗丹明缓冲层，通过原子层沉积实现高k介质在石墨烯表面的均匀淀积。利用罗丹明缓冲层是一种新颖的在石墨烯表面生长高k介质的方法，它可以直接应用在纳米尺度的平面器件制备当中。另外，该方法也可以作为石墨烯基电子器件的基本加工工艺。