公开(公告)号：CN102421698A

公开(公告)日：2012-04-18

申请号：CN201080018059.3

申请日：2010-04-22

Applicant: 国立大学法人东北大学 ,  株式会社富士金

Inventor： 大见忠弘 ,  川田幸司 ,  池田信一 ,  森本明弘 ,  皆见幸男 ,  平尾圭志 ,  坂本信治 ,  北野真史

IPC: C01B5/00 ,  B01J23/42 ,  B01J33/00

CPC classification number: B01J23/63 ,  B01J12/007 ,  B01J23/42 ,  B01J35/023 ,  B01J37/0225 ,  B01J37/0244 ,  C01B5/00

Abstract: 本发明提供一种水分发生用反应炉，该反应炉是将氢气和氧气提供至具有铂催化剂层的反应炉内，使氢气与氧气发生催化反应，在不发生燃烧的情况下，在低于氢气与氧气的燃点的催化反应温度下产生高纯度的水分；其中，可以长时间地维持铂催化剂层对设置在母材与铂催化剂层之间的阻挡层的高附着力。该反应炉具有：设有气体入口和水分出口的反应炉主体、成膜于反应炉主体内壁的至少一部分上的Y2O3阻挡层、成膜于该Y2O3层上的至少一部分上的铂催化剂层。Y2O3阻挡层的膜厚优先为50nm～5μm。

公开(公告)号：CN101283114B

公开(公告)日：2012-04-18

申请号：CN200680037196.5

申请日：2006-10-06

Applicant: 国立大学法人东北大学 ,  东京毅力科创株式会社

Inventor： 大见忠弘 ,  后藤哲也 ,  松冈孝明

IPC: C23C14/35

CPC classification number: C23C14/35 ,  H01J37/3408 ,  H01J37/3455

Abstract: 提供一种磁控溅射装置，通过提高靶上的瞬时的腐蚀密度，使成膜速度提高，并且使腐蚀区域时间性移动，防止靶的局部性损耗，使靶实现均匀损耗，从而延长靶的使用寿命。在柱状旋转轴(2)的周围设置多个板磁体(3)，通过使柱状旋转轴(2)旋转，在靶(1)上形成高密度的腐蚀区域，使成膜速度提高，同时随着柱状旋转轴(2)旋转，腐蚀区域产生运动，使靶(1)均匀消耗。

公开(公告)号：CN101461038B

公开(公告)日：2012-03-28

申请号：CN200780020248.2

申请日：2007-06-13

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  国立大学法人东北大学

Inventor： 桶作正广 ,  后藤哲也 ,  大见忠弘 ,  石桥清隆

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/316 ,  H01L21/318

CPC classification number: H01J37/32449 ,  C23C16/455 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/45572 ,  C23C16/511 ,  H01J37/3244

Abstract: 本发明提供一种喷淋板、和使用它的等离子体处理装置及处理方法及电子装置的制造方法。该喷淋板不需要盖板。该喷淋板(105)配置在等离子体处理装置的处理室(102)中，为了在处理室(102)中产生等离子体而排出等离子体激励用气体，其中，将喷淋板(105)设为一体物，在该喷淋板(105)上设置用于导入来自等离子体处理装置的气体导入口(110)的等离子体激励用气体的横孔(111)、和与该横孔(111)相连通的纵孔(112)。

公开(公告)号：CN101490823B

公开(公告)日：2012-03-07

申请号：CN200780026534.X

申请日：2007-07-12

Applicant: 国立大学法人东北大学 ,  财团法人国际科学振兴财团

Inventor： 大见忠弘 ,  寺本章伸 ,  黑田理人

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/08 ,  H01L27/088 ,  H01L27/092 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/78 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/045 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823835 ,  H01L21/82385 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/456 ,  H01L29/518 ,  H01L29/785 ,  H01L2029/7857

Abstract: 在遮光的状态下，在氮气环境中，通过用加氢超纯水洗净硅表面，实现峰谷(P-V)值在0.3nm以下的平坦度，同时通过使电极和硅之间的功函数差在0.2eV以下，实现接触电阻在10-11Ωcm2以下。由此，可以得到能够以10GHz以上的频率动作的半导体装置。

公开(公告)号：CN101243355B

公开(公告)日：2011-12-14

申请号：CN200680030334.7

申请日：2006-08-14

Applicant: 国立大学法人东北大学 ,  可乐丽股份有限公司 ,  夏普株式会社

Inventor： 大见忠弘 ,  白井泰雪 ,  武久究 ,  松本光郎 ,  猪狩德夫 ,  佐藤寿昭 ,  大西伊久雄 ,  中里悦男 ,  山田祐一郎 ,  四宫时彦 ,  石住隆司 ,  味地悠作

IPC: G02F1/13357 ,  F21V8/00 ,  F21Y103/00

CPC classification number: G02B6/0046 ,  G02B6/002 ,  G02B6/0053 ,  G02F1/133605 ,  G02F1/133611 ,  G02F1/133615

Abstract: 本发明提供一种液晶显示器及导光板。大型液晶显示器(100)具有配置于液晶面板(1)的背面侧的导光板(3)。导光板(3)的表面为平面，背面为凹曲面。另外，与热阴极型荧光灯(2a、2b)对置的导光板(3)的上下端面为向这些灯突出的凸状。来自荧光灯的白色光直接或被反射镜(4a、4b)反射而入射到导光板的上下端面，由导光板的表背面反射而同时进到导光板的内部。在导光板的表面，白色光的一部分通过导光部(5)向液晶面板(1)的背面照射。

公开(公告)号：CN101521151B

公开(公告)日：2011-08-24

申请号：CN200910118365.3

申请日：2009-02-27

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  国立大学法人东北大学

Inventor： 平山昌树 ,  大见忠弘

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/20 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31 ,  H01L21/311 ,  H05H1/00

Abstract: 本发明提供一种微波等离子体处理装置，能够使气体的供给位置优化。微波等离子体处理装置(10)具备：在内部激励等离子体的容器(100)；向容器内供给用于激励等离子体的微波的微波源(900)；传播从微波源(900)供给的微波的同轴管(600，315等)；以面向容器(100)的内侧的状态与同轴管(315)邻接，使各同轴管传播的微波透过并放出到容器(100)内部的多个电介质板(305)；向容器内供给用于激励等离子体的气体的气体供给源(800)；气体流路(810)，其贯通多个电介质板(305)每一个的内部，从作为其贯通口的气孔(A)向容器内导入气体。贯通金属电极(310)的气孔(B)和(A)等间距地配置。

公开(公告)号：CN102148217A

公开(公告)日：2011-08-10

申请号：CN201010621871.7

申请日：2006-06-20

Applicant: 国立大学法人东北大学 ,  财团法人国际科学振兴财团

Inventor： 大见忠弘

IPC: H01L23/532 ,  H01L23/498 ,  H01L21/768 ,  H01L21/316

CPC classification number: H01L23/49894 ,  H01L21/0212 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02329 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/02362 ,  H01L21/3127 ,  H01L21/76835 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供一种低介电常数且不会产生CFx、SiF4等气体的、稳定的半导体装置的层间绝缘膜和具备该层间绝缘膜的布线结构。在具备形成在基底层上的绝缘膜的层间绝缘膜中，所述层间绝缘膜的有效介电常数为3以下。布线结构具备层间绝缘膜和形成在层间绝缘膜上的接触孔以及被填充在所述接触孔内的金属。所述绝缘膜具备形成在所述基底层上表面被氮化的碳氟膜。

公开(公告)号：CN101253458B

公开(公告)日：2011-06-29

申请号：CN200680031240.1

申请日：2006-05-10

Applicant: 株式会社富士金 ,  国立大学法人东北大学

Inventor： 大见忠弘 ,  西野功二 ,  土肥亮介 ,  池田信一 ,  永濑正明 ,  平田薰 ,  杉田胜幸 ,  筱原努 ,  广濑隆 ,  今井智一 ,  吉田俊英 ,  田中久士

IPC: G05D7/06 ,  F16K27/00 ,  F16L55/00 ,  G01F1/42

CPC classification number: F16K27/003 ,  F16L55/02718 ,  G01F1/36 ,  G01F15/001 ,  G01F15/005 ,  G05D7/0635

Abstract: 本发明的目的在于，不分解、组装压力式流量控制装置，就能简单地更换其节流器，从而可容易地进行控制流量的切换。本发明的节流器更换型压力式流量控制装置，在具有流体供给用配管的连接部的入口侧安装用块(39)和具有流体取出用配管的连接部的出口侧安装用块(43)之间，配置压力式流量控制装置(A)的控制阀(2)的阀体(23)，通过使该阀体(23)的流体入口侧与前述入口侧安装用块(39)、前述阀体(23)的流体出口侧与前述出口侧安装用块(43)分别能够分解地以气密状态连接，形成气体通过前述控制阀(2)流通的流路，并且，在设置于前述阀体(23)的出口侧的垫片型节流器插入孔(42c)与出口侧安装用块(43)的垫片型节流器插入孔(43b)之间，拆装自如地插入压力式流量控制装置(A)的垫片型节流器(38)。

公开(公告)号：CN102090158A

公开(公告)日：2011-06-08

申请号：CN200980126816.6

申请日：2009-05-29

Applicant: 国立大学法人东北大学 ,  株式会社大昌电子

Inventor： 大见忠弘 ,  后藤哲也

IPC: H05K3/38 ,  H05K1/11 ,  H05K3/18 ,  H05K3/42

CPC classification number: H05K3/381 ,  H05K3/388 ,  H05K3/421 ,  H05K3/4644 ,  H05K2201/0179 ,  H05K2203/095 ,  Y10T29/49124

Abstract: 通过等离子体将基板的表面氮化，形成氮化的树脂层，然后在形成铜膜之前形成薄的氮化铜膜，提高配线层与树脂层的密合性。

公开(公告)号：CN101518163B

公开(公告)日：2011-06-08

申请号：CN200680055882.5

申请日：2006-09-21

Applicant: 株式会社大昌电子 ,  国立大学法人东北大学

Inventor： 佐藤昭博 ,  佐佐木正弘 ,  大见忠弘 ,  森本明大

IPC: H05K1/02

CPC classification number: H05K3/4691 ,  C23F1/02 ,  C23F1/18 ,  C23F4/00 ,  C23F4/04 ,  H05K3/064 ,  H05K3/243 ,  H05K3/4652 ,  H05K2201/09736 ,  H05K2203/0369 ,  Y10T29/49117 ,  Y10T29/49155 ,  Y10T29/49165 ,  Y10T156/10

Abstract: 提供了刚挠性印刷电路板及该印刷电路板的制造方法，该刚挠性印刷电路板可以改善抗柔性部分的折叠的耐久性同时保持柔性部分的柔性并维持刚性部分中的导电性。在该刚挠性印刷电路板中，导体层形成在基膜的至少一个表面上，包含基膜的一个区域是刚性区而包含基膜的剩余的区域是柔性区。形成在柔性区中的基膜上的导体层的平均厚度(tf)和形成在刚性区中的基膜上的导体层的平均厚度(tR)满足tf＜tR的关系。