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公开(公告)号：CN102421698A
公开(公告)日：2012-04-18
申请号：CN201080018059.3
申请日：2010-04-22
Applicant: 国立大学法人东北大学 , 株式会社富士金
CPC classification number: B01J23/63 , B01J12/007 , B01J23/42 , B01J35/023 , B01J37/0225 , B01J37/0244 , C01B5/00
Abstract: 本发明提供一种水分发生用反应炉，该反应炉是将氢气和氧气提供至具有铂催化剂层的反应炉内，使氢气与氧气发生催化反应，在不发生燃烧的情况下，在低于氢气与氧气的燃点的催化反应温度下产生高纯度的水分；其中，可以长时间地维持铂催化剂层对设置在母材与铂催化剂层之间的阻挡层的高附着力。该反应炉具有：设有气体入口和水分出口的反应炉主体、成膜于反应炉主体内壁的至少一部分上的Y2O3阻挡层、成膜于该Y2O3层上的至少一部分上的铂催化剂层。Y2O3阻挡层的膜厚优先为50nm～5μm。
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公开(公告)号：CN102016107B
公开(公告)日：2012-11-07
申请号：CN200880128669.1
申请日：2008-04-11
Applicant: 国立大学法人东北大学 , 东芝三菱电机产业系统株式会社
CPC classification number: C23C14/243 , C23C14/12 , C23C14/228
Abstract: 一种均热装置，包括：容器构造体，该容器构造体具有在内部填充有工作流体、且对被加热材料加热以使被加热材料汽化的加热块(1)；加热单元(6)，该加热单元(6)配置在容器构造体的底部；以及材料供应管(11)，该材料供应管(11)将容器构造体的外侧与内侧连通。在加热块(1)上形成有作为供被加热材料流动的流路的、与材料供应管(11)相连接并朝水平方向延伸的总集气管(12)以及从总集气管(12)分岔并向上下方向延伸的竖管(14)，此外，还形成有作为对工作流体进行冷却冷凝的冷凝路的、形成于竖管(14)两侧并朝水平方向延伸的冷凝孔(10)以及形成于竖管(14)下侧的冷凝槽(16)。在冷凝孔(10)与冷凝槽(16)之间配置有总集气管(12)。
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公开(公告)号：CN101198726A
公开(公告)日：2008-06-11
申请号：CN200680021492.6
申请日：2006-05-09
Applicant: 国立大学法人东北大学 , 三菱化学株式会社
IPC: C25D11/04 , C25D11/06 , C25D11/18 , H01L21/3065
CPC classification number: C25D11/06 , C25D11/18 , Y10T428/265
Abstract: 提供一种适用于保护以铝为主成分的金属的金属氧化物膜。是由以铝为主成分的金属的氧化物构成的膜，膜厚为10nm以上，从所述膜放出的水分量为1E18分子/cm2以下。还提供一种金属氧化物膜的制造方法，在pH4～10的化成液中，对以铝为主成分的金属进行阳极氧化而获得金属氧化物膜。
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公开(公告)号：CN102105612A
公开(公告)日：2011-06-22
申请号：CN200980128811.7
申请日：2009-07-28
Applicant: 国立大学法人东北大学 , 日本轻金属株式会社
CPC classification number: C25D11/04 , C22C21/00 , H05K1/053 , H05K2203/0315 , Y10T428/12
Abstract: 本发明提供一种机械强度优异到可以在大型制造装置中使用的程度的Al合金构件。Al合金构件的特征在于，以质量％计，Mg浓度为5.0％以下，Ce浓度为15％以下，Zr浓度为0.15％以下，余部由Al及不可避免杂质构成，所述不可避免杂质的元素分别为0.01％以下，所述Al合金构件具有大于30的维氏硬度。
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公开(公告)号：CN101218376A
公开(公告)日：2008-07-09
申请号：CN200680020909.7
申请日：2006-06-16
Applicant: 国立大学法人东北大学 , 三菱化学株式会社 , 日本陶瓷科技股份有限公司
IPC: C23C28/00 , C23C8/10 , C25D11/08 , C25D11/10 , C25D11/16 , C25D11/18 , H01L21/205 , H01L21/3065
CPC classification number: C23C4/02 , C23C8/80 , C23C28/00 , C23C28/042 , C25D11/02 , C25D11/04 , C25D11/08 , C25D11/10 , C25D11/16 , C25D11/18 , Y10T428/26 , Y10T428/265 , Y10T428/31678
Abstract: 提供一种使抑制反应生成物堆积到半导体或平板显示器制造装置等的处理室内壁等上、因内壁等的腐蚀造成的金属污染、放出气体造成的工艺不稳定性等多个工艺成为可能的多功能制造装置系统及用于该系统的保护皮膜构造。在金属材料的表面上具有作为基底层的第1皮膜层，再形成200μm左右的第2皮膜层，该第1皮膜层具有通过母材的直接氧化形成的1μm以下膜厚的氧化物皮膜。通过该构成，可以使第2层的保护膜对离子和自由基具有耐蚀性，使第1层的氧化物皮膜起到防止因分子和离子扩散到第2层保护膜中使母材金属表面受到腐蚀的保护层的效果，降低各金属构件、工艺腔内表面对基板造成的金属污染。可以抑制因母材和第2层的保护膜界面的腐蚀造成的第2层保护膜密着力下降而导致的第2层保护膜的剥离。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101198726B
公开(公告)日：2011-07-27
申请号：CN200680021492.6
申请日：2006-05-09
Applicant: 国立大学法人东北大学 , 三菱化学株式会社
IPC: C25D11/04 , C25D11/06 , C25D11/18 , H01L21/3065
CPC classification number: C25D11/06 , C25D11/18 , Y10T428/265
Abstract: 提供一种适用于保护以铝为主成分的金属的金属氧化物膜。是由以铝为主成分的金属的氧化物构成的膜，膜厚为10nm以上，从所述膜放出的水分量为1E18分子/cm2以下。还提供一种金属氧化物膜的制造方法，在pH4～10的化成液中，对以铝为主成分的金属进行阳极氧化而获得金属氧化物膜。
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公开(公告)号：CN101521147A
公开(公告)日：2009-09-02
申请号：CN200910007679.6
申请日：2009-02-20
Applicant: 国立大学法人东北大学 , 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01J37/32192 , H01J37/32238
Abstract: 本发明提供一种微波等离子体处理装置、电介质窗部件及其制造方法。已知道存在一种微波等离子体处理装置，其在使用Kr作为等离子体生成用气体时也仅能得到与使用Ar等其他稀有气体时相同的特性的氧化膜、氮化膜。在本发明中，构成微波等离子体处理装置的电介质窗部件不是只用陶瓷部件来构成的，在该陶瓷部件的处理空间侧的表面上，涂布了通过热处理可以得到化学计量上的SiO2的组成的平坦化涂布膜后，通过热处理形成具有极其平坦且致密的表面的平坦化涂布绝缘膜。在该平坦化涂布绝缘膜上形成耐腐蚀性膜。
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公开(公告)号：CN102016107A
公开(公告)日：2011-04-13
申请号：CN200880128669.1
申请日：2008-04-11
Applicant: 国立大学法人东北大学 , 东芝三菱电机产业系统株式会社
CPC classification number: C23C14/243 , C23C14/12 , C23C14/228
Abstract: 一种均热装置，包括：容器构造体，该容器构造体具有在内部填充有工作流体、且对被加热材料加热以使被加热材料汽化的加热块(1)；加热单元(6)，该加热单元(6)配置在容器构造体的底部；以及材料供应管(11)，该材料供应管(11)将容器构造体的外侧与内侧连通。在加热块(1)上形成有作为供被加热材料流动的流路的、与材料供应管(11)相连接并朝水平方向延伸的总集气管(12)以及从总集气管(12)分岔并向上下方向延伸的竖管(14)，此外，还形成有作为对工作流体进行冷却冷凝的冷凝路的、形成于竖管(14)两侧并朝水平方向延伸的冷凝孔(10)以及形成于竖管(14)下侧的冷凝槽(16)。在冷凝孔(10)与冷凝槽(16)之间配置有总集气管(12)。
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公开(公告)号：CN101432461A
公开(公告)日：2009-05-13
申请号：CN200780010909.3
申请日：2007-02-20
Applicant: 国立大学法人东北大学 , 日本陶瓷科技股份有限公司
IPC: C23C28/04 , C04B41/87 , C23C4/10 , C23C18/12 , H01L21/3065
CPC classification number: C04B41/87 , C03C17/25 , C03C2217/228 , C03C2218/113 , C04B41/009 , C04B41/5031 , C04B41/5045 , C23C4/10 , C23C18/1208 , C23C18/1254 , C23C18/1279 , C23C28/042 , C04B41/4531 , C04B41/4537 , C04B35/10 , C04B35/00
Abstract: 提供一种成膜性、耐久性、可靠性优异的等离子体处理装置用构件。在基材上具有纯度98％以上的陶瓷膜。陶瓷膜为粒径在50nm以下的粒子构成的膜。从膜中释放的水分量在1019分子/cm2以下。
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公开(公告)号：CN1751196A
公开(公告)日：2006-03-22
申请号：CN200480004466.3
申请日：2004-02-09
Abstract: 本发明提供一种适用于半导体制造装置的真空排气系统用的隔膜阀，可以防止由气体的热分解所产生的生成物的堆积附着所带来的部件的腐蚀、或由生成物而带来堵塞或泄漏的发生，进而，可以实现真空排气系统的设备的小型化、随之可降低成本，而且，可以相应地进行用于缩短真空排气时间的真空排气系统的配管的小口径化。具体来说，真空排气系统用的隔膜阀(1)具有阀体(2)、隔膜(3)和驱动机构(4)，所述阀体(2)具有流入通路(6)、流出通路(7)和形成于其间的阀座(8)，所述隔膜(3)设于阀体(2)上并可接触或离开阀座(8)，所述驱动机构(4)设于阀体(2)上并可使隔膜(3)与阀座(8)接触或离开阀座(8)，在上述阀体(2)和隔膜(3)的流体接触部分(25)上涂覆规定厚度的合成树脂覆膜(5)。
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