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公开(公告)号：CN102954378A
公开(公告)日：2013-03-06
申请号：CN201210436332.5
申请日：2012-11-05
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: F21S2/00 , F21V29/00 , F21V7/22 , F21Y101/02
Abstract: 一种高光功率密度LED光源模块，包括：一基板；多个LED发光芯片，该多个LED发光芯片制作在基板上，组成LED发光芯片阵列；一聚光器，该聚光器固定在基板上的多个LED发光芯片的上方，将多个LED发光芯片发出的光线汇聚；一散热器，该散热器固定在基板的下方，散发多个LED发光芯片的热能。本发明的结构适合应用在光医学、光生物学、光化学催化、光通信等领域。
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公开(公告)号：CN102903815A
公开(公告)日：2013-01-30
申请号：CN201210380553.5
申请日：2012-10-09
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种侧面粗化的倒装发光二极管及其制作方法，其中侧面粗化的倒装发光二极管，包括：一上衬底和依次在上衬底上生长的成核层和电子注入层，该电子注入层的一侧形成一台面；一发光层生长在电子注入层上；一空穴注入层生长在发光层上；一P电极制作在空穴注入层上；一N电极制作在电子注入层的台面上，形成LED芯片；一下衬底；一绝缘层生长在下衬底上；一P线电极制作在绝缘层上面的一侧；一N线电极制作在绝缘层上面的另一侧，形成倒装基板；该LED芯片的P电极与倒装基板的P线电极通过金属焊球连接；该LED芯片的N电极与倒装基板的N线电极通过金属焊球连接。可以大大提高出光效率，使得发光二极管外量子效率提升，特别适合大尺寸功率型晶粒的制作。
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公开(公告)号：CN101794851B
公开(公告)日：2012-09-05
申请号：CN201010113816.7
申请日：2010-02-24
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L33/38
Abstract: 本发明公开了一种三角形GaN基发光二极管芯片的对称电极，属于LED芯片技术领域。LED芯片形状为三角形，N型电极的焊盘位于三角形芯片的顶角，N型条形电极自N型焊盘出发沿三角形LED芯片的边缘环绕一周，P型电极的焊盘位于三角形芯片的中心，P型条形电极首先沿垂直于三角形底边方向进行分布，然后再平行于三角形芯片的边缘分布，在LED芯片内部N电极与P电极对称分布，以保证三角形LED芯片的电流分布均匀，从而达到提高三角形LED芯片的出光效率和寿命的目的。
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公开(公告)号：CN102623606A
公开(公告)日：2012-08-01
申请号：CN201210093368.8
申请日：2012-03-31
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L33/42
Abstract: 一种银纳米线透明电极氮化镓基发光二极管，其中包括：一衬底；一外延层，制作在衬底上面，该外延层为台阶状，其的一侧形成有一台面，该外延层用以受激，发光，电注入；一纳米薄膜，生长在外延层上，用于做电流扩展层；一二氧化硅层，制作在外延层和纳米薄膜靠近台面的一端，并覆盖部分纳米薄膜的上表面；一P电极，制作在纳米薄膜上；一n电极，制作在外延层上的台面上。该方法具有工艺简单，操作方便，高效率等特点，同时还能够代替现有的ITO(氧化铟锡)作为LED新型的透明电极。本发明不但可以降低成本，同时还能实现大面积，工业化生产。
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公开(公告)号：CN102623588A
公开(公告)日：2012-08-01
申请号：CN201210093564.5
申请日：2012-03-31
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L33/00
Abstract: 一种制备氮化镓绿光发光二极管外延结构的方法，包括以下步骤：步骤1：取一衬底；步骤2：在衬底上依次外延生长u-GaN层、n-GaN层、多量子阱层和p-GaN耦合层；步骤3：在p-GaN耦合层上生长纳米金属层；步骤4：在纳米金属层上生长一P-GaN盖层；步骤5：在P-GaN盖层上生长一p-GaN电流扩展层，完成外延结构的制备。本发明是利用金属的核壳结构的等立体增强绿光发光二极管的内量子效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102610715A
公开(公告)日：2012-07-25
申请号：CN201210093601.2
申请日：2012-03-31
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L33/00
Abstract: 一种纳米无荧光粉白光氮化镓发光二极管的制作方法，包括以下步骤：步骤1：取一衬底；步骤2：在衬底上外延生长GaN缓冲层1和n-GaN层；步骤3：在n-GaN层上通过纳米技术制作GaN纳米线模板；步骤4：在GaN纳米线模板上生长GaN过渡层；步骤5：在GaN过渡层上生长InGaN量子盘；步骤6：在InGaN量子盘上生长p-GaN层，形成基片；步骤7：将基片一侧的部分刻蚀掉，刻蚀深度到达n-GaN层内，形成台面；步骤8：在n-GaN层的台面上制作下电极；步骤9：在p-GaN层上制作上电极，完成发光二极管的制作。由于本方法采用的是纳米的模板的基底，能很好地释放应力，从而降低Droop效应，增加LED的发光效率。
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公开(公告)号：CN102569606A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201210043833.7
申请日：2012-02-23
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L33/48
Abstract: 一种晶圆级垂直结构发光二极管封装的方法，包括：步骤1：在绝缘的衬底上通过光刻，电子束蒸发方法制作图形金属电极；步骤2：在绝缘衬底上的金属电极的位置植金球，该金球为间隔设置，将已划裂分选的芯片焊接在植金球的金属电极的位置；步骤3：通过打线工艺，采用金属线将芯片和相邻未植金球的金属电极连接；步骤4：在已制作好的模具上涂上脱模剂，注入按预定比例混合的荧光粉和硅胶；步骤5：将芯片对准模具模孔，压合绝缘衬底同模具，放入烘箱一预定时间；步骤6：分离模具与绝缘衬底，完成晶圆级垂直结构发光二极管的封装。本方法有利于简化封装工艺，降低封装成本，提高封装成品性能。
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公开(公告)号：CN102544270A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201210057275.X
申请日：2012-03-06
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L33/00
Abstract: 一种制备倒梯形氮化镓基发光二极管的方法，包括：在外延结构上制备透明导电电极；将外延结构的一侧进行部分刻蚀，形成台面；在透明导电电极上制备上金属电极，在台面上制备下金属电极；减薄、抛光；制备二氧化硅保护层；从制备有二氧化硅保护层的蓝宝石衬底背面进行激光划片，使蓝宝石衬底的背面两侧留下两个V型深槽；超声清洗；腐蚀掉两个V型深槽外侧部分，获得倾斜的蓝宝石侧壁；除去二氧化硅保护层。本发明的制备倒梯形氮化镓基发光二极管的方法获得的发光二极管，其可提高器件的出光效率。
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公开(公告)号：CN101899706B
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN201010201505.6
申请日：2010-06-09
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/205
Abstract: 本发明公开了一种制备非极性GaN基稀磁半导体材料的方法，该方法采用金属有机化合物气相外延工艺，具体步骤如下：选择一衬底；在该衬底上生长一层非极性GaN薄膜；以及在该非极性GaN薄膜上生长非极性GaN基稀磁半导体材料。利用本发明，能够获得具有高居里温度(Tc)的高质量单晶相非极性GaN基稀磁半导体薄膜材料。此外，非极性GaN基稀磁半导体薄膜材料具有独特的面内各向异性分布特性(结构、光学、电学和磁学性质)，这些性质无论对基础研究还是应用研究都具有重大意义，本发明将开辟GaN基稀磁半导体研究的新领域。
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公开(公告)号：CN102214753A
公开(公告)日：2011-10-12
申请号：CN201110147591.1
申请日：2011-06-02
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种应用石墨烯薄膜电流扩展层的氮化镓基垂直结构LED，包括：一p型金属电极，该p型金属电极包括一金属支撑衬底，以及制作在金属支撑衬底上的金属反射镜；一空穴注入层，该空穴注入层制作在P型金属电极的金属反射镜上；一电子阻挡层，该电子阻挡层制作在空穴注入层上；一发光层，该发光层制作在电子阻挡层上；一电子限制层，该电子限制层制作在发光层上；一电子注入层，该电子注入层制作在电子限制层上；一电流扩展层，该电流扩展层制作在电子限制层上；两个n型金属电极，制作在电流扩展层上，覆盖一部分电流扩展层。
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