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公开(公告)号：CN102683522A
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN201210180422.2
申请日：2012-06-04
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L33/00
Abstract: 一种具有空气桥结构发光二极管的制作方法，包括：在蓝宝石衬底上淀积二氧化硅掩蔽层；在其上排列一单层紧密排列的自组装聚苯乙烯球；第一次加热和采用ICP刻蚀的方法，刻蚀自组装聚苯乙烯球；第二次加热和在自组装聚苯乙烯球的间隙、表面及掩蔽层的表面蒸镀金属掩膜；去除自组装聚苯乙烯球表面的金属掩膜；采用温度处理使自组装聚苯乙烯球气化，在掩蔽层上形成网孔状的金属掩膜；刻蚀掩蔽层；酸液腐蚀掉金属网孔状的金属掩膜，形成二氧化硅的纳米孔状阵列结构；在纳米孔状阵列结构上依次外延u-GaN层、n-GaN层、多量子阱结构、电子阻挡层和p-GaN层，形成芯片；将芯片置于HF溶液中超声，使u-GaN层中的掩蔽层被腐蚀掉后，被空气包覆，完成发光二极管的制作。
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公开(公告)号：CN102544270A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201210057275.X
申请日：2012-03-06
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L33/00
Abstract: 一种制备倒梯形氮化镓基发光二极管的方法，包括：在外延结构上制备透明导电电极；将外延结构的一侧进行部分刻蚀，形成台面；在透明导电电极上制备上金属电极，在台面上制备下金属电极；减薄、抛光；制备二氧化硅保护层；从制备有二氧化硅保护层的蓝宝石衬底背面进行激光划片，使蓝宝石衬底的背面两侧留下两个V型深槽；超声清洗；腐蚀掉两个V型深槽外侧部分，获得倾斜的蓝宝石侧壁；除去二氧化硅保护层。本发明的制备倒梯形氮化镓基发光二极管的方法获得的发光二极管，其可提高器件的出光效率。
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公开(公告)号：CN102244159A
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：CN201110177081.9
申请日：2011-06-28
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种利用自组装薄膜作为掩膜刻蚀导电薄膜的方法，包括以下步骤：步骤1：取一蓝宝石衬底，在该蓝宝石衬底上生长氮化物外延层；步骤2：在氮化物外延层上生长导电薄膜；步骤3：在导电薄膜上采用自组装的方法生长一层光子晶体薄膜，形成掩膜；步骤4：进行退火处理；步骤5：采用刻蚀的方法对掩膜下的导电薄膜进行刻蚀，形成粗化的导电薄膜表面；步骤6：清洗去掉剩余的光子晶体薄膜，完成制备。
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公开(公告)号：CN102214740A
公开(公告)日：2011-10-12
申请号：CN201110136242.X
申请日：2011-05-24
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种提高氮化镓基发光二极管抗静电能力的方法，包括：选择一衬底；在该衬底上生长一氮化镓成核层；在该氮化镓成核层上生长非故意掺杂氮化镓层；在该非故意掺杂氮化镓层上生长一氮化铝镓/氮化镓超晶格插入层；在该氮化铝镓/氮化镓超晶格插入层上生长N型掺杂的氮化镓层；在该N型掺杂的氮化镓层上生长氮化铝镓铟多量子阱发光层；在该氮化铝镓铟多量子阱发光层上生长P型掺杂的氮化铝镓铟层；以及在该P型掺杂的氮化铝镓铟层上生长P型掺杂的氮化镓层。利用本发明，可以调制外延层中因为晶格失配带来的应力，同时使GaN外延层中的位错转向、合并，从而降低后续生长的外延层中穿透位错的密度，改善材料质量，提高发光二极管的抗静电能力。
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公开(公告)号：CN102157640A
公开(公告)日：2011-08-17
申请号：CN201110064300.2
申请日：2011-03-17
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种具有p-GaN层表面粗化的GaN基LED芯片的制作方法，包括：采用金属有机化学气相沉积的方法，在半导体衬底上依次生长低温GaN缓冲层、不掺杂GaN层、N-GaN层、多量子阱层和P-GaN层，形成GaN外延片；将GaN外延片放入蒸发台，在P-GaN层的表面蒸镀CsCl或氯化物；蒸镀结束后，向蒸发台腔室中充入水汽，控制相对湿度使P-GaN层表面的CsCl或氯化物吸收水分逐渐长大形成CsCl或氯化物的纳米岛；将CsCl或氯化物纳米岛作为刻蚀掩膜，对GaN外延片进行刻蚀，形成表面粗化的GaN外延片；再将GaN外延片的一侧进行刻蚀，形成台面；在GaN外延片的上表面蒸镀一层ITO薄膜；在GaN外延片的上表面制作P电极，在台面上制作N电极，完成器件制备。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114551698A
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202210183724.9
申请日：2022-02-25
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本公开提供了一种MicroLED发光阵列结构，该结构包括：多个MicroLED像素单元，成行线和列线互联的阵列结构排列；所述MicroLED像素单元包括：衬底；MicroLED像素单元基片，形成于所述衬底上；以及吸收层，形成于所述衬底上，位于所述MicroLED像素单元基片两侧，并高于所述MicroLED像素单元基片的表面。
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公开(公告)号：CN111048496B
公开(公告)日：2021-08-31
申请号：CN201811194251.2
申请日：2018-10-12
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种倒装LED红光器件结构及其制备方法，结构包括：倒装蓝光LED芯片和位于所述倒装蓝光LED芯片上的红光OLED结构。其中，倒装蓝光LED芯片结构包括：蓝宝石衬底上依次生长缓冲层、N‑GaN层、多量子阱发光层、P‑GaN层；红光OLED结构包括：在倒装蓝光LED芯片背面依次生长空穴传输层、掺杂红光掺杂剂的电子传输层、不掺杂掺杂剂的电子传输层和外层保护层。制备方法包括：制备倒装蓝光LED芯片；制备红光OLED结构；倒装LED红光器件倒装焊到电路板上。本发明采用倒装蓝光LED光致红光OLED发光的方法实现器件制备，该器件制备工艺简单，可以有效解决倒装红光LED器件制备工艺复杂、成品率低、成本高等问题。
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公开(公告)号：CN109216588A
公开(公告)日：2019-01-15
申请号：CN201810999692.3
申请日：2018-08-29
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种倒装OLED器件及其制备方法，该倒装OLED器件包括蓝宝石衬底；隔离开的氧化铟锡电极层，沉积于衬底上；有机功能层，生长于正氧化铟锡电极层上；金属电极层，位于有机功能层上，一侧与负氧化铟锡电极层相连；保护层，位于OLED的功能层和金属电极层外侧；以及加厚电极，位于隔离开的氧化铟锡电极层的两端。本发明的倒装OLED器件制备工艺简单，解决了传统TFT驱动OLED显示屏的尺寸限制，可制备出大尺寸OLED显示屏；可通过倒装焊方式直接焊接到电路基板上，在大尺寸显示领域有明显的优势；倒装结构OLED芯片可与mini LED显示兼容。
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公开(公告)号：CN103579423B
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：CN201310585931.8
申请日：2013-11-19
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L33/00
Abstract: 一种芯片尺寸级晶圆发光二极管的制作方法，包括：在衬底的表面打两个通孔；在衬底的正反两面蒸镀二氧化硅膜保护膜；将衬底放入浓硫酸和浓磷酸混合液中腐蚀，清洗；去掉衬底表面的二氧化硅膜保护膜；在衬底的一面依次生长N型掺杂层、多量子阱发光层、P型掺杂层和ITO层；在ITO层上一侧向下刻蚀，形成台面，该台面的中心处有一通孔；在台面的通孔的上面制作N型电极；在台面另一侧的ITO层上的通孔上制作P型电极；在台面另一侧的ITO层上的通孔的内壁制作绝缘层；在衬底背面及两个通孔内蒸镀铬金引导层；在衬底背面旋转涂覆光刻胶并做出图形，腐蚀铬金引导层。本发明可以降低了发光二极管的封装成本，特别适合大尺寸功率型发光二极管的封装应用。
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公开(公告)号：CN104599990A
公开(公告)日：2015-05-06
申请号：CN201510017005.X
申请日：2015-01-13
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/60
CPC classification number: H01L33/62 , H01L2933/0066
Abstract: 一种共晶焊方法，包括如下步骤：步骤1：在基板上表面制作线路；步骤2：将钢网图形与基板上表面线路对准，并固定钢网和基板；步骤3：将LED芯片摆放于基板上表面钢网的图形中；步骤4：对LED芯片加压；步骤5：对基板进行加热，完成共晶焊。本发明可以解决现有的高功率密度LED光源模块共晶效率低、芯片共晶精度低等缺陷。
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