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公开(公告)号：CN117123419A
公开(公告)日：2023-11-28
申请号：CN202310766202.6
申请日：2023-06-27
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明属于钙钛矿/晶硅叠层太阳电池生产领域，具体地说是一种晶硅太阳电池表面涂覆钙钛矿涂料装置及其方法，包括涂料装置固定侧板，所述涂料装置固定侧板的内壁安装有传送履带，且传送履带的顶部固定连接有第一磁铁，所述第一磁铁的顶部紧密贴合有第二磁铁，且第二磁铁的顶部一体化连接有太阳电池板固定组件，所述涂料装置固定侧板的顶部固定连接有第一固定方块，且第一固定方块的一侧固定连接有钙钛矿涂料储存盒，所述钙钛矿涂料储存盒的底部连通有下料口，且下料口的底部固定连接有上料条；本发明便于能够提高晶硅太阳电池板的涂料效率，便于对涂料中的晶硅太阳电池板进行固定，防止偏移导致涂料不均。
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公开(公告)号：CN113675298A
公开(公告)日：2021-11-19
申请号：CN202110951231.0
申请日：2021-08-18
Applicant: 上海交通大学 , 江苏林洋光伏科技有限公司
IPC: H01L31/18 , H01L31/0216 , H01L31/0236
Abstract: 一种具有纳微米结构的TOPCon晶硅太阳电池实现方法，在n型晶硅衬底的正面采用碱溶液制备得到微米结构金字塔后，在微米结构金字塔上制备硅纳米柱阵列或金属纳米颗粒阵列；然后在正面通过高温硼扩散形成p‑n结、在背面通过LPCVD方法或PVD方法制备氧化硅/掺杂多晶硅叠层结构；最后在正面的p‑n结上依次覆盖氧化铝/氢化氮化硅叠层和金属Ag/Al栅线、在背面的氧化硅/掺杂多晶硅叠层结构上覆盖氢化氮化硅层和金属Ag栅线。本发明能够显著降低硅片对入射光的反射率，从而使得更多光子被晶硅衬底吸收，同时新绒面结构没有带来更大载流子复合，电池效率跟常规电池具有可比性。
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公开(公告)号：CN112736151A
公开(公告)日：2021-04-30
申请号：CN202110022467.6
申请日：2021-01-08
Applicant: 上海交通大学
IPC: H01L31/0352 , H01L31/074 , H01L31/18
Abstract: 一种基于宽带隙窗口层的背结硅异质结太阳电池，包括：作为基底的N型单晶硅层、依次设置于基底一侧的本征非晶硅层、宽带隙窗口层和透明导电氧化物层以及依次设置于基底另一侧的本征非晶硅层、P型掺杂非晶硅发射极层和透明导电氧化物层，其中：P型掺杂非晶硅发射极层与基底之间形成PN异质结。本发明通过在背结硅异质结太阳电池的正面应用宽带隙窗口层，采用非晶氧化硅或非晶碳化硅作为宽带隙窗口层能透过更多光而减少光吸收的特性，提升背结异质结电池的短路电流，从而提升电池的转换效率的同时大幅度缩短制备时间。
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公开(公告)号：CN112151637A
公开(公告)日：2020-12-29
申请号：CN202011002388.0
申请日：2020-09-22
Applicant: 上海交通大学
IPC: H01L31/0747 , H01L31/0236 , H01L31/0216 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种在表面制绒的非晶硅/晶硅异质结电池上快速低成本制备钙钛矿薄膜的方法，涉及钙钛矿太阳电池领域，所述方法为先表面制绒的异质结电池清洗；然后在清洗干净的所述表面制绒的异质结电池表面采用电化学方法制备金属铅层；最后采用电化学方法将表面制绒的异质结电池上含有的所述金属铅层转化为所述钙钛矿薄膜。通过本发明的实施，可以快速低成本地在表面制绒的异质结电池上制备均匀的钙钛矿薄膜。
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公开(公告)号：CN109713056B
公开(公告)日：2020-07-10
申请号：CN201811470762.2
申请日：2018-12-04
Applicant: 上海交通大学
IPC: H01L31/0236 , H01L31/0216 , H01L31/18 , C30B33/10
Abstract: 本发明公开了一种具有径向PN结的黑硅太阳电池制备方法，涉及晶硅太阳电池制备领域，包括如下步骤：(1)采用化学湿法在硅衬底上制作微米尺寸的绒面；(2)在800‑1000℃且含氧量控制在30‑100％的条件下维持10‑60min，将扩散源扩散在所述绒面的表面；(3)通过退火制作所述绒面的所述表面钝化层。该方法可通过简单的扩散工艺实现PN结的场钝化效果，保证良好的陷光能力，较好控制表面复合和俄歇复合，且绒面制备成本较低，可较好地提升电池转换效率。
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公开(公告)号：CN109148496A
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201810736578.1
申请日：2018-07-06
Applicant: 上海交通大学
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14603 , H01L27/14632 , H01L27/14649 , H01L27/14687
Abstract: 本发明提供一种无像元成像器件及其制备方法，其中无像元成像器件包括光子频率上转换器件和硅基成像器件；所述光子频率上转换器件包括近红外探测器、发光二极管和渐变层，所述渐变层位于近红外探测器和发光二极管之间；所述发光二极管的发光侧与所述硅基成像器件的受光面相耦接。本发明的无像元成像器件的整个器件相对紧凑、结构简单，也无需额外的读出电路设计，这不仅大大简化了器件制备工艺，也大大节约了成像成本。
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公开(公告)号：CN105977317B
公开(公告)日：2018-04-03
申请号：CN201610550956.8
申请日：2016-07-13
Applicant: 上海交通大学
IPC: H01L31/032 , H01L31/0392 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种铜铟镓硒太阳电池吸收层的制备方法，包括：步骤一，在基底上制备一层In‑Se化合物层；步骤二，在所述In‑Se化合物层上制备Cu‑In‑Ga层，得到预制层为In‑Se/Cu‑In‑Ga的双层预制层；步骤三，将所述双层预制层进行硒化热处理，得到铜铟镓硒吸收层。本发明制备的铜铟镓硒太阳电池吸收层可以促进铜铟镓硒吸收层背表面处的晶粒生长，同时调节吸收层的带隙结构，从而提高铜铟镓硒太阳电池的开路电压、填充因子和转化效率。
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公开(公告)号：CN106521635A
公开(公告)日：2017-03-22
申请号：CN201611012727.7
申请日：2016-11-17
Applicant: 上海交通大学
IPC: C30B33/10 , C30B29/06 , H01L31/0236
CPC classification number: Y02E10/50 , C30B33/10 , C30B29/06 , H01L31/02363
Abstract: 本发明公开了一种硅表面纳米金字塔绒面的全溶液制备方法，第一步，将硅片置于含金属离子和氢氟酸的混合溶液中，使硅片表面沉积一层金属纳米颗粒，得到附有金属纳米颗粒的硅片；第二步，将附有金属纳米颗粒的硅片浸入含有添加剂的碱溶液中，在一定的温度下经过一定的反应时间形成硅纳米金字塔绒面，得到制绒的硅片；第三步，将制绒的硅片浸泡于酸性溶液中，去除表面附着的金属纳米颗粒。本发明的方法将金属颗粒用于萃取硅与碱溶液反应产生的电子，从而改变氢气泡产生位置，使得硅表面能均匀受到腐蚀，从而产生致密的纳米金字塔绒面。其工艺简单、成本低廉而且绒面效果完美，在超薄晶硅电池中具有重要应用。
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公开(公告)号：CN102681288B
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201210162942.0
申请日：2012-05-23
Applicant: 上海交通大学
IPC: G02F1/35
Abstract: 本发明公开了一种光学限幅器，包括非线性光学介质和硅薄膜。非线性光学介质具有正的非线性折射系数，硅薄膜上具有经过激光晶化处理的晶化区域，硅薄膜的吸收系数在晶化区域的横截面上的分布为沿晶化区域的边缘到晶化区域的中心的方向递增。入射激光束依次通过非线性光学介质和硅薄膜的晶化区域。当入射激光束的光强大于或等于自聚焦阈值光强时，入射激光束通过非线性光学介质后被聚焦并投射晶化区域上，因此被吸收，从而达到光学限幅的效果。本发明结构简单、成本低廉，可用于多种不同场合，从而为精密光学器件(包括人眼)的安全使用提供保障。
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