公开(公告)号：CN105977317B

公开(公告)日：2018-04-03

申请号：CN201610550956.8

申请日：2016-07-13

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 黄勇亮 ,  孟凡英 ,  沈文忠 ,  吴敏 ,  刘正新

IPC: H01L31/032 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明公开了一种铜铟镓硒太阳电池吸收层的制备方法，包括：步骤一，在基底上制备一层In‑Se化合物层；步骤二，在所述In‑Se化合物层上制备Cu‑In‑Ga层，得到预制层为In‑Se/Cu‑In‑Ga的双层预制层；步骤三，将所述双层预制层进行硒化热处理，得到铜铟镓硒吸收层。本发明制备的铜铟镓硒太阳电池吸收层可以促进铜铟镓硒吸收层背表面处的晶粒生长，同时调节吸收层的带隙结构，从而提高铜铟镓硒太阳电池的开路电压、填充因子和转化效率。

公开(公告)号：CN105977317A

公开(公告)日：2016-09-28

申请号：CN201610550956.8

申请日：2016-07-13

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 黄勇亮 ,  孟凡英 ,  沈文忠 ,  吴敏 ,  刘正新

IPC: H01L31/032 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521 ,  H01L31/18 ,  H01L31/0322 ,  H01L31/03923

Abstract: 本发明公开了一种铜铟镓硒太阳电池吸收层的制备方法，包括：步骤一，在基底上制备一层In‑Se化合物层；步骤二，在所述In‑Se化合物层上制备Cu‑In‑Ga层，得到预制层为In‑Se/Cu‑In‑Ga的双层预制层；步骤三，将所述双层预制层进行硒化热处理，得到铜铟镓硒吸收层。本发明制备的铜铟镓硒太阳电池吸收层可以促进铜铟镓硒吸收层背表面处的晶粒生长，同时调节吸收层的带隙结构，从而提高铜铟镓硒太阳电池的开路电压、填充因子和转化效率。