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公开(公告)号：CN113644002A
公开(公告)日：2021-11-12
申请号：CN202110914468.1
申请日：2021-08-10
IPC: H01L21/66
Abstract: 一种太阳电池少数载流子端接触电阻的测试方法，通过暗态I‑V曲线对应样品不同的正面电极面积S绘制出dV/d(lnI)‑I曲线，并结合双(二极管+电阻)等效电路模型对曲线进行分段分析，进而计算出电阻‑电极面积倒数曲线，经曲线拟合得到直线的斜率即为带钝化层的免掺杂异质结电池样品的少数载流子端比接触电阻。本发明结合带钝化层的免掺杂异质结太阳电池少数载流子端载流子传输模型，建立对应的等效电路图，进而得到提取带钝化层的免掺杂异质结太阳电池少数载流子端接触电阻的方法。
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公开(公告)号：CN117747716A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202211113367.5
申请日：2022-09-14
IPC: H01L31/20 , H01L31/0747
Abstract: 一种超薄晶硅异质结全背太阳电池的制备方法，通过腐蚀法在硅片的一侧制备出中心孔后，采用全湿法刻蚀至所需厚度后在得到的超薄硅的中心孔一侧表面制绒，然后分别在超薄硅的制绒侧依次生长钝化层和减反层、在相对侧依次生长钝化层、载流子传输层和金属电极层，得到超薄晶硅异质结全背太阳电池。本发明用全湿法对硅片进行减薄得到局域超薄硅片，硅片减薄区域厚度可最低降低至～10μm，进而将这种局域超薄硅片用于制备超薄硅异质结全背太阳电池时，因周边厚硅的存在，在夹持、转运薄硅片和金属掩膜对版时起到良好的骨架作用，可极大降低超薄晶硅全背太阳电池制备过程中的碎片率。
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公开(公告)号：CN109713056B
公开(公告)日：2020-07-10
申请号：CN201811470762.2
申请日：2018-12-04
Applicant: 上海交通大学
IPC: H01L31/0236 , H01L31/0216 , H01L31/18 , C30B33/10
Abstract: 本发明公开了一种具有径向PN结的黑硅太阳电池制备方法，涉及晶硅太阳电池制备领域，包括如下步骤：(1)采用化学湿法在硅衬底上制作微米尺寸的绒面；(2)在800‑1000℃且含氧量控制在30‑100％的条件下维持10‑60min，将扩散源扩散在所述绒面的表面；(3)通过退火制作所述绒面的所述表面钝化层。该方法可通过简单的扩散工艺实现PN结的场钝化效果，保证良好的陷光能力，较好控制表面复合和俄歇复合，且绒面制备成本较低，可较好地提升电池转换效率。
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公开(公告)号：CN113644002B
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN202110914468.1
申请日：2021-08-10
IPC: H01L21/66
Abstract: 一种太阳电池少数载流子端接触电阻的测试方法，通过暗态I‑V曲线对应样品不同的正面电极面积S绘制出dV/d(lnI)‑I曲线，并结合双(二极管+电阻)等效电路模型对曲线进行分段分析，进而计算出电阻‑电极面积倒数曲线，经曲线拟合得到直线的斜率即为带钝化层的免掺杂异质结电池样品的少数载流子端比接触电阻。本发明结合带钝化层的免掺杂异质结太阳电池少数载流子端载流子传输模型，建立对应的等效电路图，进而得到提取带钝化层的免掺杂异质结太阳电池少数载流子端接触电阻的方法。
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公开(公告)号：CN109713056A
公开(公告)日：2019-05-03
申请号：CN201811470762.2
申请日：2018-12-04
Applicant: 上海交通大学
IPC: H01L31/0236 , H01L31/0216 , H01L31/18 , C30B33/10
Abstract: 本发明公开了一种具有径向PN结的黑硅太阳电池制备方法，涉及晶硅太阳电池制备领域，包括如下步骤：(1)采用化学湿法在硅衬底上制作微米尺寸的绒面；(2)在800-1000℃且含氧量控制在30-100％的条件下维持10-60min，将扩散源扩散在所述绒面的表面；(3)通过退火制作所述绒面的所述表面钝化层。该方法可通过简单的扩散工艺实现PN结的场钝化效果，保证良好的陷光能力，较好控制表面复合和俄歇复合，且绒面制备成本较低，可较好地提升电池转换效率。
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